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4MH开关频率下MOS的驱动问题

全桥电路要求开关频率4MH,MOS的Qg=35nc,互补驱动,要求死区时间占总周期的10%.大家有没有驱动此MOS的号方法.
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wsl001
LV.2
2
2009-11-12 12:01
自己顶一下,各位多帮忙呀    谢谢   着急呀
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hypower
LV.7
3
2009-11-12 16:32
@wsl001
自己顶一下,各位多帮忙呀    谢谢  着急呀
这个不知能用不能用

TC4427.pdf
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闲人
LV.5
4
2009-11-12 19:59
这么高的频率,那驱动损耗得有多大?
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hjdng
LV.3
5
2009-11-13 08:12
4M?有这么快吗?没有怎么高的频率驱动器吧,就是有,电路布局也是难事.
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wsl001
LV.2
6
2009-11-13 09:41
@hypower
这个不知能用不能用TC4427.pdf
感谢推荐, 一般芯片在这个频率下很热.我用UCC27324在1M频率下做过试验,结果热的厉害.我考虑要在这个频率下驱动要考虑一下两点1:驱动速度要足够快,这要求驱动器瞬时电流足够大.2:驱动能量的循环利用.
   美国已经有在4M下能量循环利用的MOS驱动技术, 最近我也在设计此类电路,基本思路应该是用小MOS来驱动大MOS的开启,MOS放电时应该加电路吧放电能量循环利用. 可以考虑用驱动变压器参与能量的循环利用.
   让我们一起努力把这个电路做出来吧!
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wsl001
LV.2
7
2009-11-13 09:42
@闲人
这么高的频率,那驱动损耗得有多大?
请看上贴,有兴趣帮忙设计一下把
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why_why
LV.3
8
2009-11-15 15:20
需要降低QG,QG=11的我做过,效果尚可.采用低电压驱动,例如MOS完全开启要5v,则用6V驱动即可,减少充放电的电荷数.要是用15v驱动,那会烧毁驱动芯片的.
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wsl001
LV.2
9
2009-11-17 12:24
@why_why
需要降低QG,QG=11的我做过,效果尚可.采用低电压驱动,例如MOS完全开启要5v,则用6V驱动即可,减少充放电的电荷数.要是用15v驱动,那会烧毁驱动芯片的.
请问你做过的是驱动几颗MOS呀  我的是4颗   而且栅电荷比较大    每个有30几nC   减小驱动电平的方法试了  有改善    但是不理想     你做的时候用的是哪颗IC?
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