12V/2.5A适配器温度高，想改进变压器-听听大家的意见！

主要有以下几点，比较头疼：

1：输入大电解：因为板小布局紧凑，MOS和大电解靠的很近，MOS就像火炉样把电解给烤着，加大尺寸不可能。只有间接降低壳内温度来降低MOS的温度，从而拉低电解的温度；PCB尺寸：70mm*38mm;

2：MOS用的是UTC 的4N60.这个通态电阻有2.5欧姆，说实话有点大。很想换掉。但还想试试。4N60[1] ；

3：空间小散热器也小。想过用铜皮把板子包一圈，但以后生产会比较麻烦。这个估计不怎么行得通。主控IC：LD7531A-DS-00 

4：可能我还未考虑到其他元件的损耗，像二极管啊、电容这些。这些也可以再改进的。肖特基是苏州固锝的，MBR1030~60CT 。V F忒大了！

原理图传上。很普通的反激电路！

拆个联想的笔记本电源看看吧，人家用的什么料。用料很关键的。还有，输出二极管也小了，我想应该两个10A并联，还有，变压器也有点小，适配器不适合高频，除非你用很好的MOS管。

适配器的工作环境太不好了，全密封的，所以要求效率要很高。还有，频率一般在67kh比较合适。

两个并联，没有空间！适配器的工作环境确实恶劣，全密封！用料上，确实不咋地！

谢谢您的建议！

可以考虑用个热敏电阻来抑止突波电流，耗散系数，热时间常数。

另外有朋友建议：等比例的减小匝数，增大线径！线径大了，也要考虑趋肤效应，具体效果，我和变压器供应商的RD沟通了下，想听听他的意见！

另外，我重新算了一个：初级电感量：490uH；初级匝数：46T；次级匝数：6T；不知道这个匝比，感量，合不合适。损耗还米有算。

哎，真想自己动手绕啊，这样最方便了。奈何公司没家伙！

我倒！啊！冰兄，给点意见啊！现在愁得不得了，刚给变压器厂那边写了邮件，还没有回复！

哎，如果可以用好点的料，鸭梨也没这么大！我都想好了，也不用太好的料。MOS用飞兆的FCP4N60，R DS只有1欧姆，FCP4N60 肖特基么，DIODES的也行！威士的更好。

那温度，就能降下来不少！

JEP 兄我没做过这个啊？期待高人解答！你就先辛苦一下

乱说说：降温1，提高效率 （包括选好的元器件） ， 2、改善扇热环境，密封环境可以用铝材垫铜材 传热会快点  避免积温

初级圈数38，PQ2016的截面积61.5，最低输入电压90Vac，整流后按105Vdc算，频率65K，假定最大占空比为0.45，那么delt B=105*0.45/（0.065*61.5*38）=0.311 T。感量1.12mH，那么delt I=105*0.45/（65*1.12）=0.649A。输出功率30W，假定你的效率85%，则输入功率为35.294W，输入平均电流为Iedc=35.294/（105*0.45）=0.747A，输入峰值电流Ipk=Iedc+1/2*delt I=1.07A，Bm=Ipk*delt B/delt I=0.513 T。你这个温度不高才怪呢。。。

新绕法次级最好加一圈，最大占空比还是在0.45左右，Ipk=1.48A，Bm=0.257 T，磁芯温度下来了，线包温度上去了，气隙加大了不少，你那个FET我看也更悬了。。。最好的办法还是大一号的磁芯，上2020吧。。。

那只有用8N60，R DS会低很多。散热器大不了了，除非把整个板子，包一圈铜皮。不知道效果会如何？见过别人这样做过的。

空间太小了。还有我手上的8N60是飞兆的，比现在用的UTC 4N60贵。又不知道经理是个啥想法。我++

哦！你们在那里？要不你把变压器的资料发到我邮箱？

是这样子的：这个壳子是英规的，头和屁股有点弧度，并不是方方正正的长方体；另外有两个美规和欧规的壳子，上面的意思，是把板子做成通用的。

这样的的话，12V/2.5A的适配器，就有英规、美规、欧规三种规格了。美规和欧规的壳子，就小多了，主要是在厚度上，板子一放，几乎无需另外固定。估计温度会更郁闷。

EMI方面，我裸板测试的EN55022的传导，是可以通过的，不过余量比较小。还没封进外壳测，温度是大头。辐射没测，公司只有传导的设备。