二次测的整流二极管一般都会在其两端并联RC snubber,有的也会在变压器的输出端并联.请问这两种情况有什么不同,另外R.C的取值与什么有关,产生的spike与什么有关?是Irr?反向恢复时间?二次测漏感?具体有什么关系?可推导出来吗?flyback无续流二极管,会不会与forward的RCsnubber有不同吗?小弟看了许多文章,好像都没有一个定论,各有各的不同,有的就直接来一个公式,都不知道是怎么来的.
小弟现在求教各位前辈指点一二..
关于二次测snubber电路求教
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@zgh468
為甚麼要乘以砸數比呢?我看有的並沒有這一項,直接就是根號那塊.我目前所接觸的,好像變壓器的spec都只有對一次側的漏感有要求,但是好像並沒有對二次側的漏感有限制其規格.不知道這是為甚麼?
leakage inductance requirement in the spec is just an parameter controlling the winding method. Usually, the primary leakage inductance change to big means some mistake in the transformer. and when the structure and primary inductance, primary leakage inductance were fix, the sec. leakage inductance also fix.
That is why sec. inductance do not be test.
That is why sec. inductance do not be test.
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@gwwater
leakageinductancerequirementinthespecisjustanparametercontrollingthewindingmethod.Usually,theprimaryleakageinductancechangetobigmeanssomemistakeinthetransformer.andwhenthestructureandprimaryinductance,primaryleakageinductancewerefix,thesec.leakageinductancealsofix.Thatiswhysec.inductancedonotbetest.
gwwater:确定了一次测感值,漏感,架构,二次册的漏感就确定了吗?请问这是怎么算出来的?小弟愚笨,请赐教
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我前段时间正好对一个正激变换器的二次侧snubber电路进行了调试
在此把个人的心得写下来:
二次侧绕组上产生的电压尖峰实际上是整流管与续流管产生的电压尖峰的组合
而任意一个管子的电压尖峰的产生皆来源于该管子的Irr与二次侧漏感,其推导在上面某份帖子提供的资料里能找到较接近的的电路模型.
snubber电路有三种接法:接在二次侧绕组两端、整流管两端或续流管两端.
第一种接法对整流管,续流管产生的尖峰均有吸收作用,而后两者只吸收其所并联的管子的尖峰,且第一、三种接法的同时使用对续流管尖峰的吸收作用等效于将两吸收电路同时并联于续流管上(这句话有点拗口).
在此把个人的心得写下来:
二次侧绕组上产生的电压尖峰实际上是整流管与续流管产生的电压尖峰的组合
而任意一个管子的电压尖峰的产生皆来源于该管子的Irr与二次侧漏感,其推导在上面某份帖子提供的资料里能找到较接近的的电路模型.
snubber电路有三种接法:接在二次侧绕组两端、整流管两端或续流管两端.
第一种接法对整流管,续流管产生的尖峰均有吸收作用,而后两者只吸收其所并联的管子的尖峰,且第一、三种接法的同时使用对续流管尖峰的吸收作用等效于将两吸收电路同时并联于续流管上(这句话有点拗口).
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@zgh468
gwwater:确定了一次测感值,漏感,架构,二次册的漏感就确定了吗?请问这是怎么算出来的?小弟愚笨,请赐教
漏感的测量结果其实跟测量方法有一定的关系,
以下为实验证实:
一个三绕组的变压器(A,B,C绕组),某一绕组(A)的漏感值会决定于其他两个绕组的短接情况,例如,仅短接B,仅短接C或同时短接B、C时测得的A的漏感会不同,仔细分析会发现这与漏感的定义有关,
个人分析:不同的电路工作模态下需要分析的漏感值会决定于绕组的工作状态,例如,二次测与一次测同时工作时,复位绕组处于截止状态,此时所讨论的二次侧漏感应该为仅短接一次侧绕组所测得的二次侧漏感.
以下为实验证实:
一个三绕组的变压器(A,B,C绕组),某一绕组(A)的漏感值会决定于其他两个绕组的短接情况,例如,仅短接B,仅短接C或同时短接B、C时测得的A的漏感会不同,仔细分析会发现这与漏感的定义有关,
个人分析:不同的电路工作模态下需要分析的漏感值会决定于绕组的工作状态,例如,二次测与一次测同时工作时,复位绕组处于截止状态,此时所讨论的二次侧漏感应该为仅短接一次侧绕组所测得的二次侧漏感.
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@eastlaker
我前段时间正好对一个正激变换器的二次侧snubber电路进行了调试在此把个人的心得写下来:二次侧绕组上产生的电压尖峰实际上是整流管与续流管产生的电压尖峰的组合而任意一个管子的电压尖峰的产生皆来源于该管子的Irr与二次侧漏感,其推导在上面某份帖子提供的资料里能找到较接近的的电路模型.snubber电路有三种接法:接在二次侧绕组两端、整流管两端或续流管两端.第一种接法对整流管,续流管产生的尖峰均有吸收作用,而后两者只吸收其所并联的管子的尖峰,且第一、三种接法的同时使用对续流管尖峰的吸收作用等效于将两吸收电路同时并联于续流管上(这句话有点拗口).
但是那分资料的推导过程,我始终觉得不大正确.就我目前接触的RCsnubber用于二次测的.一般我看R=10到50欧之间,电容一般取4700pf.如果依据公式算来,那就差的太远了.一般Irr都好小,如果Rbase=Vd/Irr,那么Rbase就显得好大了.
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