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关于RCD吸收电路的一个小问题

小弟最近在试验RCD吸收回路时,出现了以下问题:

首先上图:

 

上面4个电路图前两个应该算是比较传统的吸收电路吧,我分别画出了开关管开通和关断时的电流流向,先请各位前辈看下电流方向是否有画错?

后两个是我在看《开关电源设计》(第三版)上讲RCD的部分看到的,书中为说明:RCD吸收回路即可连接到地,也可连接至母线,虽然和前面的吸收电路相比后面的只是把C和D的位置互换了一下,但小弟不太明白其电流流向,是像图中所标注的那样吗?

那么这两种电路在设计、工作的时候又有什么区别呢?

还望各位前辈指点,小弟必当虚心学习~~谢谢!!

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2011-08-01 11:23

关断时就没有电流再通过开关管IRF540了吧

导通时电流都是流经变压器初级-开关管-地,不太可能有电流给“C?”充电吧

本人是宅男,所以后两个没在实际应用中见过。

导通时,假如你是电流,你会经过电阻给电容充电,再经过开关管,还是直接走铜线(变压器初级)再经过开关管。走哪条路径阻力会小点?

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bdzn
LV.9
3
2011-08-01 12:31

来学习了.

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854911822
LV.5
4
2011-08-01 12:39
@edie87@163.com
关断时就没有电流再通过开关管IRF540了吧导通时电流都是流经变压器初级-开关管-地,不太可能有电流给“C?”充电吧本人是宅男,所以后两个没在实际应用中见过。导通时,假如你是电流,你会经过电阻给电容充电,再经过开关管,还是直接走铜线(变压器初级)再经过开关管。走哪条路径阻力会小点?

首先感谢您的回答

我这里的“关断时”,和“开通时”都是指的关断和开通的瞬间,所以,关断时流过MOS管的电流实际上是产生关断损耗的电流,而不是MOS管关断后一直存在的电流,吸收关断电压中的尖峰电压,不正是RCD吸收电路的功能吗?

同理,导通时流过C的电流也是指的开关管导通瞬间,C两端的大小为Vdc的电压的放电过程。

由于我不太明白实际的电流走向是否是图示方向,同时也想知道上面两种电路在设计和工作过程中的区别,因此再次请教各位前辈,也欢迎大家一起就这个电路进行讨论,尽管我是菜鸟啦~~~

谢谢

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LV.1
5
2011-08-01 12:53

1、一图关断的时候,已画的电流方向是对的,但是注意RC也在放电哦。。你没画。。

2、开通的时候对的,其实关断的时候这个也存在哦,只不过放电速度小于漏感电流充电速度哦,所以电压上升。。

3、后面两个还没用过,看你的图,应该是对的

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854911822
LV.5
6
2011-08-01 13:29
@
1、一图关断的时候,已画的电流方向是对的,但是注意RC也在放电哦。。你没画。。2、开通的时候对的,其实关断的时候这个也存在哦,只不过放电速度小于漏感电流充电速度哦,所以电压上升。。3、后面两个还没用过,看你的图,应该是对的

感谢jimmmy1125前辈的回答

一图关断的时候RC的放电过程应该可以忽略吧?放电过程是和第二个图中的放电回路一样吧?

后面两个图我也只在《开关电源设计》这本书上看到,书上描述它只用了一小段话,说和接地的RCD电路相比,接电源母线的RCD可使C两端的电压缩小一半。虽然可以理解,但是和前面的电路比较的话我实在不明白什么情况下会使用后面一种电路。

另外,连接至母线的RCD(前一种情况),和连接到地的RCD(没画出来),又有什么区别呢?谢谢

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2011-09-14 04:49

RCD电路有两种形式,功能和工作原理完全不一样。

1. R并D,接C,

在反激中,这个一般是接到MOS的源端,它其实就是RC吸收电路,D的作用是单向导电,也就是MOS断的时候,R被D短接掉,C直接并到MOS的DS两边,起到了降低Vds上升速度的作用。当MOS开的时候,是RC电路,C上的电荷通过R释放到。所以RC时间常数要小,要把电容上的电访完全。

2. R并C,接D

这是箝位的用法

D的作用还是单向导电,它确保电流只在MOSFET关断的时候,向C充电。R的作用是在MOS开通的时候,将C上的电荷释放掉一部分,使得C上的电压能够保持相对恒定,因为C的作用就是提供一个恒定的参考电压,将Vds箝位到一定电压内。

所以这里的RC常数要相对大,否则C上的电全被泄掉的话,也就没有箝位的作用了。

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2012-06-06 17:36
@
1、一图关断的时候,已画的电流方向是对的,但是注意RC也在放电哦。。你没画。。2、开通的时候对的,其实关断的时候这个也存在哦,只不过放电速度小于漏感电流充电速度哦,所以电压上升。。3、后面两个还没用过,看你的图,应该是对的

说得不错

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heye111
LV.2
9
2012-08-14 12:56
@二手电工
RCD电路有两种形式,功能和工作原理完全不一样。1.R并D,接C,在反激中,这个一般是接到MOS的源端,它其实就是RC吸收电路,D的作用是单向导电,也就是MOS断的时候,R被D短接掉,C直接并到MOS的DS两边,起到了降低Vds上升速度的作用。当MOS开的时候,是RC电路,C上的电荷通过R释放到。所以RC时间常数要小,要把电容上的电访完全。2.R并C,接D这是箝位的用法D的作用还是单向导电,它确保电流只在MOSFET关断的时候,向C充电。R的作用是在MOS开通的时候,将C上的电荷释放掉一部分,使得C上的电压能够保持相对恒定,因为C的作用就是提供一个恒定的参考电压,将Vds箝位到一定电压内。所以这里的RC常数要相对大,否则C上的电全被泄掉的话,也就没有箝位的作用了。[图片]
说的好
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明峰
LV.2
10
2012-08-18 22:03
@二手电工
RCD电路有两种形式,功能和工作原理完全不一样。1.R并D,接C,在反激中,这个一般是接到MOS的源端,它其实就是RC吸收电路,D的作用是单向导电,也就是MOS断的时候,R被D短接掉,C直接并到MOS的DS两边,起到了降低Vds上升速度的作用。当MOS开的时候,是RC电路,C上的电荷通过R释放到。所以RC时间常数要小,要把电容上的电访完全。2.R并C,接D这是箝位的用法D的作用还是单向导电,它确保电流只在MOSFET关断的时候,向C充电。R的作用是在MOS开通的时候,将C上的电荷释放掉一部分,使得C上的电压能够保持相对恒定,因为C的作用就是提供一个恒定的参考电压,将Vds箝位到一定电压内。所以这里的RC常数要相对大,否则C上的电全被泄掉的话,也就没有箝位的作用了。[图片]
好帖
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2012-08-23 08:13
关注一下。。。。
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Haleliu
LV.4
12
2012-08-23 15:10
@二手电工
RCD电路有两种形式,功能和工作原理完全不一样。1.R并D,接C,在反激中,这个一般是接到MOS的源端,它其实就是RC吸收电路,D的作用是单向导电,也就是MOS断的时候,R被D短接掉,C直接并到MOS的DS两边,起到了降低Vds上升速度的作用。当MOS开的时候,是RC电路,C上的电荷通过R释放到。所以RC时间常数要小,要把电容上的电访完全。2.R并C,接D这是箝位的用法D的作用还是单向导电,它确保电流只在MOSFET关断的时候,向C充电。R的作用是在MOS开通的时候,将C上的电荷释放掉一部分,使得C上的电压能够保持相对恒定,因为C的作用就是提供一个恒定的参考电压,将Vds箝位到一定电压内。所以这里的RC常数要相对大,否则C上的电全被泄掉的话,也就没有箝位的作用了。[图片]

比较认同电工的说法,顶一个!

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2014-09-22 15:07
@二手电工
RCD电路有两种形式,功能和工作原理完全不一样。1.R并D,接C,在反激中,这个一般是接到MOS的源端,它其实就是RC吸收电路,D的作用是单向导电,也就是MOS断的时候,R被D短接掉,C直接并到MOS的DS两边,起到了降低Vds上升速度的作用。当MOS开的时候,是RC电路,C上的电荷通过R释放到。所以RC时间常数要小,要把电容上的电访完全。2.R并C,接D这是箝位的用法D的作用还是单向导电,它确保电流只在MOSFET关断的时候,向C充电。R的作用是在MOS开通的时候,将C上的电荷释放掉一部分,使得C上的电压能够保持相对恒定,因为C的作用就是提供一个恒定的参考电压,将Vds箝位到一定电压内。所以这里的RC常数要相对大,否则C上的电全被泄掉的话,也就没有箝位的作用了。[图片]
说的好 
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2018-08-04 08:34
@dxsmail
关注一下。。。。
mark
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BogueZhu
LV.1
15
2020-01-19 23:15
shun de fug
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