BUCK-BOOST升压电路,输入12V,输出20V2A,频率约40kHz.电路如图
问题是功率管发热严重,示波器看功率管导通时压降约1.2V到2.2V,奇怪的很.
问题困扰了很久,初次做电源电路,请各位同行指点迷津,谢谢了!
求教:BUCK-BOOST升压电源的奇怪现象 汇报一
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电路错了！D14阴极到GND接些电容试试。
@让你记得我的好
这要看他后面电路对电源的具体使用情况了。比如，他后级电路和前面不共地，后面的地是前面的V+，那么他这么接线也是对的呀。而且，不管是他这么接线，还是接成BOOST形式的。都解释不了3710导通后VDS电压那么高。
Q1的开关速度被前面的图腾拖累了，建议增加RG电阻1-10欧姆的，Q13和Q10建议选用8050和8550，放大倍数一致要好，你现在的9014和9012都不是同一级别的器件，9014放大倍数远大于9012，就算放大倍数一样也不是能实现同步开关，所以你用起来的话VGS起始电压会比较高的，而在PWM低电平的时候，9012没有足够的放大能力，没能及时把GS电容放电，因为你用的是40KHZ的频率，9012开关时间慢，MOS类似工作在线性放大模式，你的DS波形已经说明了MOS处于线性和开关的临界状态，1.2V是接近开关模式，1.2V到2.2V时候完全是放大状态。MOS就会很热，希望我的回复能帮你解决问题。下面是一些参考：
这个电路看似简单，其实用起来要考虑的还比较多，简单谈谈个人的看法，先声明一下，只是随手总结，可能有不对或不足之处，
1）首先要确定的是你需要多少的驱动能力？要驱动的负载（一般可认为是功率管）有多少？以MOSFET为例，驱动其实就是对MOS的门级电容的充放电，这就要考虑你有几个MOS并联，门级电容有多大？MOS的Rg 有多大，加上驱动回路寄生电感等，其实就是一个LRC串联回路。
2）驱动能力用个简化的公式来算就是I=C*Du/Dt，MOS的门级电容先确定，再来考虑你准备要几V的门级电压，然后就是这个电压建立和消除的时间，也就牵涉到MOS的开通关断速度，这会直接影响到功率管的损耗及其它问题，如应力等。这几个想好了，所要的驱动电流也就出来了。
3)得到这个所要的驱动电流，再考虑上驱动回路的一堆寄生参数等，也就可以推出你图腾柱电路需提供多少驱动电流（注意这是个脉冲电流）。
4）这个时候再考虑的就是你PCB板layout的空间，位置，准备为这个电路花多少钱选器件，用MOS还是BJT，综合考虑，然后就想办法选器件吧，当然还要考虑IC的输出信号和你选的图腾柱器件（MOS或BJT）之间也是个回路，这会不会有问题？
5) 另外要考虑的是，这个图腾柱能不能彻底关掉，这就又要考虑N在上还是P在上，正开还是负开,比如选用PMOS做关断，关断时图腾柱输出会仍有一个等于Vgs电压的电压加在你的负载MOS上，如果这个电压高于你的负载MOS门槛的话，----这就意味着你没关掉，虽然你前面关掉了。更痛苦的是，前面和后面的MOS门槛电压tolerance都会非常大，再考虑到温度系数，......这要坐下来算算了
6）还要重点考虑的是图腾柱的器件也是要损耗功率的，所以要考虑它的温度及功耗会不会有问题。
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@fsxqw
Q1的开关速度被前面的图腾拖累了，建议增加RG电阻1-10欧姆的，Q13和Q10建议选用8050和8550，放大倍数一致要好，你现在的9014和9012都不是同一级别的器件，9014放大倍数远大于9012，就算放大倍数一样也不是能实现同步开关，所以你用起来的话VGS起始电压会比较高的，而在PWM低电平的时候，9012没有足够的放大能力，没能及时把GS电容放电，因为你用的是40KHZ的频率，9012开关时间慢，MOS类似工作在线性放大模式，你的DS波形已经说明了MOS处于线性和开关的临界状态，1.2V是接近开关模式，1.2V到2.2V时候完全是放大状态。MOS就会很热，希望我的回复能帮你解决问题。下面是一些参考：这个电路看似简单，其实用起来要考虑的还比较多，简单谈谈个人的看法，先声明一下，只是随手总结，可能有不对或不足之处，1）首先要确定的是你需要多少的驱动能力？要驱动的负载（一般可认为是功率管）有多少？以MOSFET为例，驱动其实就是对MOS的门级电容的充放电，这就要考虑你有几个MOS并联，门级电容有多大？MOS的Rg有多大，加上驱动回路寄生电感等，其实就是一个LRC串联回路。2）驱动能力用个简化的公式来算就是I=C*Du/Dt，MOS的门级电容先确定，再来考虑你准备要几V的门级电压，然后就是这个电压建立和消除的时间，也就牵涉到MOS的开通关断速度，这会直接影响到功率管的损耗及其它问题，如应力等。这几个想好了，所要的驱动电流也就出来了。3)得到这个所要的驱动电流，再考虑上驱动回路的一堆寄生参数等，也就可以推出你图腾柱电路需提供多少驱动电流（注意这是个脉冲电流）。4）这个时候再考虑的就是你PCB板layout的空间，位置，准备为这个电路花多少钱选器件，用MOS还是BJT，综合考虑，然后就想办法选器件吧，当然还要考虑IC的输出信号和你选的图腾柱器件（MOS或BJT）之间也是个回路，这会不会有问题？5)另外要考虑的是，这个图腾柱能不能彻底关掉，这就又要考虑N在上还是P在上，正开还是负开,比如选用PMOS做关断，关断时图腾柱输出会仍有一个等于Vgs电压的电压加在你的负载MOS上，如果这个电压高于你的负载MOS门槛的话，----这就意味着你没关掉，虽然你前面关掉了。更痛苦的是，前面和后面的MOS门槛电压tolerance都会非常大，再考虑到温度系数，......这要坐下来算算了6）还要重点考虑的是图腾柱的器件也是要损耗功率的，所以要考虑它的温度及功耗会不会有问题。
驱动换成8050和8550没改善，明天加RG试试，MOS还管用过IRF540和60N10，现象相同。三极管推动MOS好像用的挺多的。
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过压了吧！@as9901
图:1.VGS2V/Div下面的亮线是0伏[图片] 2.VDS10V/Div[图片] 3.VDS0.5V/DIV下面的亮线是0伏[图片]4.电感电流串入0.1欧电阻测的0.5V/Div下面的亮线是0伏[图片]
从电感电流波形看，电感电流最小的时候，有4A左右，最大的时候，有12A左右？请确认是这样吗？因为图看的不太清楚。
你的输出只有20V/2A，你不觉得这个电感的输出电流太大了些吗？
另外，给你贴一下IRF3710datasheet上的截图
看我红线标出来的地方，当MOS的结温175度时，ID=12A左右，VDS大约0.7V不到。与你实测的虽然还有不小差距，但好像没有数量级的差别了。
我觉得你首先要确认电感电流的问题。
静候佳音！
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@让你记得我的好
从电感电流波形看，电感电流最小的时候，有4A左右，最大的时候，有12A左右？请确认是这样吗？因为图看的不太清楚。你的输出只有20V/2A，你不觉得这个电感的输出电流太大了些吗？另外，给你贴一下IRF3710datasheet上的截图[图片] 看我红线标出来的地方，当MOS的结温175度时，ID=12A左右，VDS大约0.7V不到。与你实测的虽然还有不小差距，但好像没有数量级的差别了。我觉得你首先要确认电感电流的问题。静候佳音！
电感电流差不太多,因为效率有70%多,算上占空比等就差不多了.我测过管子压降具体数字记不清了,不过10A电流时肯定比1V低很多,我再测一下
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