此电路既可防止驱动电压过高,从而出现过驱动的情况产生,保护MOSFET;又可以加速MOSFET的关断速度
简单分析下吧
当驱动电压过高的时候,D10被击穿,经过R12,Q3导通,接着Q2导通,驱动电压被钳位
当驱动为低电平时,经过R11,Q2导通,Q3导通,可以加快MOSFET的Cgs放电速度,从而加速关断
很荣幸心中有冰老师能够到场,那C13呢?据说是个充放电电容,充电可以打开Q1工作,放电就会关闭Q1
SCR电路?怎么分析?
C13应该不会太大,跟R12组成一个RC滤波电路,可以减少干扰
Q2\Q3组成加速关断MOS管的作用。也可以只使用一个Q3,但是使用两个的效率要高一下,一般是2个百分点。
这里可以用于检测电阻R21两端的电流(流过MOS管的电流)。