反激电源输出过载,给芯片供电的辅助绕组VDD电压上升还是下降?

关注中,我没遇见这种事情耶!我都是将辅助绕组放外层,利用它做OCP.请高人来说说话~~~~~~~~~~

难道大家没有遇到过同类问题吗?

自己顶一下!

那位工程师说得对,这种情况不仅局限于辅助绕组的情况,如果一个电源有几个输出绕组,其中的取样绕组过载,你说另一个绕组电压是升高还是降低,如果另一个绕组距离过载的输出绕组很近,那么它的电压就会下降,原因是因为过载的绕组附近磁阻变低,能量都被那个绕组争了去,所以这时候另一个绕组输出电压会降低.过载的绕组电压降低了,由于它是取样支路,通过反馈,初级绕组势必会增大驱动,以弥补输出电压的降低,如果另一个绕组,或者你说的辅助绕组,距离初级绕组比较近,那么就会近水楼台先得月,得到更多的磁通量,所以它的输出电压反而会升高.

我也遇到了这个问题,不知怎样解决

只能从PWM控制芯片入手解决,监控Vout电压是否处于过载,当处于过载时,芯片内部的过压保护点降低,提前关断功率管,以实现过载保护!不知道可否实现?

另外还有一个问题:主绕组、次级绕组、反馈绕组(辅助绕组)一般工程师会采用什么样的绕法?都放在哪层上?为什么?谢谢!