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请问mosfet价格

190~264V输入的30W反激式电源,MOSFET要用到800V耐压的,请问有谁用过SPP04N80C3,SPP04N80C3,IRFBE20,IRFIBE30G,请告诉我价格,
另请教各位我的这个产品可否用650V的MOSFET?我想将反射电压取低些,100V左右是否用650V的就可以了,两者各有什么忧缺点?
请各位大侠不吝赐教.
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晓凡
LV.4
2
2005-06-09 08:02
mosfet耐压值的大小取决于输入电压,输出电压,变压器变比&一次侧漏电感四个分量,我不明白为什么你要选用800V耐压的管子;
你得告诉我们更详细的规格才好帮你啊!
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szprime
LV.3
3
2005-06-09 08:37
@晓凡
mosfet耐压值的大小取决于输入电压,输出电压,变压器变比&一次侧漏电感四个分量,我不明白为什么你要选用800V耐压的管子;你得告诉我们更详细的规格才好帮你啊!
输入190~264V,输出20V,2A,我按最低电压190Vac X 1.3 =247Vdc计算匝比要12:1呀,我取10:1,那么反射电压也就很高了,200V,有人说反射电压取低些,比如100V左右,那么匝比才5:1,这样的话,正常190~264输入,占空比才开到1/3呀,甚至更小,P.F.值很低,Ip很大啊,这是我的理解,还请指教,谢谢!
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szprime
LV.3
4
2005-06-09 08:39
@szprime
输入190~264V,输出20V,2A,我按最低电压190VacX1.3=247Vdc计算匝比要12:1呀,我取10:1,那么反射电压也就很高了,200V,有人说反射电压取低些,比如100V左右,那么匝比才5:1,这样的话,正常190~264输入,占空比才开到1/3呀,甚至更小,P.F.值很低,Ip很大啊,这是我的理解,还请指教,谢谢!
我之所以说30W,是因为输出长期是15V,2A,只是短时间工作在20V,2A
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szprime
LV.3
5
2005-06-09 08:45
@szprime
我之所以说30W,是因为输出长期是15V,2A,只是短时间工作在20V,2A
还请问:变压器漏感的问题,一般说夹层绕法漏感低,但每个绕组的层数对漏感是否也很大影响啊?我的初级要用三层,次级两层,EI28的芯,先饶两层在里面,中间夹两层次级外面再饶一层初级,这样漏感一般有多大呢??%.请各位大侠赐教!
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szprime
LV.3
6
2005-06-09 08:52
@晓凡
mosfet耐压值的大小取决于输入电压,输出电压,变压器变比&一次侧漏电感四个分量,我不明白为什么你要选用800V耐压的管子;你得告诉我们更详细的规格才好帮你啊!
还请问:
Mosfet 的Vds需承受的电压:最高输入电压370Vdc+反射电压+漏感所造成的尖蜂电压(一般怎么确定或控制呢?)+富余量(一般设为多大为安全呢?)

我只知道前两个量,后面两个我不清楚,所以不知怎么确定Mosfet的Vds啊,
变压器还没做,PCB已发出打版了,还清各位赐教,好让我今天定下变压器和Mosfet的参数啊,先谢谢各位高手了.
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2005-06-09 09:11
@szprime
还请问:Mosfet的Vds需承受的电压:最高输入电压370Vdc+反射电压+漏感所造成的尖蜂电压(一般怎么确定或控制呢?)+富余量(一般设为多大为安全呢?)我只知道前两个量,后面两个我不清楚,所以不知怎么确定Mosfet的Vds啊,变压器还没做,PCB已发出打版了,还清各位赐教,好让我今天定下变压器和Mosfet的参数啊,先谢谢各位高手了.
600V以上就够了,
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szprime
LV.3
8
2005-06-09 09:16
@场效应管
600V以上就够了,
清问你认为我的匝比该取多少呢?反射电压该取多少?
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2005-06-09 09:31
@szprime
清问你认为我的匝比该取多少呢?反射电压该取多少?
375V+反射+尖峰,<600*0.9就可以了.
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晓凡
LV.4
10
2005-06-09 09:31
@szprime
还请问:Mosfet的Vds需承受的电压:最高输入电压370Vdc+反射电压+漏感所造成的尖蜂电压(一般怎么确定或控制呢?)+富余量(一般设为多大为安全呢?)我只知道前两个量,后面两个我不清楚,所以不知怎么确定Mosfet的Vds啊,变压器还没做,PCB已发出打版了,还清各位赐教,好让我今天定下变压器和Mosfet的参数啊,先谢谢各位高手了.
怎么算的10:1的变比呢?
我算了一下5:1~6:1就行了,一次侧采用4N60的mosfet,二次侧schottky
耐压100V以上的就行了;
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szprime
LV.3
11
2005-06-09 09:46
@晓凡
怎么算的10:1的变比呢?我算了一下5:1~6:1就行了,一次侧采用4N60的mosfet,二次侧schottky耐压100V以上的就行了;
非常感谢!谢谢各位帮忙!
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szprime
LV.3
12
2005-06-09 10:16
@szprime
非常感谢!谢谢各位帮忙!
但请问这匝比设在5:1,和85~264V输入有何区别呢?还请解惑!非常感谢!
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晓凡
LV.4
13
2005-06-09 10:44
@szprime
但请问这匝比设在5:1,和85~264V输入有何区别呢?还请解惑!非常感谢!
问的好!在回答此问题之前要首先考虑我们根据什么来选择duty,几乎所有的书都在讲设计反激变压器时首先确定duty要小于0.5,但至于具体选多少确没有说明:
实际上书上讲的很是形而上学,例如大部分的书本都已在最低输入电压下
duty取0.45来计算,实际上这个值的选取是以变压器效率最高,mosfet损耗最小为设计优化目标而确立的;这就是为什么你计算的变比很高的原因;
在实际设计中,大部分的电源产品都仅仅是可行性设计,即用最低的成本达到客户的规格,那么power中成本最高的元件例如mosfet,schottky等与变压器变比有直接联系的器件随着变比的变化将会有多种组合,只要duty小于0.5,就可以保证产品主体回路是稳定的,剩下的那就要看哪种变比是成本最低的喽!
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szprime
LV.3
14
2005-06-09 11:01
@晓凡
问的好!在回答此问题之前要首先考虑我们根据什么来选择duty,几乎所有的书都在讲设计反激变压器时首先确定duty要小于0.5,但至于具体选多少确没有说明:实际上书上讲的很是形而上学,例如大部分的书本都已在最低输入电压下duty取0.45来计算,实际上这个值的选取是以变压器效率最高,mosfet损耗最小为设计优化目标而确立的;这就是为什么你计算的变比很高的原因;在实际设计中,大部分的电源产品都仅仅是可行性设计,即用最低的成本达到客户的规格,那么power中成本最高的元件例如mosfet,schottky等与变压器变比有直接联系的器件随着变比的变化将会有多种组合,只要duty小于0.5,就可以保证产品主体回路是稳定的,剩下的那就要看哪种变比是成本最低的喽!
非常感谢晓凡兄的解惑!这样说从成本考率,190V~264V输入基本也是按85V~264V设计了吗?如单独设计85V~135V的产品就不需更改变压器只是换输入电容由400V改为200V,是这样吗?
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晓凡
LV.4
15
2005-06-09 11:14
@szprime
非常感谢晓凡兄的解惑!这样说从成本考率,190V~264V输入基本也是按85V~264V设计了吗?如单独设计85V~135V的产品就不需更改变压器只是换输入电容由400V改为200V,是这样吗?
也可以这么说!毕竟从工程化设计角度出发,只要满足了spec,成本尽可能的低才是最有竞争力的产品,如果仅在85~135v条件下使用,mosfet可以选用500V~550V的,schottky也可降低一个耐压等级!我上网的时间不是很多!见谅!
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szprime
LV.3
16
2005-06-09 11:21
@晓凡
也可以这么说!毕竟从工程化设计角度出发,只要满足了spec,成本尽可能的低才是最有竞争力的产品,如果仅在85~135v条件下使用,mosfet可以选用500V~550V的,schottky也可降低一个耐压等级!我上网的时间不是很多!见谅!
谢谢你的答复!好,有时间我发e-mail向你请教!
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