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MOSFET驱动电路应用实例

HOMSEMI POWER MOSFET驱动电路应用实例
1.主要参数及特性
MOSFET是由电压控制型器件,输入栅极电压VG控制着漏极电流ID,即一定条件下,漏极电流ID取决于栅极电压VG。极限参数有:最大漏源电压VDS、最大栅源电压VGS、最大漏极电流ID,最大功耗PD。在使用中不能超过极限值,否则会损坏器件。主要电特性有:开启电压VGS(Th);栅极电压为零时的IDSS电流;在一定的VGS条件下的导通电阻RDS(ON)。
2.基于开关电源IC3843驱动电路
 

HS70N06 VGS一般3.1V就可以完全开启,也有很低的导通电阻RDS(ON),像3843这类内部带图腾柱驱动电路的IC一般都可以很轻松的驱动它.栅极电阻的选择范围也比较大,一般可以从几欧到几百欧.
3.基于MCU图腾驱动电路
 

MCU的工作电压都比较低(一般都在5.5V以下),不能直接驱动HS80N75或者说驱动能力很差.所以我们一般选择增加外部图腾驱动电路.
4.基于逆变器输出驱动电路
 

5.基于HID安定器全桥驱动电路
 

6.基于DCBL马达驱动电路
 

在这种通电方式里,每瞬间均有三只MOSFET通电.每60o换相一次,每次有一个MOSFET换相,每个MOSFET通电180o.  
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2011-11-09 16:56
支持支持,值得细看
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HOMSEMI
LV.1
3
2011-11-16 09:24
@qq89514022
支持支持,值得细看
谢谢支持,给了我一如既往做下去的动力
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HOMSEMI
LV.1
4
2011-11-17 09:30
@qq89514022
支持支持,值得细看
谢谢捧场,HOMSEMI会继续在电源网与大家一起分享我们的经验.也希望我可以抛砖引玉,得到各位同仁的指点不足
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2011-11-18 09:42
@HOMSEMI
谢谢捧场,HOMSEMI会继续在电源网与大家一起分享我们的经验.也希望我可以抛砖引玉,得到各位同仁的指点不足
顶下,我想请教下,用MCU驱动的大功率MOS管(VGS为3—10V),上面的MCU驱动电路3有问题没?
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HOMSEMI
LV.1
6
2011-11-18 14:03
@海里游着的猫
顶下,我想请教下,用MCU驱动的大功率MOS管(VGS为3—10V),上面的MCU驱动电路3有问题没?
用MCU加图腾驱动POWER MOSFET肯定是没有问题.还要更正下的是,通常的大功率MOS管 VGS都是+-30V的
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luyonfe
LV.2
7
2011-11-23 10:23
@HOMSEMI
用MCU加图腾驱动POWERMOSFET肯定是没有问题.还要更正下的是,通常的大功率MOS管VGS都是+-30V的

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cheng111
LV.11
8
2011-11-23 19:33
@HOMSEMI
用MCU加图腾驱动POWERMOSFET肯定是没有问题.还要更正下的是,通常的大功率MOS管VGS都是+-30V的
这个电压也不能太高,太高驱动损耗大。
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2011-11-23 20:14
跟你学习了
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HOMSEMI
LV.1
10
2011-11-29 22:00
@cheng111
这个电压也不能太高,太高驱动损耗大。
是的 cheng111 说的不错,所以在一些更高电压的场合我们会在GS之间再加一个12V或是15V的稳压管.=-30V是GS的极限电压,实际应用中12V的电压就可以很地驱动了
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ctx1211
LV.7
11
2011-11-30 07:39
@HOMSEMI
谢谢捧场,HOMSEMI会继续在电源网与大家一起分享我们的经验.也希望我可以抛砖引玉,得到各位同仁的指点不足
LZ继续更新
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cheng111
LV.11
12
2011-11-30 23:05
@HOMSEMI
是的cheng111说的不错,所以在一些更高电压的场合我们会在GS之间再加一个12V或是15V的稳压管.=-30V是GS的极限电压,实际应用中12V的电压就可以很地驱动了
期待LZ继续更新。
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