请问用IGBT做全桥时，其驱动电源和输入电压有什么厉害关系吗，比如驱动电压要一直有这样是对的吗
这里输入电压为高压直流，
日本SANKEN（三垦/三肯）在大陆市场推广太阳能逆变器专用MOSFET。主要有以下规格：500V/42A、600V/34A和800V/31A。特征如下：
高耐圧MOS-FET 低RDS(on)品 VDSS 500V to 800V High Reliability TO-3P PKG
我也有一事请问大家，输入电压1400V，全桥变频输出，纯电阻负载，可用耐压1200V的IGBT吗？
谢谢！
