mosfet的驱动电流和栅极电阻Rg的选择问题大家可以讨论一下吗?

在一篇资料(MICROCHIP的)上看到了这个计算公式它还否定了以前我们常用的计算公式(switch power design上的公式),我按照他说的计算了一下,可和switch power design上的公式有明显的差别而且还比较悬殊．

IG = QG/t导通   t导通=86+16=102ns  QG=140nc
则IG = QG/t导通=140/102=1.37A(IRFP250)(IR公司的)
UC384X系列芯片驱动存在问题.
IG = QG/t导通   t导通=125+18=144ns  QG=79nc(TYPE)
则IG = QG/t导通=79/144=0.55A(IRFP250)(FAIRCHILD公司的)
IG = QG/t导通   t导通=180+30=210ns  QG=120nc(MAX)
则IG = QG/t导通=120/210=0.57A(IRFP250)(FAIRCHILD公司的)
IG = QG/t导通   t导通=105+20=125ns  QG=55nc(min)(IR公司的)
数据不全
IG = QG/t导通   t导通=190+35=225ns  QG=155nc(max)(IR公司的)
则IG = QG/t导通=60/125=0.69A(2N6766)


如果按照输入电容的公式进行计算是这样的,差别很大