【原创】准谐振反激的设计与应用

准谐振 QR

Q(Quasi)

R( resonant)

主要是降低mosfet的开关损耗，而mos的开关损耗主要是来源于自身的输出电容。

从上图中，大家可以讨论一下，一般的开关损耗来自于那几个部分的寄生电容产生的。

在传统的非连续模式反激DCM)的停滞时间内，寄生电容将会跟VDC周围的主要电感产生振荡。

寄生电容上的电压会随振荡而变化，但始终具有相当大的数值。当下一个周期MOSFET导通时间开始时，寄生电容会通过MOSFET放电，产生很大的电流尖峰。

由于这个电流出现时MOSFET存在一个很大的电压,该电流尖峰因此会做成开关损耗。

当副边绕组中的能量释放完毕之后(即变压器磁通完全复位)，在开关管的漏极出现正弦波振荡电压，振荡频率由L_P、C_P决定，衰减因子由R_P决定。

对于传统的反激式变换器，其工作频率是固定的，因此开关管再次导通有可能出现在振荡电压的任何位置(包括峰顶和谷底)。