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  • 关于单硅、双硅、四硅机的对比讨论

    • 关于单硅、双硅、四硅机的对比讨论

  • 2009-09-16 12:38

    • haibin

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    • 目前网上讨论得最多机种就属这几种,抛砖引玉,先谈谈自己对这几种机子的看法:
    单硅:结构简单、可靠性高、成本低、可控硅的耐压需求比较低(可低到等于输入电压),输出电压峰值最高可以到二倍输入电压,应该是目前的主流,性价比最高;
    双硅:比单硅多了一个可调节输出脉宽的功能,其他电气特性差不多,实践证明,在低输出电压(1KV以下)的情况下,比单硅的效果要好一点,耗电量比单硅大(同等输入电压,同等输出频率),但如在输出高压的情况(1KV以上),与单硅相比,效果方面并无明显优势,但耗电却大增;
    四硅:结构复杂,成本较高,且有存在共通风险,对控制要求比较高,与单硅相比,在同等驱动频率下,输出电压频率是单硅的两倍,在同等直流输入情况下,输出电压峰值最高可以到两倍输入电压,与单硅相比,输出波形小了一个谐振产生的平台,比较光滑,省一点电,但性价比不高.
    以上是个人对这几种机子的看法,欢迎大家拍砖.

    同是电子工程师，请一定不要吝啬你的赞！

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  • jingwei

    LV.1

    2009-09-16 13:30

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    做个沙发.
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  • isotop

    LV.1

    2009-09-16 14:01

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  • 一个电子

    LV.1

    2009-09-16 14:05

    @isotop

     

    各有好处.
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  • wang640909

    LV.1

    2009-09-16 14:20

    @一个电子

    各有好处.
    楼主你能否从理论角度计算一下你上面所说的1.5倍或者4倍电压的原因吗??
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  • haibin

    LV.1

    2009-09-16 14:26

    @isotop

     

    共通风险,在这里并不是指你驱动的部分造成的共通问题,而是你长时间、高低温状态下使用,因元器件特性参数产生差异,而导致的全桥上下对管的导通不同步情况,在这个情况下会造成慢一点开通的管子的承受过压而特性变坏,最后击穿,从而造成共通!
    如果是驱动部分的共通,那好解决,只要驱动脉宽占空比在50%以下(不要太靠近)、留有足够的死区时间、驱动的最高频率低于LC的谐振频率就不会有问题,最好是用TL494这样专用的可以调节死区时间的驱动芯片,如果巧妙地利用变压器,也可以串上电容,用555这样的芯片做驱动!
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  • 冰天雪地

    LV.1

    2009-09-16 18:29

    @haibin

    共通风险,在这里并不是指你驱动的部分造成的共通问题,而是你长时间、高低温状态下使用,因元器件特性参数产生差异,而导致的全桥上下对管的导通不同步情况,在这个情况下会造成慢一点开通的管子的承受过压而特性变坏,最后击穿,从而造成共通!
    如果是驱动部分的共通,那好解决,只要驱动脉宽占空比在50%以下(不要太靠近)、留有足够的死区时间、驱动的最高频率低于LC的谐振频率就不会有问题,最好是用TL494这样专用的可以调节死区时间的驱动芯片,如果巧妙地利用变压器,也可以串上电容,用555这样的芯片做驱动!
    ?!
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  • dfxhdq

    LV.1

    2009-09-27 21:38

    @冰天雪地

    ?!
    呵呵,很快就会适合4硅了!!!
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  • tby2008

    LV.1

    2009-09-28 08:55

    @dfxhdq

    呵呵,很快就会适合4硅了!!!
    占位...
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  • 龙王恨

    LV.1

    2009-09-30 19:26

    @

    我就爱高频机,不管几硅我都喜欢
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  • haibin

    LV.1

    2009-10-10 15:37

    @

    顶起!
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