請教 SP6003 / SP6003A / SP6002 同步整流IC

顶一下..

頂

我做过反激5V10A试验,效果与肖特基整流没有差别,这棵芯片制造商推荐供电电压是5V,我用的整流管是F3205、F1010、F3710都试了,看情形没提高效率,希望能得到制造商工程师指点,先谢了.

因擎力產品SP6002 / SP6003A / SP6003 的整流輸出電壓為4.5V~5.5V , 貴司使用的整流MOS管IRF3205/IRF1010/IRF3710 對應RDS(on)( 驅動電壓 VGS =5V )比其它廠家都高很多 ,建議使用目前較佳的整流用MOS管廠牌( Fairchild / ST ) ; 另外當使用擎力產品時 , 為達成最大功率輸出 , 仍有多項功能可提供客戶調整 , 例如Timing / Pred / Cramp等 .

使用擎力科技的同步整流芯片 , 擁有世界專利的設計,使用簡單方便又高效率 , 周邊設計原件簡單又省錢 該公司還有相關技術文件於網頁上說明擎力科技的同步整流有4大優點 :1. CCM / DCM 自動追跡 ,  無須增加多餘元件 .因為擎力科技同步整流設計有兩大專利 :a. falling - edge 波形斜率判定設計 --- 可以判定light -load的雜訊(因high load / light斜率不同 )b. Prediction 自動偵測 , 可以完全將coil的能量做有效的轉換.完全將2次側的能量完全轉換 , 可以避免不必要的能量浪費.2. 快速反應 , 適用頻率 50KHZ ~ 650KHZa. switch的損失 ,常因為波形 raise time / falling time的延遲 , 造成不必要的swithing loss .3. 應用簡單 , MOSFET選用範圍廣泛a. 擎力科技同步整流設計已將客戶所需要的方便性完全考慮進去 , 應用的簡便性是目前最優的.b. 因為擎力科技採用Prediction( coil能量偵測法 ) , 此功能完全依循2次側輸入能量做反應 , 所以對MOSFET的選用 , 完全由客戶自由發揮 ( 當然是選RDS越小越好 --- 可減少CONDUTCTION LOSS ).相對其他廠家的ZVS ( 零點電位偵測法 ) , 此法對MOSFET的要求有相當嚴格的規定 , 造成客戶選用MOSFET得不便.4. on-time duty 自動轉換 , 無論110V / 220V 皆可適用a. 使用zvs設計的整流方式 , on time duty 是固定式的 , 在110V / 220V轉換應用時 , ON-TIME DUTY無法完成打開 , 必然造成能量的損失 , 所以常要求客戶在MOSFET旁並聯一顆SCHOTTKY DIODE , 用意在使ON-TIME DUTY轉換較佳 , 可惜成本相對提高太多.

注意调整平滑驱动波形, 副边波形, 及两者之gap

很多开关管都有建议闸极驱动电压的范围,若以5V的驱动电压来看Rdson应该是会高过10V驱动电压,开关管的规格应该都有相对应的曲线图,这应该不是因为开关管的不同所引起的吧....

可以参考看看这家的同步整流IC1155006556.pdf1155006578.pdf1155006601.pdf

你没见过Vgs 5V驱动的Rds(on)小的Mosfet吗?可以Infineon,ST,Fairchild的网站上查查查.同步整流IC的目的是什么?是不是使Mosfet工作在该Mosfet的最佳状态?你提高效率的的方法难道不是为了降低功耗?功耗在哪里?难道不在Mosfet上?

如果做模块电源,工作频率300K左右的话,开关损耗就很可观了,这时候就适合用5V驱动的SP6003A,如果你工作频率很地,主要损耗是导通损耗,当然也可以选用12V驱动的SP6013A

难道不同Mosfet的Rds(on)消耗的功率都是一样的?

能讲将它为什么还要在Mosfet DS 极多并联一颗萧特基二极管?
还要在DCM工作状态时对噪声信号的表现吗?还有在CCM模式下的cross conduction 性能如何?

我的意思并非如此,只是许多厂家在闸极驱动电压及Rdson间都会有曲线图标明相对应之关系,我知道开关管多半在2~4V间就能工作, 不过那是Rdson最低的区间吗?
或许是我没注意到你所说的事情吧....

先生,那不是萧特基,而是开关管的体二极管....或许你可以自己去要样品试试效能吧

你的意思是Mosfet两端也不用并联萧特基二极管在110V/220V 转换应用时电路也能已最佳状态工作?OK,那我可以叫客户去掉他们在你们电路里并联的萧特基进行cost down了.

Richard兄,若您了解并连萧特基二极管的意义为何, 相信您不会提出这种见解...

110V/220V 转换是Niko 产品死区时间不能自动调整,如果不并萧特基,220V时的效率会变差啊.所以要并颗萧特基.所以要用不并萧特基,自动能调整的IC 多好啊.

用5V趨動MOSFET管,或用10V趨動MOSFET管---兩者都可以,但用10V趨動MOSFET管,相對消耗功率更大些 , P=IV , 依此計算 , 若NIKO使用10V得VDD , IC對應的消耗更大 , 自然NIKO的產品會有發熱的問題點 ,這點所有用過的客戶都很清楚

從NIKO的應用圖看出 , Page 4 , 確實是蕭特基( 非開關管的體二極管 ) , 因為 NIKO 特別標出D3的代號 , 所有繪圖的研發人員都知道 , 開關管的體二極管在繪圖時是不用標號的 . 所以這點表示 , NIKO 的產品在MOSFET管旁仍需要加上蕭特基

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这是Fairchild的MosFET FDP3632针对其Rdson与Id的对应图,图中有Vgs电压所对应的Rdson值,若然使用同步而不能将MosFET的使用最佳化,那不可惜...
IC上的损失是一定存在的...且多数IC的工作电压及开关管的驱动电压也多落在8V~15V间,且IC即使发热,规格也可耐到150度,使用上是没什么疑虑的
况且,比对于在工作电压上有极大的限制条件的作法,应用上会来安全些吧..

并非如您所说那样一定得加二极管,这完全是看客户在设计上的需求,应用图上顶多是建议,并无强制要求,况且MosFET本身的body diode即有此功能,所以端看客户设计需求

SP6013工作电压不是也在12左右吗?

是的 , 所以我開宗明義便說 5V/10V 都可以用來當驅動 .

根據NIKO的設計方式 , 這蕭特基可能無法省略 , 因為若不加蕭特基 , 當電壓由 110V 轉成 220V 時 , 可能DUTY無法全開 , 會造成效能的耗損 . 另外 , N3856是用3個芯粒封裝成SOP-8P , SOP-8P內部封裝打線相當複雜 , 造成IC本身溫度相當高的現象 .

而我ㄧ開始也說過,用5V電壓去驅動開關管並無法將開關管的效能最佳化..不是嗎..

老兄:我是NIKO的FAE,首先我要說明蕭特基是降低DELAY TIME及DEAD TIME時因為MOSFET BODY DIODE VF較高之故,有無僅差一點點效率並不是DCM/CCM無法自動切換之故.另外3顆芯粒封裝並不特別其它IC亦有此設計主要區隔高壓低壓控制,打線並不複雜更不會是溫度高的問題,N856因為使用12V電源驅動MOSFET所以造成驅動損失較高,而且VCC電源隨PWM頻率ON/OFF所以存在一些SWITCHING LOSS,而造成IC溫度因此較高但是N3856 JUNCTION TEMP.可承受150C.如果降低VCC電壓的話溫度則可相對降低.

VCC電源隨PWM頻率ON/OFF所以存在一些SWITCHING LOSS ? 那高頻時會不會損失更多 ? 另外 , 若頻率偏高時 , swithcing loss會不會有誤判的情形發生 ? 如何避免 ?

能提供带同步整理的完整电路图吗?

你要同步部分的原理图还是整个电源的原理图?

SP6003我试用过了,效果不是你们所说的那样好,也许是不适合做我们中小功率的产品,
有兴趣的朋友还是可以试下,试过之后你就会发觉合不合适,对不?
他们的FAE做得还是挺好的嘛!

小功率用同步整流,太浪费了,传统的方法就可以做到高效率了?同步整流的基础就是利用Mosfet 的低导通电阻特性来降低攻耗,可是你原来的萧特基攻耗就小的话,效果当然不明显了.同步整流适合做做低压,大电流产品.目的就是提高效率或减少温升,相对萧特基减少功率损失.