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考虑栅氧化层SBD,NBTI和MOSFET的SRAM稳定性分析

对超薄栅氧化物,采用软击穿(SBD)技术广泛研究,但没有完全集成到电路可靠性模拟。使用一个6T SRAM单元作为通用电路示例时间相关的SBD被纳入电路退化基于指数缺陷电流增长模型[1]进行分析。SRAM细胞稳定性因个体失效机制而退化为特征。多重失效机制的退化效应并对SRAM细胞的操作进行了研究。模拟结果表明,闸极氧化物SBD是主要的失效形式导致SRAM稳定性和运行退化的机理,NBTI和HCI的影响要小得多。

标签: MOSFET
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