各位前辈大家好:
请问,在反激拓扑中,变压器的漏感中的能量是否都会被消耗掉?有没有能量通过RCD返回到输入电容?
如果不要RCD吸收回路,那么漏感中的能量是不是就不会被消耗掉?
谢谢大家!
如果能量没有被消耗完,那么振荡就会持续,你抓个反激的波形看看,自然就理解了
1.会被消耗掉;
2.不会到输入电容
3.如果没有RCD,漏感能量没出释放。
谢谢楼上两位!
再次请教:功率管开启损耗由两部分组成:1、交叠损耗 2、对电容放电的损耗
其中交叠损耗非常小,忽略,那么开启损耗 P=(1/2)*Coss*V*V*f
请问这个说法正确吗?
如果按以上说法,那么QRC系统并不会带来多大的效率提升。例如针对这个IW1691的系统,功率管采用2N60,其Coss=40pf,Vor=80V,假设其工作频率80Khz,如果输入电压230V,那么母线电压325V,如果不采用QR,则Ploss=0.5*40p*325*325*80K=169mW;如果在第一个谷底使功率管开启,则Ploss=0.5*40p*245*245*80K=96mW。节省了70mW的损耗。我们做一个5W输出的系统,那么由于采用QR模式,其效率能提高1.4%
效率仅仅能提高1.4%,并不会有多大的改善。
对于一个5W的系统,QR对效率的贡献只有1.4%,如果对于一个200W的系统,采用QR模式,节省的这点能量,基本上不会对效率产生影响。
请问我的分析是否正确?如有不对,错在什么地方呢?
(据说UCC28600做的系统,效率能到96%,不知是否属实。)
“交叠损耗非常小”这句话从哪里看到的?
还有即使5W的损耗是1.4%,那么200W也用5W的损耗套进去?
交叠损耗非常小 在《开关电源设计》 第三版 (王志强,肖文x,虞龙等译)
第346页有说到
因为按照那个理论,损耗仅与寄生电容有关。包括MOS的寄生电容和transformer的寄生电容。假设200W系统也使用2N60,并且假设变压器寄生电容变化不大。因此认为损耗相差不大。
有什么不对的,请指正,谢谢你。