【原创】从基础开始－普通二极管讨论

2、不重复最大浪涌电流：

1N4007的定义：8.3毫秒30A

MDD95的定义：10毫秒2800A，8.3毫秒3300A

二者定义的电流都是有效值。从MDD95的定义可以看出，时间越短，允许浪涌电流越大。这是普遍规律。

由于浪涌电流会使二极管在很短的时间内产生大量热，结温快速上升，在器件内部产生机械应力，因此对于大功率二极管模块而言，机械应力容易造成芯片与绝缘基板开裂，浪涌电流要留有足够的余量。

3、最高重复峰值反向电压（耐压）及最大反向电流：

这两个技术参数有一定的关联，放在一起说。

电源中整流桥的损坏常常是耐压问题，如何通过检验对二极管的耐压品质作出判断呢？这是提高产品可靠性的关键。

l         二极管的反向特性曲线必须是硬特性，软特性的二极管反向漏电流必然大，这种情况造成的损坏表现是PCB板变色，烧焦。

l         检验反向耐压的一致性。如果抽检一批二极管，虽然全部达到要求，耐压值的离散性大于20%，在长期使用时就可能有问题。

l         高温反偏试验：抽检，施加80％的反向额定电压（DC），150℃，96小时。这个试验是对二极管耐压的最严厉的考验，如果通过，其耐压品质堪称一流。如果降低要求，施加70％的反向额定电压，其他不变。

坐地板听

这里说的是用于50HZ整流的普通二极管，最大反向电流就是通常说的反向漏电流，是静态值。与快速二极管的反向恢复问题无关。

好。等您继续讲下去。

4、雪崩能量：

简单的说，雪崩能量的大小，表明了二极管抵抗过电压击穿的能力。

电网情况可能是很糟糕的，大电机启动和停止的瞬时，大可控硅开通的瞬时，雷击等等，都会在电网上产生很高的电压尖峰。整流桥是直接与电网连接的，所以，有可能过压击穿。但是，只要二极管所承受的过压击穿的能量小于雪崩能量，二极管是不会损坏的。各家公司生产的二极管雪崩能量是有差异的，可是，几乎所有的普通二极管产品规格书都没有这项数据。

雪崩能量的量纲是什么呢？

它到底是用一个能量来表示还是用一个电压来表示呢

呵呵

这个150℃很严酷呀，是环境温度吗？此时的漏电流极限要求不超过多少？

但安规电容的雪崩，在上贴中怎么用耐压表示呢？

很抱歉，是我没有把问题说清楚，让你误解了。

呵呵，谢谢你的讲解。

请继续开始。。。

150℃是结温。该检验方法由MICROSEMI公司提供，此时的漏电流要求我没有问。

据MICROSEMI公司的技术人员说此关非常难，所以可以降低要求，施加70％的反向额定电压。而MICROSEMI公司的产品都是按80％的反向额定电压。

结温都是通过计算得到的，无法测量

如果是常温（比如说25℃）的环境温度，那么施加100%的反向电压来试验，是否可以

我认为不可以，难道你的产品中的二极管只在结温25℃的情况下工作吗？因为在25℃的环境温度，漏电流产生的温升几乎为零。恰当的做法是：粗略计算一下漏电流可能引起的温升，适当降低环境温度，在100－120℃内选择可能比较合理。

一般情况下，100℃时的漏电流是25℃时的10倍。

施加100%的反向电压是没有必要的，因为在设计整流桥的耐压时，要取交流半波峰值的2倍以上。

给你搬张凳子。。。

给你搬张凳子。。。

专程来顶的

5、严厉的可靠性试验

高温存放（HTSL）：150℃，48小时

高低温循环（TCT）：高温 TA＝TVJM  30分钟，低温 TA＝TVJI  30分钟，，TRANSFERRING≤5分钟，循环10次

高压蒸煮（PCT）：15P.S.I@121℃，48小时

高温反偏（HTRB）：TJ＝150℃，VBR＝80％VRRM，96小时

功率老化（ACOL）：I=IO，96小时

以上就是MICROSEMI公司大功率二极管模块的可靠性试验

TVJM＝150℃ ， TVJI＝-40℃

P.S.I ＝ pounds per square inch 磅/平方英寸

6、知名品牌二极管模块的排名

品质：最优－－优－－良

排名：MICROSEMI――IXYS――SEMIKRON

价格：高――中――低

排名：SEMIKRON――IXYS――MICROSEMI

啊。那microsemi品质最优，价格反而最低？

是！

美国和中国的航空都只用MICROSEMI产品。

IXYS,SEMIKRON都不能上航空。

广而告之？