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碳化硅半导体技术及产业发展现状

作者:中国科学院半导体研究所刘兴昉 陈 宇。碳化硅半导体(这里指 4H-SiC)是新一代宽禁带半导体,它具有热导率高(比硅高 3倍)、与GaN晶格失配小(4% )等优势,非常适合用作新一代发光二极管(L E D)衬底材料[1]、大功率电力电子材料[2]。

标签: 半导体
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