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【原创】逆变H桥IGBT单管驱动+保护详解

    【谢谢】这个帖子居然加分了,谢谢版主!

 

       这几天沉下心来专门给逆变器的后级,也就是大家熟悉的H桥电路换上了IGBT管子,用来深入了解相关的特性。

大家都知道,IGBT单管相当的脆弱,同样电流容量的IGBT单管,比同样电流容量的MOSFET脆弱多了,也就是说,在逆变H桥里头,MOSFET上去没有问题,但是IGBT上去,可能开机带载就炸了。这一点很多人估计都深有体会。当时我看到做鱼机的哥们用FGH25N120AND这个,反映很容易就烧了,当时不以为然。

只到我在工作中遇到,一定要使用IGBT的时候,我才发现我错了,当初我非常天真的认为,一个IRFP460,20A/500V的MOSFET,我用个SGH40N60UFD  40A/600V的IGBT上去怎么样也不会炸的吧,实际情况却是,带载之后,突然加负载和撤销负载,几次下来就炸了,我以为是电路没有焊接好,然后同样的换上去,照样炸掉,这样白白浪费了好多IGBT。

后来发现一些规律,就是采用峰值电流保护的措施就能让IGBT不会炸,下面我就会将这些东西一起详细的说一说,说的不好请大家见谅,这个帖子会慢慢更新,也希望高手们多多提出意见。

我们将这个问题看出几个部分来解决:

1,驱动电路;

2,电流采集电路;

3,保护机制;

 

一、驱动电路

这次采用的IGBT为IXYS的,IXGH48N60B3D1,详细规格书如下:IXGH48N60B3D1 

    驱动电路如下:

 

这是一个非常典型的应用电路,完全可以用于IGBT或者MOSFET,但是也有些不一样的地方。

1,有负压产生电路,

2,隔离驱动,

3,单独电源供电。

首先我们来总体看看,这个电路没有保护,用在逆变上100%炸,但是我们可以将这个电路的实质摸清楚。

先讲讲重点:

1:驱动电阻R2,这个在驱动里头非常重要,图上还有D1配合关闭的时候,让IGBT的CGE快速的放电,实际上看需要,这个D1也可以不要,也可以在D1回路里头串联一个电阻做0FF关闭时候的栅极电阻。

下面发几个波形照片,不同的栅极电阻,和高压HV+400V共同产生作用的时候,上下2个IGBT栅极的实际情况。

 

上面的图,是在取消负压的时候,上下2管之间的栅极波形,栅极电阻都是在10R情况下。

上面的图是在不加DC400V情况下测量2管G极波形,下图是在DC400V情况下,2管的栅极波形。

为何第二个图会有一个尖峰呢。这个要从IGBT的内部情况说起,简单来说,IGBT的GE上有一个寄生的电容,它和另外的CGC一个寄生电容共同组成一个水池子,那就是QG,其实这个和MOSFET也很像的。

那么在来看看为何400V加上去,就会在下管上的G级上产生尖峰。借花献佛,抓个图片来说明:

 

如上图所示,当上官开通的时候,此时是截止的,由于上官开通的时候,这个时候要引入DV/DT的概念,这个比较抽象,先不管它,简单通俗的说就是上管开通的时候,上管等效为直通了,+DC400V电压立马加入到下管的C级上,这么高的电压立刻从IGBT的寄生电容上通过产生一个感应电流,这个感应电流上图有公式计算,这个电流在RG电阻和驱动内阻的共同作用下,在下管的栅极上构成一个尖峰电压,如上面那个示波器的截图所示。到目前为止,没有引入米勒电容的概念,理解了这些,然后对着规格书一看,米勒电容是什么,对电路有何影响,就容易理解多了。

 

这个尖峰有许多坏处,从上面示波器截图可以看出来,在尖峰时刻,下管实际上已经到7V电压了,也就是说,在尖峰的这个时间段内,上下2个管子是共同导通的。下管的导通时间短,但是由于有TON的时间关系在里面,所以这个电流不会太大。管子不会炸,但是会发热,随着传输的功率越大,这个情况会更加严重,大大影响效率。

本来是要发出加入负压之后波形照片,负压可以使这个尖峰在安全的电平范围内。示波器需要U盘导出位图,这样清晰,今天发懒没有摸仪器了,后面再去补上去。


二,电流采集电路

说到这一步,就是离保护不远了,我的经验就是电流采集速度要很快,这样才能在过流或短路的时候迅速告诉后面的电路->,这里出问题了。让IGBT迅速安全的关闭。

这个电路该如何实现呢?对于逆变电路,我们可以直接用电阻采样,也可以用VCE管压降探测方式。管压降探测这个论坛里有多次讨论出现过,但是都没有一个真正能用,
真正实际应用过,测试过的电路(专用驱动芯片例外),这是因为每种实际应用的参数大不一样,比如IGBT参数不同,需要调整的参数很多,需要一定的经验做调整。


我们可以从最简单的方式入手,采用电阻检测这个电流,短路来了,可以在电阻上产生压降,用比较器和这个电压进行比较,得出最终是否有过流或者短路信号。

用这个图就可以了,因为原理非常简单,就一个比较的作用,大家实现起来会非常容易,没有多少参数可以调整的。

 

上图是采样H桥对地的电流,举个例子:如果IGBT是40A,我们可以采取2倍左右的峰值电流,也就是80A,对应上图,RS为0.01R,如果流入超过80A脉冲电流那么在该电阻上
产生0.01R*80A=0.8V电压,此电压经过R11,C11消隐之后到比较器的+端,与来自-端的基准电压相比较,图上的-端参考电阻设置不对,实际中请另外计算,本例可以分别
采用5.1K和1K电阻分压变成0.81V左右到-端,此时如果采样电阻RS上的电压超过0.8V以上,比较器立即翻转,输出SD 5V电平到外部的电路中。这个变化的电平信号就是我们
后面接下来需要使用的是否短路过流的信号了。

有了这个信号了,那我们如何关闭IGBT呢?我们可以看情形是否采取软关闭,也可以采取直接硬关闭。

采取软关闭,可以有效防止在关闭的瞬间造成电路的电压升高的情况,关闭特性非常软,很温柔,非常适合于高压大功率的驱动电路。


如果采取硬关闭,可能会造成高压DC上的电压过冲,

比如第一图中的DC400V高压可能变成瞬间变成DC600V也说不定,当时我看一些资料上的记载的时候,非常
难以理解:关就关了嘛,高压难道还自己升上去了?实际情况却是真实存在的。

如果大家难以理解,可以做个试验,家里有水塔的,最清楚,水塔在很高的楼上,水龙头在一楼,
打开水龙头,水留下来了,然后用极快的速度关闭这个水龙头,你会听到水管子有响声,连水管子都会要震动一下(不知道说的对不对,请高手指正,在此引入水龙头这个例子
还得感谢我读书的时候,老师看我们太笨了,讲三极管特性原理的时候打的比喻,在此我要感谢他),IGBT在桥电路的原理同样如此。在IGBT严重短路的时候,如果立马硬关闭
IGBT,轻则只是会在母线上造成过冲的感应电压(至于为何会过冲可以查阅相关资料,很多资料都说到了),管子能抗过去,比如你在直流高压母线上并联了非常好的吸收电容,
有多重吸收电路等等。。

重则,管子关闭的时候会失效,关了也没有用,IGBT还是会被过冲电压击穿短路,而且这个短路是没有办法恢复的,会立即损坏非常多的电路。有时候没有过压也能引起这种现象,
这个失效的原理具体模型本人未知,但是可以想象的是可能是由于管子相关的其他寄生电容和米勒电容共同引起失效的,或者是由于在过流,短路信号发生时候,IGBT已经发生了擎柱效应
就算你去关,关也关不死了。

还有第三种方式,是叫做:二级关闭,这种方式简单来说,就是检测到了短路,过流信号,PWM此时这个脉冲并没有打算软关闭或直接关闭,而是立即将此时刻对应的VGE驱动脉冲电压降低到8V左右
以此来判断是否还是在过流或短路区域,如果还是,继续沿用这个8V的驱动,一直到设定的时间,比如多个个us还是这样就会立即关了,如果不是,PWM将会恢复正常。这种方式一般可能见到不多,
所以我们不做深入研究。


理解了这些,我们可以看情况来具体采用那些关闭的方式,我认为在2KW级别中,DC380V内,直接采取硬关闭已经可以满足要求了,只需要在H桥上并联吸收特性良好的一个电容,就可以用600V的IGBT了。

关键的一点就是检测时候要快速,检测之后要关闭快速,只有做到了快,IGBT就不会烧。

 


(更新。。。。。。)打几个字,好累,高手们继续提出自己不同的见解!

 

(更新。。。。。。)打几个字,好累,高手们继续提出自己不同的见解!

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ta7698
LV.9
2
2011-12-28 16:00
说的不错,IGBT代MOS确实是有这样的问题,楼主继续,学习一下。
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2011-12-28 16:01
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2011-12-28 16:09
@独在水乡
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楼上继续,坐等!
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2011-12-28 16:12
@独在水乡
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IGBT自身C-E短路后,如何处理? 

发生这种情况,一般都是不可恢复的故障,我们通常的做法是在HV+400V上加入一个保险,这是变频器的通常做法。

现实中商品机器,有的没有加入这个保险丝,有的是在桥路下部有一个MOSFET/IGBT做开关,没有加入到保险丝的时候,前级会炸。会损坏相当多的元件。

 

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2011-12-28 16:15

如果采用专用驱动芯片,比如HCPL316J.ACPL-330之类的芯片,由于芯片考虑了IGBT的所有情况,所有就有非常多的保护。

但是详细了解IGBT特性之后,将会对产品设计带来更好的效果,因为深层次的东西都了解了。

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2011-12-28 16:18
@lizlk
IGBT自身C-E短路后,如何处理? 发生这种情况,一般都是不可恢复的故障,我们通常的做法是在HV+400V上加入一个保险,这是变频器的通常做法。现实中商品机器,有的没有加入这个保险丝,有的是在桥路下部有一个MOSFET/IGBT做开关,没有加入到保险丝的时候,前级会炸。会损坏相当多的元件。 
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SZLQ
LV.4
8
2011-12-28 16:19
@lizlk
如果采用专用驱动芯片,比如HCPL316J.ACPL-330之类的芯片,由于芯片考虑了IGBT的所有情况,所有就有非常多的保护。但是详细了解IGBT特性之后,将会对产品设计带来更好的效果,因为深层次的东西都了解了。
继续。。。
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2011-12-28 16:23
@lizlk
如果采用专用驱动芯片,比如HCPL316J.ACPL-330之类的芯片,由于芯片考虑了IGBT的所有情况,所有就有非常多的保护。但是详细了解IGBT特性之后,将会对产品设计带来更好的效果,因为深层次的东西都了解了。
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2011-12-28 16:24
@独在水乡
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模块除外,

实际上我认为保险的左右是为了,在IGBT有不可恢复的灾难性故障的时候,熔断,而不至于造成IGBT爆炸,现有的非常多的产品都是这样实现的,继电器的方式要解决许多问题,其中高压直流拉弧的问题,一般继电器用不了,只能用专用的继电器高DC直流电压的这种。

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2011-12-28 16:26
@SZLQ
继续。。。
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2011-12-28 16:41
@滔滔江水~~~
[图片]
楼主继续专心听讲正好想学学IGBT驱动,买了几个二手的还不只到咋用?
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2011-12-28 16:46
@独在水乡
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告诉你吧,绝对不会炸整流器,这个保险丝放置的地方有学问的,看看变频器就知道了。

我再次说明,保护IGBT不是靠保险丝,保险丝只是最后一道门槛,防止IGBT爆炸或者冒烟。

我做了很多这种产品,DC低压输入从来不用放置什么保险,全部在高压保险,就算H桥全部直通,前级照样不坏,只会炸保险丝,升压不会产生任何影响。

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2011-12-28 16:48
@独在水乡
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靠继电器,也不能保护IGBT,你的方式只是在IGBT击穿之后,不让他炸开,或者起火而已,和保险丝相比不知道有什么优势,保险丝这个东西成熟,我没有在变频器上面看到用继电器搞的,当然有些有,也不一定。
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2011-12-28 16:52
@神舟八号
楼主继续专心听讲正好想学学IGBT驱动,买了几个二手的还不只到咋用?
**此帖已被管理员删除**
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2011-12-28 16:57
@独在水乡
**此帖已被管理员删除**
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tby2008
LV.9
17
2011-12-28 17:00

最近我也一直在搜集关于IGBT保护的方法,降栅压软关断技术还是比较先进的

IGBT做H桥后级,曾经看到过用mos和IGBT并联的事例,利用mos的拖尾短的优点,IGBT充当主功率管,当IGBT关掉后,mos要延时一会在关;

还有一种是上臂用IGBT  下臂用mos的

谈到IGBT和mos并用  曾经有过一个想法  来改善mos推挽电路的尖峰吸收问题

主mos并联按正常接法  同时并接一个副mos管承担吸收的作用

就是在这个副mos GS间并接合适的电容

当主mos先关断后  由于副mos的延迟作用  从而吸收尖峰电压

当然推挽驱动的前提是要有合适的死区时间,不然副mos只好牺牲了

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2011-12-28 17:01
@独在水乡
**此帖已被管理员删除**

我明白你的意思,你放置继电器的作用是干嘛呢?不就是在IGBT击穿之后,不会造成其他的东西破坏而已嘛,如果只是这个简单的作用,为何不直接保险丝来的快,此时保险丝不是用来做保护的,而是用来在IGBT击穿之后,不会烧别的东西,这一点没有任何问题,不知道你明不明白。

以现在公司的产品方案,就算是H桥坏掉,直接短路,都只会烧保险,而不会烧升压MOS,高压二极管之类的东西。这一点,我相信很多人都体验了,因为很多人做了寿版的600W机器上就是这样,要是没有这个保险,前级升压MOS肯定坏掉。

IGBT短路保护,这个一定要有,也就是本贴接下来要做的保护相关的事情。由于短路保护,以及短路时候的检测都涉及多方面的事情,今天写不了啦,明天接着写。

 

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2011-12-28 17:10
@tby2008
最近我也一直在搜集关于IGBT保护的方法,降栅压软关断技术还是比较先进的IGBT做H桥后级,曾经看到过用mos和IGBT并联的事例,利用mos的拖尾短的优点,IGBT充当主功率管,当IGBT关掉后,mos要延时一会在关;还有一种是上臂用IGBT 下臂用mos的谈到IGBT和mos并用 曾经有过一个想法 来改善mos推挽电路的尖峰吸收问题主mos并联按正常接法 同时并接一个副mos管承担吸收的作用就是在这个副mosGS间并接合适的电容当主mos先关断后 由于副mos的延迟作用 从而吸收尖峰电压当然推挽驱动的前提是要有合适的死区时间,不然副mos只好牺牲了

嗯,高手终于出现了,看得出你也研究的非常久和非常多了。

软降栅压是在IGBT过流情况下的时候需要这个操作,因为在IGBT过流的时候,如果里面关闭,DI/DT会跳出来和引线,杂散电感一起感应出非常高的电压,造成IGBT击穿。挼关闭就可以解决这个问题。

除了软关闭,还有一种方式,就是二极关闭,这是另外的一种,这种技术可以将驱动特性做的非常硬,而且性能和软关闭一样好。

IGBT和MOS的组合,应用到非常多的地方就是大功率PFC的BOOST上的。这种方式很巧妙,做的好,效率很好,做的不好就会炸的很快。

H桥内有IGBT,又有MOS,一般在特定的机器上会出现,比如并网逆变器,通过一些高效的SPWM调制方式实现高效,低损耗,由于负载类型是单一,所以不需要考虑太多隐藏的因素。

希望高手们多多提出自己的意见,相互交流。

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2011-12-28 17:11
@tby2008
最近我也一直在搜集关于IGBT保护的方法,降栅压软关断技术还是比较先进的IGBT做H桥后级,曾经看到过用mos和IGBT并联的事例,利用mos的拖尾短的优点,IGBT充当主功率管,当IGBT关掉后,mos要延时一会在关;还有一种是上臂用IGBT 下臂用mos的谈到IGBT和mos并用 曾经有过一个想法 来改善mos推挽电路的尖峰吸收问题主mos并联按正常接法 同时并接一个副mos管承担吸收的作用就是在这个副mosGS间并接合适的电容当主mos先关断后 由于副mos的延迟作用 从而吸收尖峰电压当然推挽驱动的前提是要有合适的死区时间,不然副mos只好牺牲了
**此帖已被管理员删除**
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2011-12-28 17:15
@独在水乡
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我不明白你为何老是这么偏激,你看不进半点人家的意见,谁说了保护靠保险丝啊?和你沟通真是太难了,扯技术问题都这么难沟通,真搞不懂你。

我上面一再说明,保险丝是用来在IGBT击穿之后,不将故障范围扩大而已比如起火、爆炸之类,短路保护检测还得用别的方式来进行的。说了这么多,都是白扯,呵呵。

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2011-12-28 19:02
@独在水乡
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我有个问题,继电器的速度是否来得及?
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2011-12-28 19:11
@lizlk
嗯,高手终于出现了,看得出你也研究的非常久和非常多了。软降栅压是在IGBT过流情况下的时候需要这个操作,因为在IGBT过流的时候,如果里面关闭,DI/DT会跳出来和引线,杂散电感一起感应出非常高的电压,造成IGBT击穿。挼关闭就可以解决这个问题。除了软关闭,还有一种方式,就是二极关闭,这是另外的一种,这种技术可以将驱动特性做的非常硬,而且性能和软关闭一样好。IGBT和MOS的组合,应用到非常多的地方就是大功率PFC的BOOST上的。这种方式很巧妙,做的好,效率很好,做的不好就会炸的很快。H桥内有IGBT,又有MOS,一般在特定的机器上会出现,比如并网逆变器,通过一些高效的SPWM调制方式实现高效,低损耗,由于负载类型是单一,所以不需要考虑太多隐藏的因素。希望高手们多多提出自己的意见,相互交流。

师傅,我的1000W机器,原先用的也是IGBT管G40N60,也烧过几次,貌视这个尖峰是相当危险的,所以,在没有用316J的情况下,我一般不敢用IGBT管了。青岛程工民也和我说,在大功率情况下,IGBT管的发热比MOS管小,我当时也觉得不可思议。

 

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btma
LV.8
24
2011-12-28 19:35
关注这个话题。IGBT的驱动和保护是一个专门的话题,有很多技巧。最有效的保护应该是在设计阶段就开始重视,防止发生功率管的损坏。至于已经发生故障了,要保护IGBT已经晚了,加保险、继电器都在时间量级上来不及,熔断器、继电器都是ms以上级别,一般IGBT穿通时就能抗20us内,加保险或继电器就是防止损坏的扩大。因此才有IGBT的驱动过流保护电路,希望在开始过流时就关断(含软关断)IGBT。
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qghqgh
LV.6
25
2011-12-28 19:55
@独在水乡
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请您帮我推荐个能长时间过DC400V10A的继电器看看?继电器跳也是要时间的.这时间足够炸管子了.
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ytwsdz
LV.7
26
2011-12-28 20:19

多几句话哈,不明白就当没看到,我们不是研究永动机的料哈,正题。

说到保护,有关书类有太多,西安那有个公司从那购了三大本有关功率器件的研究

有一天总于想明白了,保护千万不要多不要乱,如请保标一样,能着几个就可,多了没用,有谁能确保标的不变心不睡觉呢?同样在电路上也是一样。

问题还是在器件上,器件是厂家供给的,与理想总是有差别的,不可能不坏的,为了减小坏的故障率,就要给器件下半旗,留下余量是最好的办法。如非要超能力研究,烧管那是太对的起你了,应该烧。

做事有余量基本成就就快出来了,那为何还有烧的问题呢,前级!!!管子如人体一样,它张开口等着你给他吃什么,吃的不好就要有病了,所以严把入口关,这入口电源一定要做到细细细,内层函盖一个技术人员的心血,别小看这入口关,你自己亲手做的变压器或许可放心(做到家才可以),别人加工的你不能相信更不能永远相信是合格品!!!何况还有再生器件哈。

MOS与IGBT有着别,驱动是要调整的。那个G电阻多大是重要问题,防止共导产生的保护必须要有!!!电路中的相位一定要测量哈!

从后面设置的保护如同到医院化验一样泄后!不是强调的。

对于实际电路我也不能全推出来,点到为止。毕竟我要吃这碗饭,拍砖可以,粗口就让你,

电路简单是技术,从读完那三本书,爆出一些心血,再没用过什么保护芯片,什么乱七八糟的保标电路。

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2011-12-28 20:31
@萧山老寿
师傅,我的1000W机器,原先用的也是IGBT管G40N60,也烧过几次,貌视这个尖峰是相当危险的,所以,在没有用316J的情况下,我一般不敢用IGBT管了。青岛程工民也和我说,在大功率情况下,IGBT管的发热比MOS管小,我当时也觉得不可思议。 

这几天我搜寻了一下IGBT专驱芯片,有几种非常值得推荐:

1,HCPL-316J

2,PC929,这个驱动大功率器件需要另外加图腾。

3,ACPL-332J、330J

4,其实AVAGO公司网上有许多种带VCE饱和检测的专驱芯片。

对于米勒电容引起的这个尖峰,致命的是在下管,实际上下管也会通过寄生电容引起上管的栅极电压过冲,不过是负向过冲,下管的是正向过冲,这个问题在MOSFET上可能会造成发热和随着功率加大,效率变得低下。

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2011-12-28 20:32
@btma
关注这个话题。IGBT的驱动和保护是一个专门的话题,有很多技巧。最有效的保护应该是在设计阶段就开始重视,防止发生功率管的损坏。至于已经发生故障了,要保护IGBT已经晚了,加保险、继电器都在时间量级上来不及,熔断器、继电器都是ms以上级别,一般IGBT穿通时就能抗20us内,加保险或继电器就是防止损坏的扩大。因此才有IGBT的驱动过流保护电路,希望在开始过流时就关断(含软关断)IGBT。
对的,只有检测在短路的瞬间,也就是在US级的时候软关闭IGBT,这样才能安全。
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2011-12-28 20:38
@btma
关注这个话题。IGBT的驱动和保护是一个专门的话题,有很多技巧。最有效的保护应该是在设计阶段就开始重视,防止发生功率管的损坏。至于已经发生故障了,要保护IGBT已经晚了,加保险、继电器都在时间量级上来不及,熔断器、继电器都是ms以上级别,一般IGBT穿通时就能抗20us内,加保险或继电器就是防止损坏的扩大。因此才有IGBT的驱动过流保护电路,希望在开始过流时就关断(含软关断)IGBT。
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2011-12-28 20:48
@ytwsdz
多几句话哈,不明白就当没看到,我们不是研究永动机的料哈,正题。说到保护,有关书类有太多,西安那有个公司从那购了三大本有关功率器件的研究有一天总于想明白了,保护千万不要多不要乱,如请保标一样,能着几个就可,多了没用,有谁能确保标的不变心不睡觉呢?同样在电路上也是一样。问题还是在器件上,器件是厂家供给的,与理想总是有差别的,不可能不坏的,为了减小坏的故障率,就要给器件下半旗,留下余量是最好的办法。如非要超能力研究,烧管那是太对的起你了,应该烧。做事有余量基本成就就快出来了,那为何还有烧的问题呢,前级!!!管子如人体一样,它张开口等着你给他吃什么,吃的不好就要有病了,所以严把入口关,这入口电源一定要做到细细细,内层函盖一个技术人员的心血,别小看这入口关,你自己亲手做的变压器或许可放心(做到家才可以),别人加工的你不能相信更不能永远相信是合格品!!!何况还有再生器件哈。MOS与IGBT有着别,驱动是要调整的。那个G电阻多大是重要问题,防止共导产生的保护必须要有!!!电路中的相位一定要测量哈!从后面设置的保护如同到医院化验一样泄后!不是强调的。对于实际电路我也不能全推出来,点到为止。毕竟我要吃这碗饭,拍砖可以,粗口就让你,电路简单是技术,从读完那三本书,爆出一些心血,再没用过什么保护芯片,什么乱七八糟的保标电路。

是啊,您说了很多重点,谢谢!

但是还有些需要您的指点:您在上面说了降半旗,这个降半旗的额度如何定呢?

因为IGBT通常标的参数都是在100度,或者120度下面的参数,与在25度下的电流相差甚大,实际如何选用IGBT呢?

我当时做过一个最成功的试验就是用SGH40N60UFD,这个管子是40A 25度下的,100度下才20A,逆变做220V/1000W阻性负载,由于有逐脉冲限流,高压在380V,短路也没有烧掉,是不是可以按照这个100度的电流比例来选用管子呢,这个问题我一直没有搞明白,请指教!

您是不是指的就是用分立的元件来实现VCE检测+软关闭,配和好IGBT的传输特性曲线,找准VCE对应IC电流点的位置做阀值?我现在的电路非常简单,就是这样做的,但是没有批量生产,不知您对此有何建议?

您不贴出那个电路,我表示支持。

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2011-12-28 20:51
@独在水乡
**此帖已被管理员删除**

不会挂的,他没有标注基准参数,抗20US极有可能

1:他没有说VGE电压多高,

2:他没有说直流高压有多高

3:他没有说G极电阻多大。

在10US内都是有限制条件的,现在的低VCE On场截止的IGBT哪里还能抗10us,都在5us左右了。

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