• 33
    回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

反激电源的反射电压和占空比问题

大家一般是否都依据如下公式计算反射电压和占空比.

For=N*(Vout+Vd)

D=For/(For+Vdcmin)

但经过验证测试,发现实测的占空比小于计算的占空比;

实测的反射电压大于计算的反射电压.(实测反射电压算法为Vds-Vdc-漏感产生的尖峰电压)

请问是不是这两个公式还有一些其他参数没有考虑进去?

全部回复(33)
正序查看
倒序查看
2011-06-23 22:48

计算是这么计算,只是做个参考,以实际测量值为准。

至于计算值为什么和测试值不相符,个人认为是电路实际的寄生参数,器件误差引起的,这些公式是在理想条件下得出的,所以会出现这些现象!

 

0
回复
zvszcs
LV.12
3
2011-06-24 08:04
@decentgirl
计算是这么计算,只是做个参考,以实际测量值为准。至于计算值为什么和测试值不相符,个人认为是电路实际的寄生参数,器件误差引起的,这些公式是在理想条件下得出的,所以会出现这些现象! 
FOR?是VOR吧
0
回复
2011-06-24 09:22
一般是按那公式计算的,我测试的结果跟计算的结果是相差不了多少的。比如Vdcmin,计算的和测量的可能就有差别,如果都以测量值去计算,那公式是正确的。
0
回复
zvszcs
LV.12
5
2011-06-24 09:30

其实很简单,MOS管的耐压85%减去最高输入电压再减去个30的振铃电压除以你的输出电压加二极管电压就是N

0
回复
LV.1
6
2011-06-24 13:17
这个公式只是近似公式,还有MOS的导通电压,原边、副边的线圈电阻电压,寄生参数的等
0
回复
zvszcs
LV.12
7
2011-06-24 14:00
@
这个公式只是近似公式,还有MOS的导通电压,原边、副边的线圈电阻电压,寄生参数的等

不需要过度吹毛求疵

0
回复
2011-06-24 14:09
@zvszcs
其实很简单,MOS管的耐压85%减去最高输入电压再减去个30的振铃电压除以你的输出电压加二极管电压就是N

,我也是这样估算。

但绕组的卷线状态一定要好,尽量三明治。否则30的尖峰都不止。

实际运用中,AC-DC的尖峰比DC-DC的更难搞。

0
回复
410327
LV.7
9
2011-06-26 21:49
@zvszcs
其实很简单,MOS管的耐压85%减去最高输入电压再减去个30的振铃电压除以你的输出电压加二极管电压就是N

依据你这种算法,应该得出的是最大匝比吧.

相对于效率来说,是匝比大效率高还是匝比小效率高呢?

0
回复
410327
LV.7
10
2011-06-26 21:55
@zvszcs
其实很简单,MOS管的耐压85%减去最高输入电压再减去个30的振铃电压除以你的输出电压加二极管电压就是N
我一直对占空比大,效率就高的说法怀懝
0
回复
2011-06-27 08:37
@410327
我一直对占空比大,效率就高的说法怀懝

这个不能一概而论,还要看其他的一些条件的限制情况

一般来说D大,效率高的说法是正确的

0
回复
410327
LV.7
12
2011-06-27 21:32
@心中有冰
这个不能一概而论,还要看其他的一些条件的限制情况一般来说D大,效率高的说法是正确的

但我从公式推导和实际对比测试,却发现是占空比小的效率高呢.

如占空比小,其匝数比就小.匝比小,相对来说变压器的漏感就小,漏感小后,MOS管RCD吸收电路和肖特基RC吸收电路的损耗相对来说就要小.

同时,占空比小,MOS管的Vds电压低,有利于MOS管的成本.肖特基的峰值电流和有效值电流相对较小.这就明显的降低了肖特基的损耗.  电路的损耗主要来自于变压器;MOS管,肖特基和吸收电路.从以上分析,占空比小对MOS管,肖特基和吸收电路都有利.

对于反激电路来说,占空比大效率较高的说法,是怎么得出的呢?有没有较详细的解说,这个问题一直困扰着我.

0
回复
2011-06-29 14:05
@410327
但我从公式推导和实际对比测试,却发现是占空比小的效率高呢.如占空比小,其匝数比就小.匝比小,相对来说变压器的漏感就小,漏感小后,MOS管RCD吸收电路和肖特基RC吸收电路的损耗相对来说就要小.同时,占空比小,MOS管的Vds电压低,有利于MOS管的成本.肖特基的峰值电流和有效值电流相对较小.这就明显的降低了肖特基的损耗. 电路的损耗主要来自于变压器;MOS管,肖特基和吸收电路.从以上分析,占空比小对MOS管,肖特基和吸收电路都有利.对于反激电路来说,占空比大效率较高的说法,是怎么得出的呢?有没有较详细的解说,这个问题一直困扰着我.

这个问题要详细分析的话,比较复杂,要假设的量实在太多

但从峰值电流这个角度分析,D大的话,效率确实要高,而且实际测试也是这样的

0
回复
2011-06-29 14:09

这个公式成立的前提是在CCM或CRM工作模式下。

不清楚你的电源是否是这个状态。另外,反射电压高,和你的变压器的漏感以及RCD吸收电路的参数取值有一定的关系。

0
回复
zvszcs
LV.12
15
2011-06-29 14:31
@让你记得我的好
这个公式成立的前提是在CCM或CRM工作模式下。不清楚你的电源是否是这个状态。另外,反射电压高,和你的变压器的漏感以及RCD吸收电路的参数取值有一定的关系。

就是一句,具体问题具体分析

0
回复
2011-06-29 14:52
@zvszcs
就是一句,具体问题具体分析

对的。

任何现象的背后,都有其物理的必然。我们要做的就是去找出表面现象背后的本质。

公式只不过是对一些定律的总结,工程计算中的公式,有很多是对模型或计算作了简化处理的。如果搞的太细,会遇到很多困难的。

0
回复
power_yan
LV.5
17
2011-06-29 15:35
@zvszcs
就是一句,具体问题具体分析

RCD吸收电路的参数取值合理不?RCD吸收电路的参数取值不合理的话,你测量的Vor就不能真正反映变压器匝比n

实测波形很重要,但也不要总认为侧出来的就都是真理。也要看所测电路是否合理

0
回复
410327
LV.7
18
2011-07-04 21:19
@心中有冰
这个问题要详细分析的话,比较复杂,要假设的量实在太多但从峰值电流这个角度分析,D大的话,效率确实要高,而且实际测试也是这样的

D大的话,效率确实要高

能不能从公式上或其它方面说明这个问题呢?为什么D大,效率高?

0
回复
410327
LV.7
19
2011-07-04 21:23
@power_yan
RCD吸收电路的参数取值合理不?RCD吸收电路的参数取值不合理的话,你测量的Vor就不能真正反映变压器匝比n实测波形很重要,但也不要总认为侧出来的就都是真理。也要看所测电路是否合理

RCD电路对Vor有影响吗?RCD只是对因漏感产生的尖峰电压的大小有影响吧

0
回复
power_yan
LV.5
20
2011-07-05 13:03
@410327
RCD电路对Vor有影响吗?RCD只是对因漏感产生的尖峰电压的大小有影响吧

有影响的,RCD的C和R不合理的话,他会消耗掉部分Vor;当然也可以不能消耗全部的漏感能量,让你误以为Vor大

0
回复
410327
LV.7
21
2011-07-09 08:32
@power_yan
有影响的,RCD的C和R不合理的话,他会消耗掉部分Vor;当然也可以不能消耗全部的漏感能量,让你误以为Vor大
这种理解合理.谢谢
0
回复
2011-07-09 14:40
@power_yan
有影响的,RCD的C和R不合理的话,他会消耗掉部分Vor;当然也可以不能消耗全部的漏感能量,让你误以为Vor大
对的。R的耗散的功率和C上的电压是相关联的。如果R太大,C上的电压必然就高,才能保证把漏感能量消耗掉。否则漏感能量会在C中累积,直到C上电压足够高。
0
回复
zvszcs
LV.12
23
2011-07-09 18:49
@让你记得我的好
对的。R的耗散的功率和C上的电压是相关联的。如果R太大,C上的电压必然就高,才能保证把漏感能量消耗掉。否则漏感能量会在C中累积,直到C上电压足够高。
学习了
0
回复
LV.1
24
2011-07-09 21:27
@zvszcs
学习了
我也来学习哦
0
回复
zvszcs
LV.12
25
2011-07-09 21:39
@
我也来学习哦
0
回复
hh123
LV.4
26
2011-07-10 19:50
@心中有冰
这个问题要详细分析的话,比较复杂,要假设的量实在太多但从峰值电流这个角度分析,D大的话,效率确实要高,而且实际测试也是这样的

这个应该看开关频率以及所选的mos管

开关频率高Mos内阻低,开关损耗占大头那么Vor小点效率会高些。

但是一般来说,对于100k以内的开关频率而且使用一般的mos管,其导通损耗还是占大头,就是说Vor大些其占空比大些初级电流有效值低些效率就高些。

0
回复
zvszcs
LV.12
27
2011-07-11 08:12
@hh123
这个应该看开关频率以及所选的mos管开关频率高Mos内阻低,开关损耗占大头那么Vor小点效率会高些。但是一般来说,对于100k以内的开关频率而且使用一般的mos管,其导通损耗还是占大头,就是说Vor大些其占空比大些初级电流有效值低些效率就高些。
0
回复
liyonghe
LV.7
28
2011-09-01 21:30
@让你记得我的好
对的。R的耗散的功率和C上的电压是相关联的。如果R太大,C上的电压必然就高,才能保证把漏感能量消耗掉。否则漏感能量会在C中累积,直到C上电压足够高。
0
回复
2011-09-09 09:21
@zvszcs
其实很简单,MOS管的耐压85%减去最高输入电压再减去个30的振铃电压除以你的输出电压加二极管电压就是N
想问一下,二极管电压是怎么计算啊
0
回复
hanquan2010
LV.3
30
2011-09-09 11:28
@zvszcs
FOR?是VOR吧

请问V-DCMIN一般是如何确定的?

0
回复
hh123
LV.4
31
2011-10-06 11:23
@zvszcs
[图片]

0
回复