【设计大赛】做个简单的反激电源

接着应该定个方案了,先选IC,反激这一块可选的IC真是不能再多了,公司里常用的是昂宝这个品牌,这个功率段用OB2263不会有问题,由于体积有点小,优选贴片的,同样很多元件都应该以贴片为主.....

接下来就按OB2263设计电路图.....

完成的原理图,是按OB的典型应用设计的,

电脑上没有PDF生成软件,只好截图....

下面是各部分,输入滤波/整流

PWM及VCC供电部分:

输出和电压取样部分:

先说下输入滤波/整流部分元件取值估计方法:

重传下这部分电路,方便观看

由于PCB的面积较小,而保险要求的距离要2.5毫米以上,为方便布局并节省空间,把保险丝放到输入的最前.假设输出24W,允许最大输出为1.2倍,效率假设为80%,最低输入交流85V,加上只有电容滤波,PF值约0.5,那么输入电流有效值约为

IAC=24*1.2/0.8/85/0.5,约等于0.85A;

由于温度降额,开机冲击等原因,这个保险丝取值应该在1A以上,而且保险的作用并不在于保护后面元件的安全,只要求能断开电网,所以取个2A250V的值.

输入端离外壳比较近,元件不能用太高的,X电容用了小体积(约13*12*6)的,容量只有0.1微法,R1,R2为放电电阻,要求断开电源1秒后X电容上的电压降到安全范围内,经计算,1.5M以下完全满足要求,但要满足耐压,还得用二个电阻串联.

接下来是桥堆,按保险丝算出来的电流取就可以,耐压同样要满足,个子也尽量小,用了个KBP206.

共模电感也是按经验用的,40W以下一般是UU9.8,这颗料常见成本也低,考虑到X电容偏小,在桥堆和电感之间加入一个聚酯类的电容,好处是可以做到小体积大容量.

电解电容也是按2微法/W的经验值取,这里用47微法.

C1,C7是小容量贴片高压电容,如果做EMI的话可以按需要取舍.

支持个

接下来说说PWM部分,原理图如下:

R3,R4,E2组成IC的启动电源,基本上按厂家给的数据赋值,实际上这个回路是有算法的,要求IC输出一个驱动信号之后电容上的电压不能低于IC的关闭电压值.

插个不是题外的题外话:据我所知,有几家电源厂考试时会考到这个问题,就是问应试者怎么取启动电源的元件数值,也不知道是哪个厂家开始搞的.这个对基础知道要求还是挺严的,包含了IC,电容,电阻的基本知识,如耐压,漏电流等等.

IC第一脚接地,是输入/输出信号和电源的公用端;2脚反馈,外接光电耦合器的集电极,并一个用于滤除高频信号的小容量电容;3脚外接电阻到地可以改变IC的工作频率,这里取推荐值100K;4脚电流感应信号输入端,内部已经有延时,小功率应该时一般不用再外加RC延时;5脚为IC的供电端;6脚驱动信号输出,外接的R6,R7,D5可以改变驱动信号对MOS输入电容的充放电速度,进而对开关波形的上升下降沿作调整,有利于EMI整改,R8主要作用是泄放MOS栅-源间积累的电荷,一般取值几K到40-50K,按经验用10K.

C6也用于改善开关波形,一般100P以下常用,做EMI时按需取舍,先留个位置.

CY1是安规电容,由于漏电流的规定,取值不大于103,算法比较麻烦,可以按经验取值,具体可以在EMI整改时调整.

D6,C5,R12,R13是MOS的吸收回路,要保证MOS不会因为变压器感应的反射电压和漏感造成的尖峰击穿.同时它们也会引起损耗,因此取值时得有个折衷.

R9,R10,R11用于将开关电流转换成电压,具体的取值要看变压器设计了.

可行

共模电感放在整流后面比放在整流前面有什么好处吗？等代

很牛B。。。。

这个做24W的。。。类似IPAD的的适配器。。。有点热。。。

效率不懂得怎样？？

最后说下输出和电压取样反馈部分,电路原理图如下:

D7是整流管,一般情况下,参数要求正向电流大于等于3倍输出电流,具体算法不再说明;反向耐压大于(初级最高电压除以初次级匝数比+输出电压),并留有一定余量.按经验这里用100V的管子就行,因体积较小,设定电流10A,可以减少发热量.

R15,C4是整流管的吸收回路,对整流管的电压波形起调整作用,并防止过高的尖锋电压损坏整流管;对EMI整改有用.

R16,R21是假负载,对电源轻载时的稳定性有作用,并不一定用到,先留位置.

E3,E4,E5是储能电容,可以说输出部分的能量都要由它们提供,对它们的要求是内阻越小越好,能承受的纹波电流越大越好;

R17,R18,R19为电阻分压取样网络,通过调整它们的值可以确定输出电压,这里输出电压约为基准电压*(R19/(R18//R17)),图中用431作基准,基准电压约为2.495V,算出来输出电压约为12.3V.

R20为光耦限流电阻,C3是431本身的一个反馈网络,为简单化,只用了一个105的电容.

完成的PCB文件:

用了立式EE25变压器,为了过安规,次级用飞线引出;DS吸收回路中的电容也改成贴片的;为降低高度,MOS和肖特基的焊盘孔都加大,元件可以直接贴到板上.

面积受限,将Y电容骑到光耦上面;

前面开槽用于焊接AC线,后面的方便放置线卡.

同时生成DXF文件,用于绘制散热片.

用CAD做的散热器图纸:

2毫米厚,铝制.

很不错。。。这个壳子我看过。。。

有点薄。。。。

其实在布板之前已经对变压器进行选取，个人习惯按AP法选用磁芯，由于整机高度和PCB面积限制，只能选小一点的，相同频率相同功率下断续模式用的磁芯要小一点，决定以断续模式计算磁芯。

AP值的公式：

AP=Aw*Ae=Pt*10⁶/[2*ko*kc*fosc*Bm*j*ŋ]

其中Pt=Po+Po/ ŋ

Pt：视在功率，单位W；

Po：变压器的输出功率，单位W；

ŋ ：变压器的效率，小功率一般选0.9-0.95，选0.92；

ko：窗口的铜填充系数，一般选0.3-0.5,这里考虑到安规，会用三层绝缘线做次级，用0.3；

kc：磁芯填充系数，对于铁氧体=1；

fosc：磁芯工作频率,单位HZ；

j：电流密度，一般取j=5A/mm²

Bm：变压器工作磁通，单位高斯

AP值的单位，ＣＭ的4次方．

这里的变压器输出电压约(12.3V+0.6V)，0.6V是肖特基二极管正向电压降；电流是2.4A(设过电流点为正常输出电流的120%);变压器输出功率是31W.

工作于断续模式,BM取2000高斯,得到AP值为0.18。

算好了，按磁芯的规格表选磁芯，要求稍大于计算值，同时还得注意高度等要求，对着表看下可选的磁芯还真没几个，用常见的EE25/19吧。。。。

这也不知道哪位前辈的劳动成果（真记不起来了），网上找来的，在此谢过！

CORE AP 

OB2263太熟悉了，以前的供TEL机顶盒适配器5V2A。每个月退货几箩筐，修惨了。离开原来的公司做的最后一款也是用OB2263做48W的电源

可以的，不过板已经发出打样，现在的ＰＣＢ却改成这样了：

整体没什么变化，400Ｖ电解电容阳极处的跳线Ｊ１取消了，要加工一下电解电容才好插件．

不发邮箱了，想ＤＩＹ就这里直接下吧，只上ＰＣＢ文件，原理图上面已经有了，将就看吧

ＤＤＢ文件，解压缩后用ＰＲＯＴＥＬ９９ＳＥ打开．

20120501