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如何加负压加速关断

我用IR的驱动芯片来驱动IGBT，半桥F=80K,Td=2us没什么问题，换成MOSFET如IRFP460后，明显开关损耗增加，我知道MOSFET的体内二极管特性不如IGBT的好，听说加负压关断可以改善，请问负压如何加？？我不需要用变压器来驱动，就在现成的电路改下，或者有他什么好方法吗？另外增加死区时间也许可以改善损耗的问题，可会增加输出纹波，希望大家踊跃发言
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xueyiranpiao
LV.4
2
2010-10-27 10:54

见附件，可以得到负压，希望你成功。这套电路已经得到很多产品的实践，效果不错。如果用到你的板子上可能具体的参数需要稍微调试一下。Doc1 

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jyh1017
LV.4
3
2010-10-27 13:44
@xueyiranpiao
见附件，可以得到负压，希望你成功。这套电路已经得到很多产品的实践，效果不错。如果用到你的板子上可能具体的参数需要稍微调试一下。[图片]Doc1 

非常感谢你的回复，把稳压管和电容并联后串在驱动回路上应该影响开通速度啊，导致驱动不足，同样会产生损耗

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ta7698
LV.9
4
2010-10-27 14:26
变压器驱动本身就有负压！
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jyh1017
LV.4
5
2010-10-29 07:34
@ta7698
变压器驱动本身就有负压！
我上面说了，不要变压器驱动
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