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L6561MOS管发热大怎么办

L6561MOS管发热大怎么办?我是新手,该调哪些部分?
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trust_me
LV.6
2
2005-08-13 13:42
是多大?有做過高壓高溫試驗嗎?貼個電路與參數吧.
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lxkrzm
LV.2
3
2005-08-13 14:28
@trust_me
是多大?有做過高壓高溫試驗嗎?貼個電路與參數吧.
MOS温度70度,是IRF830,栅极电阻10欧,栅源间47欧,
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trust_me
LV.6
4
2005-08-13 14:40
@lxkrzm
MOS温度70度,是IRF830,栅极电阻10欧,栅源间47欧,
做什么燈管?什麼電壓都沒有!??????
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lxkrzm
LV.2
5
2005-08-13 15:01
@trust_me
做什么燈管?什麼電壓都沒有!??????
220v分体节能灯功率105W
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2005-08-14 20:50
@lxkrzm
220v分体节能灯功率105W
105W用irf830做到70度基本上已经不算高了
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yzm800112
LV.5
7
2005-08-15 09:11
@lxkrzm
MOS温度70度,是IRF830,栅极电阻10欧,栅源间47欧,
做多大功率的?可能是MOSFET 的电流小了.用个IR840试试
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rodman
LV.6
8
2005-08-15 13:58
@yzm800112
做多大功率的?可能是MOSFET的电流小了.用个IR840试试
我给你个方法:减小电感量,注意PCB布线规则!
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2005-08-18 20:48
从仅有的几个参数来看,G,S极间的电阻明显过小,这样会减小门极充电电流,从而增加开通时间,使得开通损耗大大增加,建议取数十k的电阻.
另外,可以在门极电阻上反向并联一个4148,这样可以加速FET门极电荷的泄放,减小关断时间,从而减小关断损耗.
另外请关注MOSFET的Coss这个参数,它与开通损耗也有很大的关系,建议取Coss小的FET.你这个PFC功率不大,通态损耗占不了很大的比例,与Coss存储电荷相关的损耗应该占了比较大的比例.
另外,在PFC Choke磁芯不饱和的前提下,感值越大越好,因为开关频率会随着感值的增加线性降低,从而可以大体上线性降低FET的开关损耗.而且对EMI也有好处.减小感值的办法是完全错误的,只能增加损耗,决不可取.
如果还不行,可以考虑加一个RCD Snubber,这样可以软化FET关断电压波形,从而降低其关断损耗,但是这样总的损耗并没有减小,只是转移到了 RCD 的 R 上.一般来说,你这个功率等级基本上不需要加这个东西.
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cxminger
LV.4
10
2005-08-18 22:38
@非是藉秋风
从仅有的几个参数来看,G,S极间的电阻明显过小,这样会减小门极充电电流,从而增加开通时间,使得开通损耗大大增加,建议取数十k的电阻.另外,可以在门极电阻上反向并联一个4148,这样可以加速FET门极电荷的泄放,减小关断时间,从而减小关断损耗.另外请关注MOSFET的Coss这个参数,它与开通损耗也有很大的关系,建议取Coss小的FET.你这个PFC功率不大,通态损耗占不了很大的比例,与Coss存储电荷相关的损耗应该占了比较大的比例.另外,在PFCChoke磁芯不饱和的前提下,感值越大越好,因为开关频率会随着感值的增加线性降低,从而可以大体上线性降低FET的开关损耗.而且对EMI也有好处.减小感值的办法是完全错误的,只能增加损耗,决不可取.如果还不行,可以考虑加一个RCDSnubber,这样可以软化FET关断电压波形,从而降低其关断损耗,但是这样总的损耗并没有减小,只是转移到了RCD的R上.一般来说,你这个功率等级基本上不需要加这个东西.
YES,说的太对了.顶死你.
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