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有没有这样结构的开关电源?
有没有这样结构的开关电源?
变压器初级是占空比50%固定脉宽和频率的全桥半桥推挽等结构,次极为同步整流,然后控制次极同步整流的占空比来实现稳压或稳流,这种结构存在吗?请各位高手指教.画个示意图:
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xuzhx
LV.4
2
2005-09-12 11:50
自己顶一下
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剑心
LV.8
3
2005-09-12 12:24
ICEPower D类功放
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st.you
LV.10
4
2005-09-12 13:43
有.
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xuzhx
LV.4
5
2005-09-12 13:44
@剑心
ICEPowerD类功放
是电源,不是功放,我没说清楚吗?D类功放是SPWM.
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xuzhx
LV.4
6
2005-09-12 14:12
@st.you
有.
请问你做过这样的电源吗?
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st.you
LV.10
7
2005-09-12 16:08
@xuzhx
请问你做过这样的电源吗?
我只见过次级整流后再稳压的.
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xuzhx
LV.4
8
2005-09-12 17:18
@xuzhx
自己顶一下
我的图有问题,加续流二极管,PMOSFET认为是单向导电器件,没有体二极管,把它看成三极管吧.
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xuzhx
LV.4
9
2005-09-12 17:20
@st.you
我只见过次级整流后再稳压的.
就是说整流后,滤波电感前加个MOSFET吗?
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st.you
LV.10
10
2005-09-12 18:00
@xuzhx
就是说整流后,滤波电感前加个MOSFET吗?
是整流滤波后再加一级稳压.
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剑心
LV.8
11
2005-09-15 12:15
@xuzhx
是电源,不是功放,我没说清楚吗?D类功放是SPWM.
能用来做功放就能用来做电源,但是这个貌似有专利的.
google一下ICEPower试试
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tanguojian
LV.5
12
2005-09-15 15:34
@xuzhx
我的图有问题,加续流二极管,PMOSFET认为是单向导电器件,没有体二极管,把它看成三极管吧.
PMOS 真的没有体二极管吗?
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xuzhx
LV.4
13
2005-09-15 15:40
@tanguojian
PMOS真的没有体二极管吗?
我是假设,一般MOS衬底都和源极相连,所以都存在体二极管.
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tanguojian
LV.5
14
2005-09-15 15:43
@xuzhx
我是假设,一般MOS衬底都和源极相连,所以都存在体二极管.
那好像就行不通了啊
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xuzhx
LV.4
15
2005-09-15 15:46
@tanguojian
那好像就行不通了啊
晕,用PNP三极管总可以了吧
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xuzhx
LV.4
16
2005-09-15 15:48
@st.you
是整流滤波后再加一级稳压.
如果要是在滤波前,整流后,应该有软开关的条件.
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tanguojian
LV.5
17
2005-09-15 15:54
@xuzhx
晕,用PNP三极管总可以了吧
会热坏掉的,退出饱和太慢了
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xuzhx
LV.4
18
2005-09-15 16:06
@tanguojian
会热坏掉的,退出饱和太慢了
那把PMOSFET换成二极管,然后后面接个PMOSFET,再后面续流二极管、电感等.关键是讨论这种电路形式,我觉得这种形式存在原边软开关的条件.
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tanguojian
LV.5
19
2005-09-15 16:09
@xuzhx
那把PMOSFET换成二极管,然后后面接个PMOSFET,再后面续流二极管、电感等.关键是讨论这种电路形式,我觉得这种形式存在原边软开关的条件.
呵呵,的确,二极管的开通并不占满50%,前后都留出时间的话,就可以了,控制起来比较麻烦啊,
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xuzhx
LV.4
20
2005-09-15 16:25
@tanguojian
呵呵,的确,二极管的开通并不占满50%,前后都留出时间的话,就可以了,控制起来比较麻烦啊,
俺觉得对原边来讲用门就可以搭,用IR的自震荡半桥驱动片子也行,原边副边用小信号变压器做偶合,所有信号处理都在副边,都可以是直接偶合,对环路速度很有好处,原边有软开关条件,应该是可靠性比较高,不知道你觉得如何?
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tanguojian
LV.5
21
2005-09-15 16:34
@xuzhx
俺觉得对原边来讲用门就可以搭,用IR的自震荡半桥驱动片子也行,原边副边用小信号变压器做偶合,所有信号处理都在副边,都可以是直接偶合,对环路速度很有好处,原边有软开关条件,应该是可靠性比较高,不知道你觉得如何?
的确如你所言
但是副边的这个“开关”怎么做损耗都比较大啊,一般来说,副边的电流都比较大
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020046
LV.4
22
2005-09-15 16:50
这种形式可以存在,采用低压端占空比稳压也行,回授电压控制同步MOS的导通时间.
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xuzhx
LV.4
23
2005-09-15 16:57
@tanguojian
的确如你所言但是副边的这个“开关”怎么做损耗都比较大啊,一般来说,副边的电流都比较大
如果PMOSFET封装的时候,衬底和源极分离,成为没有体二极管的器件,就象模拟开关内部的MOSFET一样,那么就可以用它做同步整流了兼脉宽控制了,怎么也比二极管损耗小啊,可惜就是没有这样的MOSFET啊
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