【原创】MOSFET的驱动技术详解

首先，来做一个实验，把一个MOSFET的G悬空，然后在DS上加电压，那么会出现什么情况呢？很多工程师都知道，MOS会导通甚至击穿。这是为什么呢？因为我根本没有加驱动电压，MOS怎么会导通？用下面的图，来做个仿真：

去探测G极的电压，发现电压波形如下：

G极的电压居然有4V多，难怪MOSFET会导通，这是因为MOSFET的寄生参数在捣鬼。

关于MOSFET的寄生参数的描述，可以参考蜘蛛先生的帖子：http://bbs.dianyuan.com/topic/579603

期待啊%&……

这种情况有什么危害呢？实际情况下，MOS肯定有驱动电路的么，要么导通，要么关掉。问题就出在开机，或者关机的时候，最主要是开机的时候，此时你的驱动电路还没上电。但是输入上电了，由于驱动电路没有工作，G级的电荷无法被释放，就容易导致MOS导通击穿。那么怎么解决呢？

在GS之间并一个电阻.

那么仿真的结果呢:

几乎为0V.

什么叫驱动能力，很多PWM芯片，或者专门的驱动芯片都会说驱动能力，比如384X的驱动能力为1A，其含义是什么呢？

假如驱动是个理想脉冲源，那么其驱动能力就是无穷大，想提供多大电流就给多大。但实际中，驱动是有内阻的，假设其内阻为10欧姆，在10V电压下，最多能提供的峰值电流就是1A，通常也认为其驱动能力为1A。

那什么叫驱动电阻呢，通常驱动器和MOS的G极之间，会串一个电阻，就如下图的R3。

驱动电阻的作用，如果你的驱动走线很长，驱动电阻可以对走线电感和MOS结电容引起的震荡起阻尼作用。但是通常，现在的PCB走线都很紧凑，走线电感非常小。

第二个，重要作用就是调解驱动器的驱动能力，调节开关速度。当然只能降低驱动能力，而不能提高。

对上图进行仿真，R3分别取1欧姆，和100欧姆。下图是MOS的G极的电压波形上升沿。

红色波形为R3=1欧姆，绿色为R3=100欧姆。可以看到，当R3比较大时，驱动就有点力不从心了，特别在处理米勒效应的时候，驱动电压上升很缓慢。

下图，是驱动的下降沿 

sometimes老兄，您分析的很完美，请问您一个问题

如果一个电源根据功率算出来的是需要7A的MOS，那么

需要多大的驱动电流了，有没能公式了。

谢谢

沙发，板凳都没了，站着听

好贴，找个沙地躺着听！

今天再来听课，谢谢

同样标称7A的mos，不同的厂家，不同的器件，参数是不一样的。所以没有什么公式可以去计算。

那么驱动的快慢对MOS的开关有什么影响呢？下图是MOS导通时候DS的电压：

红色的是R3=1欧姆，绿色的是R3=100欧姆。可见R3越大，MOS的导通速度越慢。

下图是电流波形

红色的是R3=1欧姆，绿色的是R3=100欧姆。可见R3越大，MOS的导通速度越慢。

可以看到，驱动电阻增加可以降低MOS开关的时候得电压电流的变化率。比较慢的开关速度，对EMI有好处。下图是对两个不同驱动情况下，MOS的DS电压波形做付利叶分析得到

红色的是R3=1欧姆，绿色的是R3=100欧姆。可见，驱动电阻大的时候，高频谐波明显变小。

但是驱动速度慢，又有什么坏处呢？那就是开关损耗大了，下图是不同驱动电阻下，导通损耗的功率曲线。

红色的是R3=1欧姆，绿色的是R3=100欧姆。可见，驱动电阻大的时候，损耗明显大了。

结论：驱动电阻到底选多大？还真难讲，小了，EMI不好，大了，效率不好。

所以只能一个折中的选择了。

那如果，开通和关断的速度要分别调节，怎么办？就用以下电路。

有问题想请教下楼主，最近在调试全桥电路，发现当输入电压加到100V的时候驱动波形就不对了，Vgs会出现一个跌落，如示波器截图所示，输入电压再升高一些就会出现桥臂直通的情况，同一桥臂的两个管子就烧掉了。我是利用光耦A3120来驱动桥臂的四个开关管的。希望得到您的帮助，谢谢了！

你的波形呢？

有可能是驱动能力不够

楼主用的什么仿真软件？看起来功能很强大，还可以仿真EMI 频谱，

是否有破解版可以学习一下

这个是simetrix，网上应该有demo版本的。