关于MOSFET寿命

转的，希望对你有用。

通过对不同氧化层厚度的 N- MOSFET在各种条件下加速寿命实验的研究 ,发现栅电压漂移符合 Weibull分布 . Weibull分布统计分析表明 ,5 .0、 7.0和 9.0 nm器件在 2 7和 10 5℃下本征失效的形状因子相同 ,即本征失效的失效机制在高低温度下相同 .非本征失效的比例随温度升高而增大 .在此基础上得出平均寿命 (t50 )与加速电场E成指数关系 ,进而提出了器件的寿命预测方法 .此方法可预测超薄栅 N- MOSFET在 FN应力下的寿命

这个难说，只有根据经验才能得出结论。参考下我的帖子吧http://bbs.dianyuan.com/topic/606968

多谢二位！还是不知道寿命。我觉得知道这个寿命很重要，在设计时，控制好最高结温，才能预期相应的寿命，否则就是一笔糊涂账。

说道寿命，一般具体指一个产品的寿命，譬如电源。半导体元件很少有谈到寿命的，你看IC、MOS等的规格书中，也是没有列出寿命的。我想是这样的，一个产品的寿命是按他里面最容易损坏的元件的寿命来计算的。譬如电源里面，相对来讲，其寿命都是按电解电容的寿命来计算的。因为电解的寿命是最短的。称之为短板原理。涉及到半导体元件，只有在计算MTBF时会用到它的损坏率。

我在设计一款大电流的线性电源，MOSFET的工作结温会比开关状态高得多，所以希望知道高结温时MOSFET的寿命。比如LINEAR产品里，就给提供可靠性数据，如附件r384 ，说的很详细，但是相对分立器件，我想这样的数据也会有，只是我还没有找到而已。

哈哈，我自己终于搜到了。IR的an-976里有详尽的描述。

哦，那就麻烦楼主贴出来共享下。

IR 的an-976 ，IXYS的04－05的可靠性数据IXDN0007 分享给大家。

谢了，楼上的真热心。

谢谢分享！