• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

48V0.5A.。。。无Y。。变压器绕制。。。。。

48V0.5A.。。。无Y。。变压器绕制。。。。。

已经通过EMI了。。。。

有个问题就是变压器。。。

打底的线径是越小越好。。。。还是越粗越好？？？

这次是把打底的线径变大了一倍才过的。。。。

寻求高手解释。。。。。

全部回复(25)
正序查看
倒序查看
曾永进515232
LV.5
2
2011-09-23 10:18

我认为跟线径粗细没有关，跟圈数有关。同一骨架，线粗了，圈数少了，线细了，圈数多了。

0
回复
dxsmail
3
2011-09-23 12:44
@曾永进515232
我认为跟线径粗细没有关，跟圈数有关。同一骨架，线粗了，圈数少了，线细了，圈数多了。

打底层。。。

别人的经验是：越细越好。。。。

但是这一次是：从0.25*2改为0.5的打底。。。就OK了。。。

我被搞糊涂了。。。

0
回复
电源网-源源
LV.10
4
2011-09-23 15:39
加下关注  帮你顶下
0
回复
amonson
LV.8
5
2011-09-23 23:02
越平越好
0
回复
zhongjiang520
LV.4
6
2011-09-24 07:52

线径是越小传导相对来讲教好，但是线径是越粗辐射比较好，所以要折中。

0
回复
zhongjiang520
LV.4
7
2011-09-24 08:05
@dxsmail
打底层。。。别人的经验是：越细越好。。。。但是这一次是：从0.25*2改为0.5的打底。。。就OK了。。。我被搞糊涂了。。。
这种现象我也 遇见过，但是你这样绕，线包不会太饱呢？
0
回复
javike
8
2011-09-24 08:10

线径粗，屏蔽线圈的内阻就越小，屏蔽效果会好，抑制涡流的效果也会强些。

0
回复
dxsmail
9
2011-09-24 11:24
@javike
线径粗，屏蔽线圈的内阻就越小，屏蔽效果会好，抑制涡流的效果也会强些。

好像就是这样解释。。。。

打底跟输出绕组，匝数很相近。。。都是24匝。。。。不懂有没有关系。。。。


0
回复
dxsmail
10
2011-09-24 11:25
@zhongjiang520
线径是越小传导相对来讲教好，但是线径是越粗辐射比较好，所以要折中。
这次相反。。。传导变好了。。。。
0
回复
dxsmail
11
2011-09-24 11:27
@zhongjiang520
这种现象我也遇见过，但是你这样绕，线包不会太饱呢？
是有点饱，但刚好绕得小。。。EE25的磁芯。。。。
0
回复
cheng111
LV.11
12
2011-09-24 11:31
@javike
线径粗，屏蔽线圈的内阻就越小，屏蔽效果会好，抑制涡流的效果也会强些。
学习了，顶
0
回复
dxsmail
13
2011-09-24 11:35
@电源网-源源
加下关注 帮你顶下
感谢源源。。。
0
回复
嘉诚
LV.2
14
2011-09-24 11:40
@dxsmail
好像就是这样解释。。。。打底跟输出绕组，匝数很相近。。。都是24匝。。。。不懂有没有关系。。。。
继续关注
0
回复
javike
15
2011-09-24 11:46
@dxsmail
好像就是这样解释。。。。打底跟输出绕组，匝数很相近。。。都是24匝。。。。不懂有没有关系。。。。

除了内阻的影响，磁芯气隙测试的涡流没有完全被屏蔽掉的，涡流的穿透深度也会影响到屏蔽的效果，线径粗的，相当于屏蔽层厚些，对涡流的抑制会更强。。。

0
回复
dxsmail
16
2011-09-24 12:09
@javike
除了内阻的影响，磁芯气隙测试的涡流没有完全被屏蔽掉的，涡流的穿透深度也会影响到屏蔽的效果，线径粗的，相当于屏蔽层厚些，对涡流的抑制会更强。。。
我以前，我试过两层打底，其实那时候一点影响都没有。。。。
0
回复
dxsmail
17
2011-09-24 12:11
@dxsmail
我以前，我试过两层打底，其实那时候一点影响都没有。。。。
这次的绕法，是很正常的顺序绕法。再加打底而已。。。。就打底的线径加粗了。。。。
0
回复
dxsmail
18
2011-09-24 12:18
@dxsmail
这次的绕法，是很正常的顺序绕法。再加打底而已。。。。就打底的线径加粗了。。。。
连铜萡屏蔽都没用。。。。余量还有4个DB。。。。
0
回复
dxsmail
19
2011-09-24 12:29
@dxsmail
连铜萡屏蔽都没用。。。。余量还有4个DB。。。。
跟先前0.25*2打底相比较下降了7-8个DB。。。。
0
回复
amonson
LV.8
20
2011-09-25 17:39
@javike
除了内阻的影响，磁芯气隙测试的涡流没有完全被屏蔽掉的，涡流的穿透深度也会影响到屏蔽的效果，线径粗的，相当于屏蔽层厚些，对涡流的抑制会更强。。。
恩，J版对这种东西还是更在行，学习了。
0
回复
asdasd
LV.4
21
2011-09-26 13:19
@dxsmail
打底层。。。别人的经验是：越细越好。。。。但是这一次是：从0.25*2改为0.5的打底。。。就OK了。。。我被搞糊涂了。。。
"打底层"--这是什么意思啊?
0
回复
胡长波
LV.1
22
2012-07-16 16:58

 

0
回复
javike
23
2012-07-16 17:40
@dxsmail
打底层。。。别人的经验是：越细越好。。。。但是这一次是：从0.25*2改为0.5的打底。。。就OK了。。。我被搞糊涂了。。。

肯定是越粗越好呀。

打底层并不能完全屏蔽涡流的，涡流的穿透能力比较强，直径加粗了，等于把屏蔽层加厚了，可以更大程度的减小涡流强度，从而改善EMI。

0
回复
yong168
LV.7
24
2012-07-16 17:51
@javike
肯定是越粗越好呀。打底层并不能完全屏蔽涡流的，涡流的穿透能力比较强，直径加粗了，等于把屏蔽层加厚了，可以更大程度的减小涡流强度，从而改善EMI。
这就有点奇怪了，我之前也是用0.2的线一根，emc没过，后来就改了0.18的线两根，结果就过了。绕线方向跟初次级的方向是一样的，但是有看到说屏蔽线要跟初次级的方向相反才对，是吧
0
回复
dxsmail
25
2012-07-16 18:08
@胡长波
 
R7731....
0
回复
胡长波
LV.1
26
2012-07-17 17:40
@dxsmail
R7731....

 

0
回复
工程师都在看
494芯片问题
江城小生
文献笔记8---LLC变换器的平面磁设计与整体参数优化
电源技能成长记
求助，半桥拓扑实现输出自锁短路保护的方案
dy-1CssLAzJ
文献笔记10---一种高效率BBLLC-LLC混合变换器
电源技能成长记
【得捷之选】+MAX78000机器学习初体验
米修儿
立
即
发
帖