12V /24V调试炸单边75N75
我做的电路是2对75N75,加上吸击峰电流和2200UF63V滤波电容用带7815的3525驱动板,图腾是882和772,频率是23.8KHZ,两边驱动电压都是6.5V,变压器是EE65,4+4 次级是133匝,输出800V的交流,桥式整流,电容用两并两串,一共8个470UF/450V,用直留电压表测得电容两边电压有1200V,单硅后级,硅用一个40TPS12,用12V时可以带500W小太阳灯,空载24V时是没有问题的,但后级接上500W小太阳灯后再接上24V驱动通电,马上炸单边两个75N75,第一次试机是用200W灯的,一下就烧断了灯丝,换上前级新管和电阻后来再试就开始这样了,是什么原因呢?后级的电路检查过没有问题,硅也没有事就是用24V供电就不行,有没有好用的管介绍一下,WO12L54F这只场管不知道怎样?网上查不到数据
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@jiajia2003
我刚买了20个TO-247封装的拆机IRF3710和20个TO-247封装的WO12L54F,不知道用那个比较好,听说WO12L54F可以直接代用IRFP150的,数据查不到,打算2000W的功率,用多小对合适,后级电容现在改用两个拆机黑金刚450V470UF的算了,2000W会不会电解电容大了点,前级电压高了,场管也受不了反峰电压,变压器输出也做了调整,现在打算用先用300V和350V这两个档,还有一个档是420V档的后级整流用倍压不知道只用两个电容会不会爆?
IR | 型号 | WO12L54F | |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 最大漏极电流 | 1(mA) |
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@tvro
IR型号WO12L54F种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途DC/直流封装外形SMD(SO)/表面封装材料N-FET硅N沟道开启电压1(V)夹断电压1(V)跨导1(μS)极间电容1(pF)低频噪声系数1(dB)最大漏极电流1(mA)
谢谢 tvro的指点,那种管的耐压是不是120V 54A呢?是否可以直接用来做24VJJ,应该用几对余量大点?470UF的电容会不会大了点?
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