首先说一下输入回路的电解电容，我们知道，逆变器的DC输入电流通常很大，
一个12V 1000W 的逆变器输入电流最大可达120A以上，此时输入端的电解电容
的选择就非常关键了，选择不当时，炸电解电容的故障就会变成‘家常便饭’了。
第二个要说的就是对不同负载特性适应性问题。
这里又包含两个问题，1. 是逆变器自身的功率余量、允许最大带载启动输出电
流与过流保护措施；2. 是对不同特性如感性、容性、负阻性等负载的适应性。
一般如果在技术上没处理好这些问题，产品在使用时就易出现各种问题。
我刚来论坛不久，多谢版主的关注！
没记错的话版主就是众人仰慕的钟工吧？
占位听课！
如果逆变器采用先升压后逆变的拓扑结构，那么怎么做过流保护才可靠？
自己观点是过流后先关后级的逆变，再关前级。关掉前级晚点不会有问题！
对于原器件的参数设定与选型一样会影响到产品的可靠性，这个自不必多说。但对MOS管、超快整流二极管来说，不同的封装形式对可靠性的影响有时差别十分明显！不得不认真重视之。
不同的封装形式对可靠性的影响有时差别十分明显
能讲解上面那句话吗？
ccps朋友你所说到的“均流均压” 这简简单单四个字里不但包含平衡驱动、PCB布
线均衡（布线的DC、AC电阻相等）、还包含了管体散热均温、MOS管的Ron动
静态匹配（选管）等问题。
这个说法不能说不对，其实如已及时关掉了后级，一般前级的过流也就能自行解除了。
当然实用时前级高频大功率DC/DC与后级50Hz/60Hz逆变部分都应具有性能良好的限流控制环路。
在谈驱动问题前，先上一幅实测的推挽逆变电路的其中一边MOS管的G极波形（1：1 蓝）
与升压变压器的副边电压波（15：1 黄），这是电路处在满载1000W DC+24V输入时的
实测波形，可以看到另一路MOS管导通时串入到截止MOS管的G极的干扰尖刺波形。
由于大部分逆变器的MOS管驱动部分的供电与主振荡IC一样，都为单电源供电（用SG3525
输出直驱管MOS的也不少见），因此驱动波形以0V~+15V方波为多见，此时驱动波形如受
到干扰（见上图尖刺部分），如接近达到MOS管的Vth值，则对系统的不良影响自不用多说，
起码也会影响效率与温升。如采取一般的手段无法有效减低或避免这种干扰时，采用负压
关断也就很有必要了。这个问题在专业的量产方案中，应引起足够的重视。
此图为实测逆变器满载时的推挽A相与B相MOS管的G极波形（1：10），由于采用了+15V开通、-5V关断的驱动方式，
同时精选低Qgs的功率MOS管，驱动波形的“尖峰”干扰大为减少，也可看到由于采用了负压关断，满载时从对方相位
串扰过来的“毛刺”被有效控制在0V线以内（红圈），确保截止时期的MOS管能绝对可靠地截止关断。
负压关断方式可有效地把MOS管G极的“尖峰毛刺”压制在0V以下的水平。
如采用0V关断，任凭（如20楼的蓝色波形）“干扰尖刺”的存在，则A相与B相存在着“瞬间共态导通”的危险与可能性。
不知CCPS朋友是否已理解？
在说环路反馈与过流保护前，接续4楼散热话题，先来说说结构设计与主功率管的散热问题。
举一个实例：某山寨小企业抄板了某个已成熟的逆变电路，此电路在别人那里反映不错，而在自己这里的产品却炸主功率MOS管的比例较高.....
