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加大驱动电阻EMC好了很多

整改了一个EMC不能过的电源，加大了驱动MOS的阻值 ，测试全部OK，但理论上却想不通，在有加大过后，效率也低了2个点。
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asouth
LV.8
2
2012-07-09 15:01

原来多大？现在又改成了多大？

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jetweel
LV.4
3
2012-07-09 16:54
@asouth
原来多大？现在又改成了多大？

原来10欧，还改为47欧

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hanww2006
LV.4
4
2012-07-09 17:51

测试MOS门极对地波形了吗？

你加大驱动电阻，MOS的开工管段都变慢了，Vgs的斜率也变小了，所以干扰就变小了，但同时，驱动变慢导致的就是MOS的开关损耗增加了，就是你所说的效率降了2%，可以考虑用更好的管子弥补。

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天空skydai
LV.6
5
2012-07-09 18:29
驱动MOS的电阻建议不要用的太小，太小了容易在CS脚产生负压，
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jetweel
LV.4
6
2012-07-09 18:40
@hanww2006
测试MOS门极对地波形了吗？你加大驱动电阻，MOS的开工管段都变慢了，Vgs的斜率也变小了，所以干扰就变小了，但同时，驱动变慢导致的就是MOS的开关损耗增加了，就是你所说的效率降了2%，可以考虑用更好的管子弥补。

是不是可以这样理解，MOS关断变慢了，D极的尖峰波形就变小了？

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jetweel
LV.4
7
2012-07-09 18:41
@jetweel
是不是可以这样理解，MOS关断变慢了，D极的尖峰波形就变小了？
所以EMC就会小？
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shtjsd
LV.4
8
2012-07-09 19:30
@天空skydai
驱动MOS的电阻建议不要用的太小，太小了容易在CS脚产生负压，

楼上说的是在MOS的GS上产生负压？

是不是因为关断MOS时，驱动线路中的电感导致的？

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MORNSUN®
LV.1
9
2012-07-09 21:39
增加驱动电阻会让MOS管的VDS上升斜率变小，这时干扰就会变得小；但同时由于开通时间变慢，这时会增加MOS管驱动损耗和开关损耗。
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mko145
LV.8
10
2012-07-09 23:02
需要在 EMC和效率之间权衡一下 ~
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asouth
LV.8
11
2012-07-10 09:48
@jetweel
原来10欧，还改为47欧

多大功率的电源？用了什么MOS管？

 

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w00d
LV.4
12
2012-07-10 10:29
@hanww2006
测试MOS门极对地波形了吗？你加大驱动电阻，MOS的开工管段都变慢了，Vgs的斜率也变小了，所以干扰就变小了，但同时，驱动变慢导致的就是MOS的开关损耗增加了，就是你所说的效率降了2%，可以考虑用更好的管子弥补。

用更好的管子替代的话也就让开关的沿变得很直了，这又会让EMC过不了，呵呵，所以这是一个矛盾，效率和EMC不可兼得。

楼主可以用下空心磁珠穿在MOS管和二极管的引脚上试试，也许可以有所改善。

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e3c.tw
LV.2
13
2012-07-10 10:59
@mko145
需要在EMC和效率之间权衡一下~

目前 IC Driver 的能力，即使電阻擺到 200ohm 對效率的影響也不會很大，是會有些微影響！

Driver 改大，理論上 dv/dt, di/dt 變小，對 EMC 本來就會有幫助！

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