请教：RCD电阻比较烫

在调试的过程中，改变RCD的R和C,分别是27nF并15K和47nF并75K，电阻是两个2W的并联的。在265V，满载的情况下，电阻都比较烫，然后测量RCD和DS的电压，发现前一种的电压峰值只有105伏，VDS的峰值电压528伏；后一种是分别是124伏和540伏，为什么RCD箝位电压越高，反而VDS也升高了呢？此外，下图是27nF并15K时，VDS的波形图，是否有什么不对的地方？谢谢！

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zq2007

LV.11

2012-03-30 21:03

吸收太重啦，可以适当调整一下R的值。

cheng111

LV.11

2012-03-30 21:23

电阻值太小了。增大到100K试一试。

gohey

LV.2

2012-03-31 08:31

@cheng111

电阻值太小了。增大到100K试一试。

谢谢楼上的两位解答，我今天再测试一下。

asouth

LV.8

2012-03-31 09:05

吸收太重啦，可以适当调整一下R的值.可以用103及100K或51K来测试下。

gohey

LV.2

2012-03-31 09:09

现在将电阻改为150K，在265V输入的情况下，测试的VDS波形如下：

VDS的峰值增加到548V，现在选用的MOS是600V的，会不会电压应力不够？而且，VDS的振荡频率7MHz左右，比较明显。同时，测试RCD电阻两端的电压峰值是134V，波形如下：

电阻发热的情况好转，但是，从波形看，振荡的比较明显，这样会造成EMI影响吗？谢谢！

asouth

LV.8

2012-03-31 09:18

@gohey

现在将电阻改为150K，在265V输入的情况下，测试的VDS波形如下：[图片] VDS的峰值增加到548V，现在选用的MOS是600V的，会不会电压应力不够？而且，VDS的振荡频率7MHz左右，比较明显。同时，测试RCD电阻两端的电压峰值是134V，波形如下：[图片] 电阻发热的情况好转，但是，从波形看，振荡的比较明显，这样会造成EMI影响吗？谢谢！

MOS用的是什么型号的？