请教充电器的ESD问题

我知道这里面一定有这方面的高手,这个问题已折磨了我近一年,非人的生活,有在初--次级地之间加放电电阻(750K)总有失败的,不能全部通过,还请高手多多指点.

何不把电路图及失效元件贴出来呢?

上次我解决了一个类似你的这种情况,有的时候加那个放电电阻和ESD放电线作用是有但不是很大,首先要搞清楚,ESD的放电路径,我的分析是这样的,在你的AC通电的时候,次边做,空气,接触式打法,高压在次边影响不是很大,因为那边没有什么控制芯片,原边和次边因为有Y电容的存在,使两边在高压瞬间会漏电到原边,将原边的IC打坏,
我针对你的这个情况有三点意见,你可以试一下:
1:在次边的输出加一个稳压二极管,可以有效仿静电
2:将Y电容容量减小,这个元件是二边形成回路的主要元件,不过这个做法对EMI不利
3:将Y电容上加一个磁环,减慢其放电速度,这样同样对EMI不利
我说的这个Y电容是指跨接在原和副边的Y电容,
你先试一下,有问题再讨论

谢谢你的回复!我曾试过Y电容的影响,我不用Y电容也会失败,从静电的试验过程中有发现,有的时候会通过放电电阻放,有的时候没有通过放电电阻放(但一直没有发现是从什么地方放电的),观察过好多次,都是这样.这时就会失败.1120629572.ppt

我已把图贴上了,大家请看.

我想一定还有不少朋友遇到这样的问题,我们在实验后一般是13003,C1815及光耦等元件死掉.为了不让更多的朋友经受同样的痛苦,请求高手多多指教.(是否是光耦抗ESD性能不好,我这样怀疑.)

R22电阻的距离太近了吧.

把两个电阻拿掉,用PCB铜LAYOUT成三角形.形成尖端放电!
不知道这样成不成?

ss

是在光耦开孔之间将光耦的初级和次级隔开吧?我先试试,结果我再贴出来.谢谢!

我有看一到过只用铜箔LAYOUT成三角形,但在试验中容易造成次级整流管被打死.我再试一下改变尖端的距离看看结果如何.谢谢.

fr

要是怀疑光偶的质量问题,就干脆拿掉打试试.
我想如果不是它的问题,拿与不拿应该都差不多吧!


不过也有可能是别的机构件上的问题也说不定的.比如说散热器什么的.

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晕.我也只是一个菜菜菜鸟罢了.
这里高手很多的,只不过大多是忙得不可开交,要不就是屑去说这些东东罢了.

说到底还是要靠自己多多实践,多多观察!

我只所以怀疑光耦,是因为在ESD失败的样品中,光耦都有坏掉,我认为是在从输出端的负载放电ESD试验时(+/-15KV),先是光耦被打死,因没有反馈的控制,然后引起初级的控制部分如C1815,13003等损坏.不知我的观点对不对?

其实这也不定的.也许是别的东西质量不好,从而导致别的(如1815 13003)先坏,再导至PC817坏掉呢.因为这个时间过程是非常之快的,我们看不到.所以你只能一个个的试你所怀疑的对象喽.一个个试不行还可以两个,甚至三个同时试呀.

当然,并不排除结构件的问题.因为这个电压很高呀.我觉得一般这类测试不好过,还是得想办法放掉才行(当然是不影响高压测试的前提下)!

看看http://www.esd.org.cn
也许有用!

谢谢!我先看看.