新手，初入江湖，第一次发帖，不恰当的望各位大侠多多包涵，多多指点。
对于通信电源的DC-DC模块，大部分都是将输入48VDC 变成12V或者更低低压DC，为了提高效率（一般都在90%以上），很多人采用的是PWM控制加half-bridge方案，还加一个平面变压器，次级电路是一个带中心抽头的全波整流电流，如果输出功率在100W以下并且是大电流输出，一般采用power mosfet，而不是使用二极管，否则损耗过大，影响效率。
对于这两个次级的开关管必须要做到同步驱动，根据所选择的PWM芯片和变压器设计方案的影响有不同的选择方式。以下是个人所遇到的比较常用的一些方法小结：
如果芯片比较简单的只是输出PWM波形，就是不输出同步的SR波形，我们通常需要自己来产生同步驱动波形。
一种是在绕变压器的时候在次级多添加一圈绕组，然后通过双肖特基二极管串联一个小电阻再并联一个大电阻一种推挽电路来同步驱动（想直接上传图片，但是不知道怎么弄）。还有一个差不多的方案就是在绕变压器的时候在两边分别增加一圈绕组，用差不多的电路来驱动，这两种方案的区别在于中心抽头的输出不一样，前者输出接高电平，后者接地。还有一种就是交叉相互驱动，就是用高压绕组去驱动低压绕组所连接的mos管，。但是如果mos管的耐压值有限就不能直接驱动，需要通过加LDO降压到适宜的电压来驱动，这就需要在用两个mos管或者三极管来做一个LDO电路，从中心抽头拉一个驱动电压，在窜上一个稳压管来保证驱动电压的可靠。这种电路做出来或有加多谐振干扰，而且不容易消除，但是看具体对设计效率的影响多大在选择。这样设计的好处是在设计变压器的时候对PCB的层数要求就低了。
如果芯片有直接的SR输出一般要通过隔离驱动的方式来保证次级开关管开关的速度，这就需要变压器绕很多层，比较麻烦。不用隔离驱动的话，需要另外加一个驱动模块来驱动SR的mos管，很少有直接从芯片上拉过去驱动的，因为这样次级的mos管对于芯片的SR引脚相当于悬空的，没有参照的地，这就使得次级mos管驱动的能力不够，如果把前级和次级的地连接起来就起不到隔离的作用了。
以上这两种方法各有千秋，根据设计的精简程度来选择不同的方案比较好。
