Vds波形何来？

大家好！我想和大家讨论一下反激中mosfet关断时结合RCD吸收电路Vds的波形！

我的理解：当mos关断后，漏感电流给mos漏源电容充电，当Vds电压上升到Vin+Vc时，RCD电路导通，漏感电流给电容C充电。此时Vds波形电压就被钳位在Vin+Vc。

这只是我很粗略的理解。我观测Vds波形，还会有一个振荡。对于其中的过程，真的不太理解。希望前辈们可以详细的讲解一下。非常感谢！

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zhaobo53521808

LV.4

2011-07-26 22:09

实际上，RCD就是为了吸收Vpeak的过高尖峰，当然它的缺点就是会影响机子的整体效率（又吸收就有功率损耗嘛！）。

至于你提到的问题，不妨用简单的逻辑式表达：f=1/2pie*根号(L*C);

其中的f就是你所提及的前面多个振荡的平均频率；L就是你图示的漏感；C近视为你RCD中的电容。所以你就可以不难理解他们之间的关系了。

我前面提到的RCD功耗可以表达为：P=1/2*C*V^2*F,了解这点，对你以后如何提高机子效率有一丁点的帮助。

再想想：RCD中的R，C和f会是什么关系呢？

呵呵～

gaohq

LV.8

2011-07-26 22:33

@zhaobo53521808

实际上，RCD就是为了吸收Vpeak的过高尖峰，当然它的缺点就是会影响机子的整体效率（又吸收就有功率损耗嘛！）。至于你提到的问题，不妨用简单的逻辑式表达：f=1/2pie*根号(L*C);其中的f就是你所提及的前面多个振荡的平均频率；L就是你图示的漏感；C近视为你RCD中的电容。所以你就可以不难理解他们之间的关系了。我前面提到的RCD功耗可以表达为：P=1/2*C*V^2*F,了解这点，对你以后如何提高机子效率有一丁点的帮助。再想想：RCD中的R，C和f会是什么关系呢？呵呵～

我以前一直认为那个振荡是L跟开关管的Cds之间振荡的呢？