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【原创】逆变H桥IGBT单管驱动+保护详解 [查看此贴精编版]
阅读: 32315 |  回复: 112 楼层直达

2011/12/28 15:49:06
1
lizlk[版主]
电源币:2473 | 积分:20 主题帖:65 | 回复帖:1061
LV10
司令

    【谢谢】这个帖子居然加分了,谢谢版主!

 

       这几天沉下心来专门给逆变器的后级,也就是大家熟悉的H桥电路换上了IGBT管子,用来深入了解相关的特性。

大家都知道,IGBT单管相当的脆弱,同样电流容量的IGBT单管,比同样电流容量的MOSFET脆弱多了,也就是说,在逆变H桥里头,MOSFET上去没有问题,但是IGBT上去,可能开机带载就炸了。这一点很多人估计都深有体会。当时我看到做鱼机的哥们用FGH25N120AND这个,反映很容易就烧了,当时不以为然。

只到我在工作中遇到,一定要使用IGBT的时候,我才发现我错了,当初我非常天真的认为,一个IRFP460,20A/500V的MOSFET,我用个SGH40N60UFD  40A/600V的IGBT上去怎么样也不会炸的吧,实际情况却是,带载之后,突然加负载和撤销负载,几次下来就炸了,我以为是电路没有焊接好,然后同样的换上去,照样炸掉,这样白白浪费了好多IGBT。

后来发现一些规律,就是采用峰值电流保护的措施就能让IGBT不会炸,下面我就会将这些东西一起详细的说一说,说的不好请大家见谅,这个帖子会慢慢更新,也希望高手们多多提出意见。

我们将这个问题看出几个部分来解决:

1,驱动电路;

2,电流采集电路;

3,保护机制;

 

一、驱动电路

这次采用的IGBT为IXYS的,IXGH48N60B3D1,详细规格书如下:IXGH48N60B3D1 

    驱动电路如下:

 

这是一个非常典型的应用电路,完全可以用于IGBT或者MOSFET,但是也有些不一样的地方。

1,有负压产生电路,

2,隔离驱动,

3,单独电源供电。

首先我们来总体看看,这个电路没有保护,用在逆变上100%炸,但是我们可以将这个电路的实质摸清楚。

先讲讲重点:

1:驱动电阻R2,这个在驱动里头非常重要,图上还有D1配合关闭的时候,让IGBT的CGE快速的放电,实际上看需要,这个D1也可以不要,也可以在D1回路里头串联一个电阻做0FF关闭时候的栅极电阻。

下面发几个波形照片,不同的栅极电阻,和高压HV+400V共同产生作用的时候,上下2个IGBT栅极的实际情况。

 

上面的图,是在取消负压的时候,上下2管之间的栅极波形,栅极电阻都是在10R情况下。

上面的图是在不加DC400V情况下测量2管G极波形,下图是在DC400V情况下,2管的栅极波形。

为何第二个图会有一个尖峰呢。这个要从IGBT的内部情况说起,简单来说,IGBT的GE上有一个寄生的电容,它和另外的CGC一个寄生电容共同组成一个水池子,那就是QG,其实这个和MOSFET也很像的。

那么在来看看为何400V加上去,就会在下管上的G级上产生尖峰。借花献佛,抓个图片来说明:

 

如上图所示,当上官开通的时候,此时是截止的,由于上官开通的时候,这个时候要引入DV/DT的概念,这个比较抽象,先不管它,简单通俗的说就是上管开通的时候,上管等效为直通了,+DC400V电压立马加入到下管的C级上,这么高的电压立刻从IGBT的寄生电容上通过产生一个感应电流,这个感应电流上图有公式计算,这个电流在RG电阻和驱动内阻的共同作用下,在下管的栅极上构成一个尖峰电压,如上面那个示波器的截图所示。到目前为止,没有引入米勒电容的概念,理解了这些,然后对着规格书一看,米勒电容是什么,对电路有何影响,就容易理解多了。

 

这个尖峰有许多坏处,从上面示波器截图可以看出来,在尖峰时刻,下管实际上已经到7V电压了,也就是说,在尖峰的这个时间段内,上下2个管子是共同导通的。下管的导通时间短,但是由于有TON的时间关系在里面,所以这个电流不会太大。管子不会炸,但是会发热,随着传输的功率越大,这个情况会更加严重,大大影响效率。

本来是要发出加入负压之后波形照片,负压可以使这个尖峰在安全的电平范围内。示波器需要U盘导出位图,这样清晰,今天发懒没有摸仪器了,后面再去补上去。


二,电流采集电路

说到这一步,就是离保护不远了,我的经验就是电流采集速度要很快,这样才能在过流或短路的时候迅速告诉后面的电路->,这里出问题了。让IGBT迅速安全的关闭。

这个电路该如何实现呢?对于逆变电路,我们可以直接用电阻采样,也可以用VCE管压降探测方式。管压降探测这个论坛里有多次讨论出现过,但是都没有一个真正能用,
真正实际应用过,测试过的电路(专用驱动芯片例外),这是因为每种实际应用的参数大不一样,比如IGBT参数不同,需要调整的参数很多,需要一定的经验做调整。


我们可以从最简单的方式入手,采用电阻检测这个电流,短路来了,可以在电阻上产生压降,用比较器和这个电压进行比较,得出最终是否有过流或者短路信号。

用这个图就可以了,因为原理非常简单,就一个比较的作用,大家实现起来会非常容易,没有多少参数可以调整的。

 

上图是采样H桥对地的电流,举个例子:如果IGBT是40A,我们可以采取2倍左右的峰值电流,也就是80A,对应上图,RS为0.01R,如果流入超过80A脉冲电流那么在该电阻上
产生0.01R*80A=0.8V电压,此电压经过R11,C11消隐之后到比较器的+端,与来自-端的基准电压相比较,图上的-端参考电阻设置不对,实际中请另外计算,本例可以分别
采用5.1K和1K电阻分压变成0.81V左右到-端,此时如果采样电阻RS上的电压超过0.8V以上,比较器立即翻转,输出SD 5V电平到外部的电路中。这个变化的电平信号就是我们
后面接下来需要使用的是否短路过流的信号了。

有了这个信号了,那我们如何关闭IGBT呢?我们可以看情形是否采取软关闭,也可以采取直接硬关闭。

采取软关闭,可以有效防止在关闭的瞬间造成电路的电压升高的情况,关闭特性非常软,很温柔,非常适合于高压大功率的驱动电路。


如果采取硬关闭,可能会造成高压DC上的电压过冲,

比如第一图中的DC400V高压可能变成瞬间变成DC600V也说不定,当时我看一些资料上的记载的时候,非常
难以理解:关就关了嘛,高压难道还自己升上去了?实际情况却是真实存在的。

如果大家难以理解,可以做个试验,家里有水塔的,最清楚,水塔在很高的楼上,水龙头在一楼,
打开水龙头,水留下来了,然后用极快的速度关闭这个水龙头,你会听到水管子有响声,连水管子都会要震动一下(不知道说的对不对,请高手指正,在此引入水龙头这个例子
还得感谢我读书的时候,老师看我们太笨了,讲三极管特性原理的时候打的比喻,在此我要感谢他),IGBT在桥电路的原理同样如此。在IGBT严重短路的时候,如果立马硬关闭
IGBT,轻则只是会在母线上造成过冲的感应电压(至于为何会过冲可以查阅相关资料,很多资料都说到了),管子能抗过去,比如你在直流高压母线上并联了非常好的吸收电容,
有多重吸收电路等等。。

重则,管子关闭的时候会失效,关了也没有用,IGBT还是会被过冲电压击穿短路,而且这个短路是没有办法恢复的,会立即损坏非常多的电路。有时候没有过压也能引起这种现象,
这个失效的原理具体模型本人未知,但是可以想象的是可能是由于管子相关的其他寄生电容和米勒电容共同引起失效的,或者是由于在过流,短路信号发生时候,IGBT已经发生了擎柱效应
就算你去关,关也关不死了。

还有第三种方式,是叫做:二级关闭,这种方式简单来说,就是检测到了短路,过流信号,PWM此时这个脉冲并没有打算软关闭或直接关闭,而是立即将此时刻对应的VGE驱动脉冲电压降低到8V左右
以此来判断是否还是在过流或短路区域,如果还是,继续沿用这个8V的驱动,一直到设定的时间,比如多个个us还是这样就会立即关了,如果不是,PWM将会恢复正常。这种方式一般可能见到不多,
所以我们不做深入研究。


理解了这些,我们可以看情况来具体采用那些关闭的方式,我认为在2KW级别中,DC380V内,直接采取硬关闭已经可以满足要求了,只需要在H桥上并联吸收特性良好的一个电容,就可以用600V的IGBT了。

关键的一点就是检测时候要快速,检测之后要关闭快速,只有做到了快,IGBT就不会烧。

 


(更新。。。。。。)打几个字,好累,高手们继续提出自己不同的见解!

 

(更新。。。。。。)打几个字,好累,高手们继续提出自己不同的见解!

标签 驱动 MOS/IGBT
2011/12/28 16:00:35
2
ta7698
电源币:2558 | 积分:1 主题帖:44 | 回复帖:2308
LV9
军长
说的不错,IGBT代MOS确实是有这样的问题,楼主继续,学习一下。
2021/01/14 17:39:04
122
半导吞金兽
电源币:0 | 积分:1 主题帖:3 | 回复帖:17
LV2
班长

老帖子,值得学习

2011/12/28 16:01:49
3
独在水乡
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LV5
营长
**此帖已被管理员删除**
2011/12/28 16:09:23
4
lizlk[版主]
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LV10
司令
楼上继续,坐等!
2011/12/28 16:12:40
5
lizlk[版主]
电源币:2473 | 积分:20 主题帖:65 | 回复帖:1061
LV10
司令

IGBT自身C-E短路后,如何处理? 

发生这种情况,一般都是不可恢复的故障,我们通常的做法是在HV+400V上加入一个保险,这是变频器的通常做法。

现实中商品机器,有的没有加入这个保险丝,有的是在桥路下部有一个MOSFET/IGBT做开关,没有加入到保险丝的时候,前级会炸。会损坏相当多的元件。

 

2011/12/28 16:18:36
7
独在水乡
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:85
LV5
营长
**此帖已被管理员删除**
2011/12/28 16:24:41
10
lizlk[版主]
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LV10
司令

模块除外,

实际上我认为保险的左右是为了,在IGBT有不可恢复的灾难性故障的时候,熔断,而不至于造成IGBT爆炸,现有的非常多的产品都是这样实现的,继电器的方式要解决许多问题,其中高压直流拉弧的问题,一般继电器用不了,只能用专用的继电器高DC直流电压的这种。

2011/12/28 19:02:48
22
萧山老寿[荣誉版主]
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LV9
军长
我有个问题,继电器的速度是否来得及?
2012/02/24 08:48:49
72
xzszrs[荣誉版主]
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LV11
统帅

后级没有保险丝的电路一般是后级MOS/IGBT炸了前后级的驱动都关闭了。只有整流管坏了才烧前级。

2011/12/28 16:15:28
6
lizlk[版主]
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LV10
司令

如果采用专用驱动芯片,比如HCPL316J.ACPL-330之类的芯片,由于芯片考虑了IGBT的所有情况,所有就有非常多的保护。

但是详细了解IGBT特性之后,将会对产品设计带来更好的效果,因为深层次的东西都了解了。

2011/12/28 16:19:03
8
SZLQ
电源币:125 | 积分:0 主题帖:5 | 回复帖:84
LV4
连长
继续。。。
2011/12/28 16:26:53
11
独在水乡
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LV5
营长
**此帖已被管理员删除**
2011/12/28 16:46:08
13
lizlk[版主]
电源币:2473 | 积分:20 主题帖:65 | 回复帖:1061
LV10
司令

告诉你吧,绝对不会炸整流器,这个保险丝放置的地方有学问的,看看变频器就知道了。

我再次说明,保护IGBT不是靠保险丝,保险丝只是最后一道门槛,防止IGBT爆炸或者冒烟。

我做了很多这种产品,DC低压输入从来不用放置什么保险,全部在高压保险,就算H桥全部直通,前级照样不坏,只会炸保险丝,升压不会产生任何影响。

2012/02/24 08:52:36
73
xzszrs[荣誉版主]
电源币:1729 | 积分:72 主题帖:103 | 回复帖:1826
LV11
统帅
低压没有保险丝,你不拍前级MOS坏了起火烧断铜皮?
2012/02/24 13:24:05
74
lizlk[版主]
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LV10
司令

回钟工:从实际出货来看,前级反而是最难损坏的部分,只要在前级上舍得下料,升压MOSFET用全新原装的,变压器功率余量留大一些,高压整流二极管用好的全新的元件,这3个部分注意好了,在后级直接短路的情况下,前级都不会烧,从坏的机器上来看,前级烧掉的很少很少,都是从高压往后的地方容易出问题。

2011/12/28 16:48:22
14
lizlk[版主]
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LV10
司令
靠继电器,也不能保护IGBT,你的方式只是在IGBT击穿之后,不让他炸开,或者起火而已,和保险丝相比不知道有什么优势,保险丝这个东西成熟,我没有在变频器上面看到用继电器搞的,当然有些有,也不一定。
2011/12/28 16:23:27
9
滔滔江水~~~
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LV7
旅长
2011/12/28 16:41:32
12
神舟八号
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LV8
师长
楼主继续专心听讲正好想学学IGBT驱动,买了几个二手的还不只到咋用?
2011/12/28 16:52:05
15
独在水乡
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:85
LV5
营长
**此帖已被管理员删除**
2011/12/28 16:57:41
16
独在水乡
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:85
LV5
营长
**此帖已被管理员删除**
2011/12/28 17:15:01
21
lizlk[版主]
电源币:2473 | 积分:20 主题帖:65 | 回复帖:1061
LV10
司令

我不明白你为何老是这么偏激,你看不进半点人家的意见,谁说了保护靠保险丝啊?和你沟通真是太难了,扯技术问题都这么难沟通,真搞不懂你。

我上面一再说明,保险丝是用来在IGBT击穿之后,不将故障范围扩大而已比如起火、爆炸之类,短路保护检测还得用别的方式来进行的。说了这么多,都是白扯,呵呵。

2011/12/28 17:01:47
18
lizlk[版主]
电源币:2473 | 积分:20 主题帖:65 | 回复帖:1061
LV10
司令

我明白你的意思,你放置继电器的作用是干嘛呢?不就是在IGBT击穿之后,不会造成其他的东西破坏而已嘛,如果只是这个简单的作用,为何不直接保险丝来的快,此时保险丝不是用来做保护的,而是用来在IGBT击穿之后,不会烧别的东西,这一点没有任何问题,不知道你明不明白。

以现在公司的产品方案,就算是H桥坏掉,直接短路,都只会烧保险,而不会烧升压MOS,高压二极管之类的东西。这一点,我相信很多人都体验了,因为很多人做了寿版的600W机器上就是这样,要是没有这个保险,前级升压MOS肯定坏掉。

IGBT短路保护,这个一定要有,也就是本贴接下来要做的保护相关的事情。由于短路保护,以及短路时候的检测都涉及多方面的事情,今天写不了啦,明天接着写。

 

2014/09/13 23:00:44
119
百能电器
电源币:2 | 积分:0 主题帖:18 | 回复帖:150
LV7
旅长
 lizlk 司令你好!首先说一下SGH40N60UFD这管子性能不好,在空载的情况下发热量比别的IGBT大许多!你遇上这种管子才会对IGBT有偏见!在大功率电源和一些变频器中绝大部分都用IGBT作功率元件!有些十几个KW电渡电源中的IGBT管的驱动都没用负压关断,但其使用寿命长得很。我的逆变器前级就没用保险和电流反馈保护,就用交流接触器做保护,现在用着很好!(以前也是保险丝加电流表反馈保护,在试验市电和发电切换时,烧了我很多次前后级管子,前级烧了很难看!并且有一次我在机器边看到前级烧时一切情况(前级烧时不是短路式烧,而是就像放鞭一样噼啪噼啪的声音并带火还冒烟),此时的保险丝只有0.8铜线,并且保险丝未烧!自从改接触器保护后,在切换还未搞好的情况下前级从未烧过!后来用交流接触器做好了切换后,一直用到现在都教学法坏过!
2012/01/14 16:21:40
63
416460973
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:5
LV1
士兵

我们实验室现在都用160驱动芯片,功率现在做到500KW了,五个模块并联,单模块电流150A,用的就是160这个芯片,很好用的,IGBT从来没出现炸管的现象,这个芯片能提供-15V关断的。还有一种我们现在用专门的IPM模块,我们做的3KW,5KW,10KW,50KW都用这个IPM模块,效果很好,只需要简单的驱动电路就可以了,就是造价很高,一般都用在军用逆变电源上。

2012/03/09 15:57:46
77
hewei13917084796
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LV1
士兵

老师,你们实验室现在需要叠层母线吧?我们是专做叠层母线的,有需要联系啊
13917084796

2012/04/21 17:44:12
84
wxwchzh
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LV2
班长
请问160驱动芯片的具体型号是什么?有时间还请告知一下,谢谢!
2012/06/13 12:13:40
102
154545169qq
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LV7
旅长

请教 你前面说到的上下2管出现同时导通的问题是如何处理的

2013/07/11 11:44:48
116
lulingsheng
电源币:0 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:4
LV2
班长
我是做伺服的,目前来说单管保护大部分都是用专用芯片来做的,效果很好也很稳定。对于公司来说,新研发的产品要的就是要快速和稳定,也许是现在中国企业的通病,产品开发的时间都比较短,没有那么多时间去慢慢搞研究,一个专用芯片10块,和采用其它方法可能只需要5块钱,就成本来说节省的不多,很少有人肯花时间去做这些研究
2011/12/28 17:00:22
17
tby2008
电源币:62 | 积分:3 主题帖:39 | 回复帖:969
LV9
军长

最近我也一直在搜集关于IGBT保护的方法,降栅压软关断技术还是比较先进的

IGBT做H桥后级,曾经看到过用mos和IGBT并联的事例,利用mos的拖尾短的优点,IGBT充当主功率管,当IGBT关掉后,mos要延时一会在关;

还有一种是上臂用IGBT  下臂用mos的

谈到IGBT和mos并用  曾经有过一个想法  来改善mos推挽电路的尖峰吸收问题

主mos并联按正常接法  同时并接一个副mos管承担吸收的作用

就是在这个副mos GS间并接合适的电容

当主mos先关断后  由于副mos的延迟作用  从而吸收尖峰电压

当然推挽驱动的前提是要有合适的死区时间,不然副mos只好牺牲了

2011/12/28 17:10:17
19
lizlk[版主]
电源币:2473 | 积分:20 主题帖:65 | 回复帖:1061
LV10
司令

嗯,高手终于出现了,看得出你也研究的非常久和非常多了。

软降栅压是在IGBT过流情况下的时候需要这个操作,因为在IGBT过流的时候,如果里面关闭,DI/DT会跳出来和引线,杂散电感一起感应出非常高的电压,造成IGBT击穿。挼关闭就可以解决这个问题。

除了软关闭,还有一种方式,就是二极关闭,这是另外的一种,这种技术可以将驱动特性做的非常硬,而且性能和软关闭一样好。

IGBT和MOS的组合,应用到非常多的地方就是大功率PFC的BOOST上的。这种方式很巧妙,做的好,效率很好,做的不好就会炸的很快。

H桥内有IGBT,又有MOS,一般在特定的机器上会出现,比如并网逆变器,通过一些高效的SPWM调制方式实现高效,低损耗,由于负载类型是单一,所以不需要考虑太多隐藏的因素。

希望高手们多多提出自己的意见,相互交流。

2011/12/28 19:11:27
23
萧山老寿[荣誉版主]
电源币:282 | 积分:28 主题帖:89 | 回复帖:274
LV9
军长

师傅,我的1000W机器,原先用的也是IGBT管G40N60,也烧过几次,貌视这个尖峰是相当危险的,所以,在没有用316J的情况下,我一般不敢用IGBT管了。青岛程工民也和我说,在大功率情况下,IGBT管的发热比MOS管小,我当时也觉得不可思议。

 

2011/12/28 20:31:16
27
lizlk[版主]
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LV10
司令

这几天我搜寻了一下IGBT专驱芯片,有几种非常值得推荐:

1,HCPL-316J

2,PC929,这个驱动大功率器件需要另外加图腾。

3,ACPL-332J、330J

4,其实AVAGO公司网上有许多种带VCE饱和检测的专驱芯片。

对于米勒电容引起的这个尖峰,致命的是在下管,实际上下管也会通过寄生电容引起上管的栅极电压过冲,不过是负向过冲,下管的是正向过冲,这个问题在MOSFET上可能会造成发热和随着功率加大,效率变得低下。

2012/06/13 12:25:12
103
154545169qq
电源币:41 | 积分:4 主题帖:28 | 回复帖:178
LV7
旅长
请教这个尖峰如何处理,最近我也在研究IBGT太容易烧管了
2012/03/02 21:06:01
75
345295362
电源币:419 | 积分:0 主题帖:15 | 回复帖:122
LV6
团长

老寿老师不早说,我就是按你的1000W方案做的H桥用40N60,应为经验少,烧了7只,其中2只烧的莫名奇妙,还未加驱动电压,想用12V电瓶先试机,结果接上电瓶就挂了2只,后来换上460之后从未出现过。

2011/12/28 17:11:50
20
独在水乡
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LV5
营长
**此帖已被管理员删除**
2011/12/28 19:55:08
25
qghqgh
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LV6
团长
请您帮我推荐个能长时间过DC400V10A的继电器看看?继电器跳也是要时间的.这时间足够炸管子了.
2011/12/28 19:35:32
24
btma
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LV8
师长
关注这个话题。IGBT的驱动和保护是一个专门的话题,有很多技巧。最有效的保护应该是在设计阶段就开始重视,防止发生功率管的损坏。至于已经发生故障了,要保护IGBT已经晚了,加保险、继电器都在时间量级上来不及,熔断器、继电器都是ms以上级别,一般IGBT穿通时就能抗20us内,加保险或继电器就是防止损坏的扩大。因此才有IGBT的驱动过流保护电路,希望在开始过流时就关断(含软关断)IGBT。
2011/12/28 20:32:29
28
lizlk[版主]
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LV10
司令
对的,只有检测在短路的瞬间,也就是在US级的时候软关闭IGBT,这样才能安全。
2011/12/28 20:38:19
29
独在水乡
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:85
LV5
营长
**此帖已被管理员删除**
2011/12/28 20:51:41
31
lizlk[版主]
电源币:2473 | 积分:20 主题帖:65 | 回复帖:1061
LV10
司令

不会挂的,他没有标注基准参数,抗20US极有可能

1:他没有说VGE电压多高,

2:他没有说直流高压有多高

3:他没有说G极电阻多大。

在10US内都是有限制条件的,现在的低VCE On场截止的IGBT哪里还能抗10us,都在5us左右了。

2011/12/28 20:19:33
26
ytwsdz
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LV8
师长

多几句话哈,不明白就当没看到,我们不是研究永动机的料哈,正题。

说到保护,有关书类有太多,西安那有个公司从那购了三大本有关功率器件的研究

有一天总于想明白了,保护千万不要多不要乱,如请保标一样,能着几个就可,多了没用,有谁能确保标的不变心不睡觉呢?同样在电路上也是一样。

问题还是在器件上,器件是厂家供给的,与理想总是有差别的,不可能不坏的,为了减小坏的故障率,就要给器件下半旗,留下余量是最好的办法。如非要超能力研究,烧管那是太对的起你了,应该烧。

做事有余量基本成就就快出来了,那为何还有烧的问题呢,前级!!!管子如人体一样,它张开口等着你给他吃什么,吃的不好就要有病了,所以严把入口关,这入口电源一定要做到细细细,内层函盖一个技术人员的心血,别小看这入口关,你自己亲手做的变压器或许可放心(做到家才可以),别人加工的你不能相信更不能永远相信是合格品!!!何况还有再生器件哈。

MOS与IGBT有着别,驱动是要调整的。那个G电阻多大是重要问题,防止共导产生的保护必须要有!!!电路中的相位一定要测量哈!

从后面设置的保护如同到医院化验一样泄后!不是强调的。

对于实际电路我也不能全推出来,点到为止。毕竟我要吃这碗饭,拍砖可以,粗口就让你,

电路简单是技术,从读完那三本书,爆出一些心血,再没用过什么保护芯片,什么乱七八糟的保标电路。

2011/12/28 20:48:44
30
lizlk[版主]
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LV10
司令

是啊,您说了很多重点,谢谢!

但是还有些需要您的指点:您在上面说了降半旗,这个降半旗的额度如何定呢?

因为IGBT通常标的参数都是在100度,或者120度下面的参数,与在25度下的电流相差甚大,实际如何选用IGBT呢?

我当时做过一个最成功的试验就是用SGH40N60UFD,这个管子是40A 25度下的,100度下才20A,逆变做220V/1000W阻性负载,由于有逐脉冲限流,高压在380V,短路也没有烧掉,是不是可以按照这个100度的电流比例来选用管子呢,这个问题我一直没有搞明白,请指教!

您是不是指的就是用分立的元件来实现VCE检测+软关闭,配和好IGBT的传输特性曲线,找准VCE对应IC电流点的位置做阀值?我现在的电路非常简单,就是这样做的,但是没有批量生产,不知您对此有何建议?

您不贴出那个电路,我表示支持。

2011/12/28 21:01:23
32
lizlk[版主]
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LV10
司令
电路图不要贴了,只要点拨一下,这效果比贴电路更好!
2011/12/28 22:19:08
33
独在水乡
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:85
LV5
营长
**此帖已被管理员删除**
2011/12/28 22:25:28
34
lizlk[版主]
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LV10
司令
你上面不就点拨了吗?用所谓的继电器啊。
2011/12/29 08:14:46
35
tongyemk
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LV4
连长

好火啊!IGBT要做到抗短路保护是个难题,但有了电流采样及CE保护不是什么做不到,而且你们输出的都是正弦波,做这点不是难事。当然我这是我的个人观点,高手继续发帖。

2011/12/29 08:20:24
36
lizlk[版主]
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LV10
司令
老兄,你也来了啊,很少看到你的身影啊,抗短路保护,你们基本上都不要考虑,因为你们做的东西用的一个元件都比我们做的整机玩意价格都高,你们追求高可靠性,我们东西有时候受限于成本问题,不得不用最简单的方式。
2011/12/29 12:57:51
42
tongyemk
电源币:20 | 积分:1 主题帖:6 | 回复帖:41
LV4
连长

呵呵···我看你们拼的很火···憋不主了!其实我们用小功率的模块也是一样啊,输出端短路还是挺完美的,最起码我目前没有发现短路烧IGBT的。

2011/12/29 13:24:12
43
lizlk[版主]
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LV10
司令

你们的东西当然完美啊,要是你们的东西不完美了,那中国真没有多少东西可以称之为完美了,你们用的专用驱动芯片,肯定炸不了。

我去过你公司很多次,不知道我们见过不?你们公司氛围很好,每次去都非常开心,丝毫没有技术压倒人的那种感觉在里面。

2011/12/29 15:08:59
45
tongyemk
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LV4
连长

呵呵···我们有专用的驱动芯片来做到逆变器是大功率的,我们做的3相输出220V2.2kW的也是用3120来驱动的啊,后极加滤波电感短路没任何问题。但不加滤波电感就O了。呵呵···

2011/12/29 09:34:04
39
清风819
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LV4
连长
高手吹牛!
2012/04/21 17:58:07
85
wxwchzh
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LV2
班长
您说的很精辟!不过,请问您说的三本书是什么,可否推荐给我们学习学习?
2011/12/29 09:06:41
37
hbzjcjw
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LV10
司令

发现很多人的语言理解能力真的有问题,楼主已经再三强调,加保险丝是防止“IGBT损坏后”再损坏其他无辜的元件,或引起火灾的作用。IGBT本身的保护根本不依靠它。

看过有种在线式UPS,在断电时先由SCR切换到电池,马上并入继电器。

作为一个设计者,要把很多细节联系起来,更不要盲目地否认别人,因为很多你看起来是很SB的做法,其实别人是有考虑的(哪怕真的有错误),你的盲目否认,可能还没有能考虑到别人的深度

2011/12/29 09:33:18
38
萧山老寿[荣誉版主]
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LV9
军长
师爷说得在理,这坛子没法泡了,“智商超高”的人太多。
2011/12/29 09:49:07
40
hbzjcjw
电源币:37 | 积分:0 主题帖:92 | 回复帖:1927
LV10
司令

师爷…… 土匪的狗头军师

2012/06/13 12:36:29
104
154545169qq
电源币:41 | 积分:4 主题帖:28 | 回复帖:178
LV7
旅长
四川人最爱用的词(猪脑花) 有些人真的是诶
2011/12/29 22:16:51
50
独在水乡
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:85
LV5
营长
**此帖已被管理员删除**
2011/12/30 00:19:52
51
渔公鸟
电源币:2 | 积分:0 主题帖:45 | 回复帖:338
LV8
师长

你才真正无敌哦!

2011/12/30 08:47:37
52
独在水乡
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:85
LV5
营长
**此帖已被管理员删除**
2011/12/30 11:06:47
53
hbzjcjw
电源币:37 | 积分:0 主题帖:92 | 回复帖:1927
LV10
司令
他是“一般一般,世界第三”
2012/06/05 09:24:24
97
1895290
电源币:0 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:39
LV4
连长

赞赏这句话!——你的盲目否认,可能还没有能考虑到别人的深度!

 

2011/12/29 09:56:19
41
hbzjcjw
电源币:37 | 积分:0 主题帖:92 | 回复帖:1927
LV10
司令
不懂这论坛推那多新版主,我张老弟为什么一直没入围什么世道。以张工的技术和人品,特别是人品,试问论坛有几人能敌!
2011/12/29 13:34:54
44
selina1983
电源币:0 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:67
LV4
连长

好帖

2011/12/29 15:16:50
46
神舟八号
电源币:35 | 积分:0 主题帖:18 | 回复帖:512
LV8
师长
  张工继续讲啊?我这玩意还不知道咋用呢?
2011/12/29 15:50:32
47
lizlk[版主]
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LV10
司令

接下来要说最重要的VDS管压降探测和保护的问题了,但是不知道如何写下去了。

涉及的问题太多,需要理顺一下思路,不然可能会误人的。不然又会招人骂来骂去的。

2011/12/29 18:51:07
48
tongyemk
电源币:20 | 积分:1 主题帖:6 | 回复帖:41
LV4
连长

用棍子·····顶起

2011/12/29 19:58:37
49
lizlk[版主]
电源币:2473 | 积分:20 主题帖:65 | 回复帖:1061
LV10
司令
兄弟,还是你说说比较好些,你弄这个才有经验,我搞的都是皮毛而已啊。
2012/06/13 12:39:38
105
154545169qq
电源币:41 | 积分:4 主题帖:28 | 回复帖:178
LV7
旅长
人非圣贤,理解在别人,还得感谢你的讲解受益良多啊
2012/01/04 10:58:08
59
andy0831
电源币:90 | 积分:0 主题帖:21 | 回复帖:24
LV4
连长
长见识了
2011/12/30 16:18:38
54
yuleyingshi
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LV5
营长
学习了
2011/12/31 10:04:17
55
功率器件代理分销
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:101
LV5
营长

过来学习下

 

QQ:731176284

2012/01/01 10:44:46
56
czlw888
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:426
LV7
旅长
楼主这次的拟题很好,值得好像讨论讨论。顶一下!
2012/01/01 10:51:02
57
czlw888
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:426
LV7
旅长
其实,igbt也不一定要用专用的驱动模块或光耦驱动,很多时候,用驱动变压加一定的“无源”负压也可做得不错。还有,本次老删一位回帖者的回复是怎回事?
2012/01/02 16:08:24
58
鱼鳅猫
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:159
LV5
营长

学习!

2012/01/04 18:04:02
60
功率器件代理分销
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:101
LV5
营长

2012/01/05 08:27:54
61
wu283326736
电源币:133 | 积分:0 主题帖:5 | 回复帖:23
LV3
排长
学习了
2012/01/06 22:59:40
62
mingchao
电源币:86 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:33
LV3
排长

楼主自己真的动手做了 呵呵

2012/01/14 16:26:27
64
416460973
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:5
LV1
士兵

我一直关注您的贴子,看看都什么号东西,我一直想找机会来做这个纯硬件的逆变器,一直没有机会,只能关注一下了,我们都是用DSP,ARM这些MCU来做的,造价很高,但是稳定性很好,国标和军标的测试也都能通过,就是需要编程序,做够了,想换个思路来做一些这些逆变器,我去深圳做测试的时候有幸见到了一些国内做的逆变器,BYD做的逆变器不错,他们现在做UL认证呢,东西做的非常好!

2012/01/19 14:25:53
65
宛东骄子[版主]
电源币:670 | 积分:15 主题帖:82 | 回复帖:1099
LV9
军长

张兄的强贴现在才来顶贴,实在失礼,我也来说说看法。

从H桥的结构来看,对角的开关管是串联关系,那么他们的等效电流也是相同的。对于驱动结构的可操作性来说,习惯上把主要的保护都做在了下管。

有两个部分不得不说

1,是负压驱动部分,我觉得这个负压驱动是为了防止由米勒效应引起IGBT的不可控的可控硅效应,动态的擎柱效应。这个米勒效应由于H桥的结构,自然而然的落在下管的身上,所以,我觉得负压很有比要加在H桥的两下管。

2,软降栅压部分,上面说到由于H桥管是对角串联关系,所以只要控制其中一只管子的电流,整个串联回路的电流也就下来了。为了设计的方便操作性,一般把这个软降栅压的电路设计在了桥臂的下管。

综上来看,本人觉得H桥用IGBT做开关管必须的配置是,两下管的负压驱动,和两下管的软降栅压保护部分。

当然,其他的保护也是必须的,不再赘述。

以上属个人看法,请朋友们指正。

2012/01/19 18:53:26
66
萧山老寿[荣誉版主]
电源币:282 | 积分:28 主题帖:89 | 回复帖:274
LV9
军长
我看过一些变频器,二个上管驱动用250,没有保护的,二个下管用316J,有保护的,张版所说应该对的。
2012/01/20 11:40:58
67
老矿石
电源币:134 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:286
LV7
旅长

祝老寿新年愉快!

IGBT在做大功率时是不错的东西,我也试了几次还没有找到方法,炸了几个管子。

2012/04/20 10:15:02
83
sinba
电源币:2 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:25
LV3
排长

变频器上IGBT使用下管316j做保护;个人的理解是这样的:

316j要做VCE保护的话,只有在316J除以开通时,也就是工作时才能做保护。不知道您说的用于对米勒电容的保护是不是有效。

米勒电容的情况;应该是在上管开通的情况下,对下管的印象。根据316J的特性这时候应该对VCE电压检测,也并不做保护。

  这是我个人的理解;不知道是否正确。

 

 

2012/06/13 12:44:56
106
154545169qq
电源币:41 | 积分:4 主题帖:28 | 回复帖:178
LV7
旅长
我在废品站也找到块扳子,3相的下管用的316 上管用的也是250  不过都加了图腾柱
2012/01/31 00:32:49
68
宛东骄子[版主]
电源币:670 | 积分:15 主题帖:82 | 回复帖:1099
LV9
军长

 

此图纸是用IR2110(3)加上软降栅压组成的IGBT驱动H桥的草图,请大家评估一下可行性。

2012/01/31 12:37:25
69
tby2008
电源币:62 | 积分:3 主题帖:39 | 回复帖:969
LV9
军长
应该加入驱动延时锁定功能:假设在软降栅压过程中,驱动突然出现关断信号,那么软降栅压无疑就是失败的。
2012/05/31 15:17:32
95
LHHB_2010
电源币:0 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:22
LV3
排长
2012/02/09 13:38:12
70
fbhsy
电源币:12 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:3
LV1
士兵

学习...

2012/02/22 14:45:11
71
hw865
电源币:2 | 积分:10 主题帖:0 | 回复帖:257
LV6
团长
关注·
2012/03/09 11:55:32
76
bett
电源币:787 | 积分:5 主题帖:49 | 回复帖:437
LV7
旅长
顶一下,很不错。
2012/04/11 11:07:13
79
ker304
电源币:31 | 积分:3 主题帖:2 | 回复帖:47
LV4
连长
果然好帖 深入的分析 浅出的讲解 可谓科普贴
2012/04/11 21:11:16
80
ximeng
电源币:0 | 积分:4 主题帖:30 | 回复帖:233
LV7
旅长
2012/04/19 09:55:09
81
awfdxqqqq
电源币:111 | 积分:0 主题帖:5 | 回复帖:95
LV5
营长

各位好,我司是出华瑞MOS 进口原装的,IXYS的IGBT,可接受订货,主要应用逆变器、UPS电源等升压和H桥电路的,从20V-900V规格都有,封装型号齐全,几十V低压是我的的优势,欢迎大家来电咨询。 QQ765287326   

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2012/04/19 20:31:19
82
myship01
电源币:338 | 积分:0 主题帖:20 | 回复帖:98
LV5
营长
好贴,要顶起
2012/04/24 15:13:57
86
tlc0927
电源币:164 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:10
LV2
班长

好,太长见识了,冒昧的问问您,功率管炸管的时候会伤人吗?危险性大吗?

2012/05/04 21:52:43
87
hxdq
电源币:0 | 积分:0 主题帖:12 | 回复帖:23
LV4
连长

我自己用的一款短路保护电路,原理很简单,也是用检测管压降来做保护的。

2012/05/17 16:38:26
88
jsjjsj235
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:62
LV4
连长

我是一个逆变电源爱好者,不知道张工是否解剖过台湾cotek品牌的逆变电源没有(纯正弦波),后级H桥采用的是G40N60,我单位从05年开始使用,单位使用了8台,从前年开始,我又陆续推广了20多台电源(基本都是24V1500w的纯正弦波逆变电源,个别12V的),这种电源故障率很低,使用最久的到现在没有损坏,损坏的个别机子坏的地方有的是高压电容(爆浆,爆浆后导致400v短路,但是没有引起新故障),H桥炸管的很少,还有个别的是前级24V输入保险丝坏,G40N60在坏的机子里面不到百分之30,我由于水平有限,无法提供这种机子的电路图,只有一台台的电源。希望张工参考一下这个品牌的逆变电源设计,相信能提高你的技术水平吧(估计买电源解剖要小颇费一下了,呵呵)。

特别说明:我们使用的环境是野外(石油测井车),环境很差,灰尘大,湿度大,颠簸大,就是这样的环境,电源还很耐用,可见质量很好啊。

声明:我不是在推销cotek电源,我跟这个厂家没有半毛钱关系,只是感觉人家的质量特好才让你参考一下哟。

2012/05/18 13:38:40
89
lizlk[版主]
电源币:2473 | 积分:20 主题帖:65 | 回复帖:1061
LV10
司令

恩,我见过这个逆变器,他们的机器我非常认同,基本上都是IGBT的后极,品质非常不错,我有次非常荣幸的打开了他们的一款3000W的机器,看到了内部的东西非常复杂,基本上不是市面上和淘宝上见到的那种垃圾做工。

当时我从他们的结够、电路TOP,用料情况,器件参数做了很详细的研究和记录,控制板我没有去弄开,因为他们控制板都涂了硅胶的,对他们的接口都看了一下,基本上对于核心的东西不要错过就行,对很多东西都基本上研究一遍了。

现在我做的机器都是从那以后改进过来的,电路做了大量的精简和优化,现在我的IGBT机器已经符合我的期望了,都能够符合我的理想要求,对于高可靠性品质都是需要花费大量的精力与时间产品需要一代又一代的升级来完成的。我的目标是用非常好的性价比机器提供最高的可靠性产品,这一目标现在我已经完成了。

所以我一直说,技术永无止境,需要站在巨人的肩膀上才能看到更远,和走的更远。

小声说一下:那个3KW的机器,我花了8700大元买回来的,他们的机器贵吧,呵呵,我从来不心疼小钱,因为一点小钱可以给你带来长久的好处。

 

2012/05/18 15:57:13
90
jsjjsj235
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:62
LV4
连长

张工果然是搞技术的人,佩服。这个cotek电源做工很好,就是特保守啊,控制板就是封死的,解剖就完全破坏了。并且这台机子保护功能很完善,输出波形也特漂亮,没有一点干扰,我专门对比过国产的便宜电源,波形干扰很大。我买的1500w的电源,带1500w满载一点不费力。不知道张工现在在哪里高就?做的什么业务?我是在陕西延安地区搞测井仪器维修的,我的qq是1429224826,希望向你多学习啊。如果还想再解剖cotek电源的话,我可以送给你一台12V1500W的。

2012/05/18 17:08:48
91
fangs-520
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵
非常好的学习贴,谢谢各位了
2012/05/18 17:21:53
92
lizlk[版主]
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LV10
司令

呵呵,你好,很高兴认识你,我现在  在自己做这些逆变电源,它那个是做通信电源和PSU电源的,所以他们有很深的技术背景,所以做的很好,我很喜欢他们的东西,所以从中间学到了很多东西,咱们QQ上聊聊,我稍后加你。

2012/05/23 21:58:47
93
zhan_2012
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LV1
士兵

据说张工还有淘宝店?给个链接区买点材料也好啊,另外还需提供点技术支持,哈哈。。。。

2012/05/28 09:50:09
94
kamefox
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LV1
士兵
关于米勒电容在上管pwm过程中,造成下管栅极出现尖峰我也遇上过,造成的结果就是mos管上的开关损耗变大,试了很多方法,效果都不好,应该说是没有效果,关键点就是如何把dV/dt减小。
2012/06/05 09:06:04
96
1895290
电源币:0 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:39
LV4
连长

楼主,解解渴

2012/06/05 09:40:25
98
1895290
电源币:0 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:39
LV4
连长
张工,您的500W设计中,在功率放大部分MOS管的两端,并联一只UF4007就可以啊,干吗用两只呢?况且IRFP460内部有体二极管?
2012/06/06 10:23:04
99
1895290
电源币:0 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:39
LV4
连长

期待中。。。。。。

2012/06/07 09:25:13
100
afei_hefei
电源币:580 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:153
LV5
营长

这个尖峰有许多坏处,从上面示波器截图可以看出来,在尖峰时刻,下管实际上已经到7V电压了,也就是说,在尖峰的这个时间段内,上下2个管子是共同导通的。下管的导通时间短,但是由于有TON的时间关系在里面,所以这个电流不会太大。管子不会炸,但是会发热,随着传输的功率越大,这个情况会更加严重,大大影响效率。

本来是要发出加入负压之后波形照片,负压可以使这个尖峰在安全的电平范围内。示波器需要U盘导出位图,这样清晰,今天发懒没有摸仪器了,后面再去补上去。

可是我的这个尖峰比平台电压还要高?怎么办呢?

2012/06/07 10:34:19
101
wangs1225
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LV2
班长
兄弟,这不是IGBT的问题,IGBT的额定电流是随着开关频率的升高而降低的,如一只IGBT的的额定在8kHz时的额定电流为70A,在20kHz时其额定电流可能下降到30A了,所以肯定会炸管的!简单的说不能直接代换,除了关注额定电流还得看开关频率!
2012/06/15 01:14:11
107
chinomango
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LV2
班长
  

这个帖子的争论对俺帮助很大。我同意楼主的办法。可是版主为啥把那谁的帖子都和谐掉呢?咱们的境界是否该比ZZ局高些?

上图是TL250,如果它设计无误下IGBT管关断时由于推挽下管导通,IGBT G极电压不该高的,不然可以再加一级推挽。附带说,这个该比TLP250好:http://www.vishay.com/docs/82371/vo3120-cn.pdf

“这个失效的原理”: 双极管有二次击穿的问题大家都知道但可能会实际的忽略掉。一次击穿后即便去掉激励(断开激励脚)管子电流还是会雪崩直到永久性损坏,这个可以观察到的,而且可以是几秒的量级足够你切断电流通道不至于烧管。IGBT的后半就是双极结构。MOSFET没有二次击穿因此比较可靠。双极管的保护主要的还是别超过电流、耐压和功率,而且在最差条件下只用60%的额度,军品只用30%额度。其实60%即便对整流管也是合适的。

“连水管子都会要震动一下”这个叫水锤效应,严重时管子破裂。在电路中是由于楞次定律=电感电流不能突变。这个大家都知道但也是会忽略。手拿1.5V干电池去接通日光灯镇流器线圈,断开的时候你就知道是怎么回事了。因此关断电流时你一定要看一下设计让它构成通路,没法加通路就加吸收回路。

“在大功率情况下,IGBT管的发热比MOS管小”,这个看管压降就知道,这是IGBT的主要优点。

2012/06/19 20:20:39
108
eden7
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LV2
班长

谢谢分享~

2012/12/29 17:16:30
114
aaron96031
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LV3
排长

谢谢分享,支持

2012/07/30 09:41:14
109
eden7
电源币:0 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:9
LV2
班长

在校研究生一个,看了楼主的帖子,收益丰厚,没有什么实战经验,学习了~万分感谢~

2012/10/11 16:03:04
110
zhaoyao
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:12
LV2
班长
关于米勒电容张工说的很好,我也学习了好久.查了好多资料,张工说的很好值得我们学习,切莫意淫.张工继续啊.
2012/12/26 14:48:00
111
SHULILEI
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:15
LV2
班长

你好 本人菜鸟有几个问题想请教

1.负压本身不就是为了解决MOSFET米勒效应造成的上下桥臂互通现象的吗?为什么说那个负压电路一定会100%炸呢?

2.想请教下这个负压电路开通时候电源回路是不是这样的从18V开始经过R2然后经过上臂MOSFET的结电容然后经过稳压管回地?如果是这样有个问题想请教稳压管可以承受MOSFET上流过的电流吗?还是说这个稳压管要很大功率的

3.我见过别人的四个TLP350做的逆变器也很稳定啊,没见到有什么特殊保护也没问题啊,不过他在每个管子上都加了吸收,您觉得必须加电流保护吗?

 

2012/12/27 15:12:21
112
xiaoxuan2012
电源币:0 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:4
LV1
士兵

除了加负压抑制尖锋高度,还有没有别的抑制方法?

还有电阻检测比较器比较短的RC低通滤波 应该有时间要求。

2012/12/28 10:11:16
113
hanhaifeng
电源币:23 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:65
LV4
连长
顶楼主,论坛应该多些这样的好教程。
2013/06/20 15:18:45
115
Captain_Henry
电源币:5 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:6
LV2
班长
楼主你好,我用的示波器也是普源的,现在遇到的问题是不知道怎么测IGBT工作时的波形,第一个是示波器的电源是用市电还是电池,第二IGBT的CE极500V的电压能不能用一个分压电阻把电压降到10V以下再测,还是用高压探头测,不知道您用的哪种方法?供小弟借鉴一下
2013/07/14 22:13:49
117
tgnui
电源币:22 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:15
LV3
排长
 也不知道你测了没有,一般的示波器与电网共地(TPS2014四通道隔离,大杀器,呵呵),在功率测量中,接着示波器上电,容易炸管子,就是这个原因;解决方案,示波器前加隔离变压器,或用电池;高压测量看探头,衰减10倍(泰克的为例),一般输入30Vrms,差不多测300Vrms,也就说用探头测工频电压220无问题,再高就要用高压探头,或者测采样电阻之类的降压,请不吝赐教
2014/09/11 22:18:41
118
niuzhensongzhensong
电源币:2 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:187
LV5
营长

我正在做3000W的逆变电源,这个尖峰大的吓人,特别是带感性负载。请高手,详解以下,

除了加负压抑制尖锋高度,还有没有别的抑制方法?

 

2014/09/19 15:53:03
120
河北小宋
电源币:19 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:194
LV6
团长
学习了!讲得真好!
2020/09/24 20:00:27
121
waveway
电源币:3 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:14
LV4
连长
感谢楼主分享!!
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