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LM5020供电部分电路疑问

请问图中LM5020供电部分是如何工作的,红框部分。

规格书中VCCmax是15V,这里好像要远超15V的,(母线输入为9~42Vdc)

请帮忙解释一下,谢谢。

 

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2010-08-31 17:23
LMV431和Q1组成了一个线性稳压电源。稳压值在11V左右。你可以自己计算一下。LMV431的基准值应该是1.25V的。
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化雪
LV.4
3
2010-08-31 20:57
@让你记得我的好
LMV431和Q1组成了一个线性稳压电源。稳压值在11V左右。你可以自己计算一下。LMV431的基准值应该是1.25V的。

这个电路更像是为提高低压端效率而设

1、当输入电压低于11V时,图中的Q1被导通,这时芯片的供电由红框中的电路供电,经R13的电路供电电流降低,当输入电压高时这个电路应该是断开的,而芯片的供电由R13及芯片内部产生,这种方式在国NS芯片做小功率的时比较多见。

2、不知道楼上大哥是怎么计算出来11V这个数值的,可不可以给出计算的方式,大家看一下,我想提醒楼上大哥的是,这个电路里,输入端是没有电阻的,所以我很难看出VCC被稳在11V(如果楼上大哥成立的话,好像管子也不对),请楼上大哥再看一下。

3、最一开始,我把他看成了一个输入过压保护电路,可是算了一下,又看了一下拓扑感觉也不对,分析更像是一条那样,可是我疑惑的是,如果为了在这么窄的范围提高效率用这种电路成本投入好像不太值,毕竟要用两个半导体,其中一个还是431。所以我很怀疑我的判断而是有的地方我还没注意到,就像楼上大哥所说就是一个辅助电源。

4、这个电路或多或少有点问题,首先是上电瞬间,Q1有被电流击穿的可能,楼主可以做几千次开关机试一下,高低端都试一下。第二个问题是,如果这个电路就是为了提高效率而设我判断没错,在高压端431被拉低(有可能低到1点几伏),而VCC由芯片提供了7.7V电压,那么Q1的Vbe反向电压就有可能到5V(有的管子是6V),从而击穿Q1。你自已查Q1参数。这两种损坏,到了生产时,是很难分清。

5、你所说的VCC电压,在你的电路里不用担心,如果我上面的分析成立,你的VCC不会高于11V,你的芯片在输入大于12V时,VCC应在7.7V左右。你可以量一下看一下。

    对于楼主你量出你的高低端效率,去掉Q1在相同条件再测一次效率,看看低端效率。

     还要在加有Q1时,在高端测一下VCC电压,如果电压大于8V以上,那就是我错了,如果是7.7V,那你调低输入到11V以下,看看VCC是不是约等于输入电压(低0.4左右)。如果是那我的判断就应该没错。

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化雪
LV.4
4
2010-08-31 21:06
@化雪
这个电路更像是为提高低压端效率而设1、当输入电压低于11V时,图中的Q1被导通,这时芯片的供电由红框中的电路供电,经R13的电路供电电流降低,当输入电压高时这个电路应该是断开的,而芯片的供电由R13及芯片内部产生,这种方式在国NS芯片做小功率的时比较多见。2、不知道楼上大哥是怎么计算出来11V这个数值的,可不可以给出计算的方式,大家看一下,我想提醒楼上大哥的是,这个电路里,输入端是没有电阻的,所以我很难看出VCC被稳在11V(如果楼上大哥成立的话,好像管子也不对),请楼上大哥再看一下。3、最一开始,我把他看成了一个输入过压保护电路,可是算了一下,又看了一下拓扑感觉也不对,分析更像是一条那样,可是我疑惑的是,如果为了在这么窄的范围提高效率用这种电路成本投入好像不太值,毕竟要用两个半导体,其中一个还是431。所以我很怀疑我的判断而是有的地方我还没注意到,就像楼上大哥所说就是一个辅助电源。4、这个电路或多或少有点问题,首先是上电瞬间,Q1有被电流击穿的可能,楼主可以做几千次开关机试一下,高低端都试一下。第二个问题是,如果这个电路就是为了提高效率而设我判断没错,在高压端431被拉低(有可能低到1点几伏),而VCC由芯片提供了7.7V电压,那么Q1的Vbe反向电压就有可能到5V(有的管子是6V),从而击穿Q1。你自已查Q1参数。这两种损坏,到了生产时,是很难分清。5、你所说的VCC电压,在你的电路里不用担心,如果我上面的分析成立,你的VCC不会高于11V,你的芯片在输入大于12V时,VCC应在7.7V左右。你可以量一下看一下。   对于楼主你量出你的高低端效率,去掉Q1在相同条件再测一次效率,看看低端效率。   还要在加有Q1时,在高端测一下VCC电压,如果电压大于8V以上,那就是我错了,如果是7.7V,那你调低输入到11V以下,看看VCC是不是约等于输入电压(低0.4左右)。如果是那我的判断就应该没错。

还有一种可能就是这个电路是为照顾低端起动,9V输入被认为是正常,那么欠压保护也得在8V左右了,这时经R13的电路可能对VCC已经不够用了,你看一下芯片资料的第二页,芯片内部是一下调整电源。这个电路用做这种功能可能性很大。而且看起来比用做辅助电源或提高效率来的要通顺很多,而且如果是用做这个功能,这个电路是必不可少的,但我上面的第四条依然成立,你依然要办法去解决。

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dolameng
LV.4
5
2010-09-01 09:32
@让你记得我的好
LMV431和Q1组成了一个线性稳压电源。稳压值在11V左右。你可以自己计算一下。LMV431的基准值应该是1.25V的。

确实如您所说,LMV431的VREF=1.24V,在此处供给LM5020大约10.2V的电压。

感谢您的解答。

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dolameng
LV.4
6
2010-09-01 09:49
@化雪
还有一种可能就是这个电路是为照顾低端起动,9V输入被认为是正常,那么欠压保护也得在8V左右了,这时经R13的电路可能对VCC已经不够用了,你看一下芯片资料的第二页,芯片内部是一下调整电源。这个电路用做这种功能可能性很大。而且看起来比用做辅助电源或提高效率来的要通顺很多,而且如果是用做这个功能,这个电路是必不可少的,但我上面的第四条依然成立,你依然要办法去解决。

化雪老师的深入分析,小弟非常感激。

如果在R10处并一10nF电容,能否避免反向击穿的意外。

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化雪
LV.4
7
2010-09-02 19:17
@dolameng
化雪老师的深入分析,小弟非常感激。如果在R10处并一10nF电容,能否避免反向击穿的意外。

1、这个不大行,最好的办法是在Q1的射级串一个二极管,但是会引起一些问题,那就是你在8V起动时会比较麻烦,这时Q1加串联二极管压降有1V,你就不能起动了,所以这个我也没太多办法。

2、我所说的两种损坏,第一个电流冲击应在Q1上串电阻解决,电阻不用取太大,有几十欧应该就可以,第二种Vbe反向电压损坏你得查管子型号,量你高端输入时管子的Vbe,这个要在实际中测了,如果实测不超6V(一般管子就是6V),那就没问题,超了,你就相办法吧,哈哈,低压输入的电源,很难弄的。

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化雪
LV.4
8
2010-09-02 19:22
@dolameng
化雪老师的深入分析,小弟非常感激。如果在R10处并一10nF电容,能否避免反向击穿的意外。
图中第三项参数
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化雪
LV.4
9
2010-09-02 19:22
@化雪
图中第三项参数
 
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dolameng
LV.4
10
2010-09-03 13:04
@化雪
1、这个不大行,最好的办法是在Q1的射级串一个二极管,但是会引起一些问题,那就是你在8V起动时会比较麻烦,这时Q1加串联二极管压降有1V,你就不能起动了,所以这个我也没太多办法。2、我所说的两种损坏,第一个电流冲击应在Q1上串电阻解决,电阻不用取太大,有几十欧应该就可以,第二种Vbe反向电压损坏你得查管子型号,量你高端输入时管子的Vbe,这个要在实际中测了,如果实测不超6V(一般管子就是6V),那就没问题,超了,你就相办法吧,哈哈,低压输入的电源,很难弄的。

非常感谢化雪老师,全面和细致。

我的问题是:

1.“电流冲击应在Q1上串电阻”也是指在射极串么?可这样,假设VCC电流为100mA,20ohm的电阻将产生2V,这对VCC影响有点大。

2.我觉得如果BE反向击穿,是在上电瞬间431阴极瞬间对地的时候(会有这种可能么?),如果确实可能这样,那并在R上的电容,可保证开机时ref脚为低电位。

弱问一下,此处VCC稳压使用类似7812之类的芯片(耐压够的情况)会有不妥么?

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化雪
LV.4
11
2010-09-03 18:39
@dolameng
非常感谢化雪老师,全面和细致。我的问题是:1.“电流冲击应在Q1上串电阻”也是指在射极串么?可这样,假设VCC电流为100mA,20ohm的电阻将产生2V,这对VCC影响有点大。2.我觉得如果BE反向击穿,是在上电瞬间431阴极瞬间对地的时候(会有这种可能么?),如果确实可能这样,那并在R上的电容,可保证开机时ref脚为低电位。弱问一下,此处VCC稳压使用类似7812之类的芯片(耐压够的情况)会有不妥么?

1、一般电阻会串在集电极,也有串射级。一般这种电源要在变压器上出辅助绕组做辅助电源。依靠C13的回差提供起动能量。但是你的电源功率应该比较小,所以也没做变压器辅助电源。另个就是你的VCC应该耗不了这么大的电流,但是耗多大我不知道。这个串联的电阻就靠你实验去选。低压起动电源本身就是一个比较难做项目,你只能折中一下看看能选多大。

2、你可能忽略了一个问题,当你431基准端上电压高于1.4的时候,他阳极电压会降低,不同的431降低程度不同,所以当你高端输入时,基准上电压较高时,431的阳极电压可能会低到1V左右,是多少你实测一下,像我用2.5V的431会低到2V左右,你用的这个我没用过所以具体情况我不太了解。从这里看,你的Vbe反压是一个常态。解决这个问题就是我说串二极管,但一样会影响你起动。我帮不了你多少。

3、你说的加7812类东西去做是没有可能的,大部分的调整芯片(7812类)都要求有3V左右压差才能正常工作,如果你加这类芯片行的话,那你LM5020上自已内部东西就已经行了。另外确实有低压差的调整芯片但是价格比较高,而且用上去会不会过度发热是个未知数。

      你这种低压电源很难做的地方就在这里,你可以考虑在变压器出个辅助电源试试(不知道能改善多少)。

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dolameng
LV.4
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2010-09-06 09:05
@化雪
1、一般电阻会串在集电极,也有串射级。一般这种电源要在变压器上出辅助绕组做辅助电源。依靠C13的回差提供起动能量。但是你的电源功率应该比较小,所以也没做变压器辅助电源。另个就是你的VCC应该耗不了这么大的电流,但是耗多大我不知道。这个串联的电阻就靠你实验去选。低压起动电源本身就是一个比较难做项目,你只能折中一下看看能选多大。2、你可能忽略了一个问题,当你431基准端上电压高于1.4的时候,他阳极电压会降低,不同的431降低程度不同,所以当你高端输入时,基准上电压较高时,431的阳极电压可能会低到1V左右,是多少你实测一下,像我用2.5V的431会低到2V左右,你用的这个我没用过所以具体情况我不太了解。从这里看,你的Vbe反压是一个常态。解决这个问题就是我说串二极管,但一样会影响你起动。我帮不了你多少。3、你说的加7812类东西去做是没有可能的,大部分的调整芯片(7812类)都要求有3V左右压差才能正常工作,如果你加这类芯片行的话,那你LM5020上自已内部东西就已经行了。另外确实有低压差的调整芯片但是价格比较高,而且用上去会不会过度发热是个未知数。    你这种低压电源很难做的地方就在这里,你可以考虑在变压器出个辅助电源试试(不知道能改善多少)。

小弟有不同意见,

关于第二点,VBE常态不应该是一个反压状态,431构成的稳压器,3904在其中应该是一个射随器,以提高带载,不该出现反压。如果VBE会有反压,也应该是在一种特殊情况下出现的。

不知这样理解有什么问题。

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sxjnice
LV.8
13
2010-09-06 09:24
@化雪
[图片] 
好贴,学习了
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cmhabd98
LV.2
14
2012-06-07 21:43
@dolameng
确实如您所说,LMV431的VREF=1.24V,在此处供给LM5020大约10.2V的电压。感谢您的解答。
lm5020的这个应用不好使,输入电压大于18V就不工作了,查不出原因,电路是照抄的。
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17355088865
LV.1
15
2020-12-25 13:05
@化雪
这个电路更像是为提高低压端效率而设1、当输入电压低于11V时,图中的Q1被导通,这时芯片的供电由红框中的电路供电,经R13的电路供电电流降低,当输入电压高时这个电路应该是断开的,而芯片的供电由R13及芯片内部产生,这种方式在国NS芯片做小功率的时比较多见。2、不知道楼上大哥是怎么计算出来11V这个数值的,可不可以给出计算的方式,大家看一下,我想提醒楼上大哥的是,这个电路里,输入端是没有电阻的,所以我很难看出VCC被稳在11V(如果楼上大哥成立的话,好像管子也不对),请楼上大哥再看一下。3、最一开始,我把他看成了一个输入过压保护电路,可是算了一下,又看了一下拓扑感觉也不对,分析更像是一条那样,可是我疑惑的是,如果为了在这么窄的范围提高效率用这种电路成本投入好像不太值,毕竟要用两个半导体,其中一个还是431。所以我很怀疑我的判断而是有的地方我还没注意到,就像楼上大哥所说就是一个辅助电源。4、这个电路或多或少有点问题,首先是上电瞬间,Q1有被电流击穿的可能,楼主可以做几千次开关机试一下,高低端都试一下。第二个问题是,如果这个电路就是为了提高效率而设我判断没错,在高压端431被拉低(有可能低到1点几伏),而VCC由芯片提供了7.7V电压,那么Q1的Vbe反向电压就有可能到5V(有的管子是6V),从而击穿Q1。你自已查Q1参数。这两种损坏,到了生产时,是很难分清。5、你所说的VCC电压,在你的电路里不用担心,如果我上面的分析成立,你的VCC不会高于11V,你的芯片在输入大于12V时,VCC应在7.7V左右。你可以量一下看一下。   对于楼主你量出你的高低端效率,去掉Q1在相同条件再测一次效率,看看低端效率。   还要在加有Q1时,在高端测一下VCC电压,如果电压大于8V以上,那就是我错了,如果是7.7V,那你调低输入到11V以下,看看VCC是不是约等于输入电压(低0.4左右)。如果是那我的判断就应该没错。

膜拜大佬,我想知道有什么型号的国产芯片可以替代这个LM5020?

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