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IGBT驱动

IGBT驱动问题是一个老生长谈的话题,其实世面上,带过流保护功能的光耦驱动种类已经不少了。但是这种驱动光耦用在感应加热电源上还不成熟。因为加热电源总是根据负载的变化,工作频率也一直在变化。这就导致IGBT上下桥直通的情况非常容易发生。大多数坏掉IGBT的现象都是过流保护做的不好导致的。简单的过流检测线圈反馈在这点上也不能很好的解决问题,最好的办法就是随时检测IGBT上下桥臂直通,然后立即反馈去关断驱动波形。检测IGBT的集射极压降是一个办法,但是如何检测这个压降呢?


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suile97
LV.6
2
2010-05-03 10:50
检测集射极压降,因为随着集射极电流的增加,压降也会增大。现在是一个非常普遍的方法,包括知名的公司也是这么再做。但是我认为这不是一个很好的办法,因为检测到这个压降,意味着IGBT已经发生了过流,保护动作启动虽然保护了IGBT,但是IGBT已经受到了损害,这直接影响了IGBT的寿命。
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suile97
LV.6
3
2010-05-03 10:54
举个例子:控制芯片采用SG3525,单纯的增加死区时间,会增加IGBT的安全性吗?增加了死区时间,对IGBT的吸收电路又有什么新的要求呢?
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suile97
LV.6
4
2010-05-03 11:30
或者说 有没有更好的办法,去检测两路的驱动波形。
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suile97
LV.6
5
2010-05-03 11:34
@suile97
举个例子:控制芯片采用SG3525,单纯的增加死区时间,会增加IGBT的安全性吗?增加了死区时间,对IGBT的吸收电路又有什么新的要求呢?
我的想法是:利用3525的4脚(振荡器输出端)波形,该脚处的波形是占空比很小的方波。方波高电平时,输出肯定是封锁的,(可以理解为死区时间)。只是该处波形的频率是 输出驱动波形频率的2倍。
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suile97
LV.6
6
2010-05-03 11:38
@suile97
我的想法是:利用3525的4脚(振荡器输出端)波形,该脚处的波形是占空比很小的方波。方波高电平时,输出肯定是封锁的,(可以理解为死区时间)。只是该处波形的频率是输出驱动波形频率的2倍。
直接利用该脚的高电平去封锁驱动脉冲可行吗(实际IC中,应该也是封锁的)?
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