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反激式电源中电磁干扰及其抑制 (sunyun推荐)[完整]

反激式电源中电磁干扰及其抑制 (sunyun推荐)[完整]
摘要:在介绍Flyback反激式DC/DC电源及其性能的基础上,主要讨论了该电源中的网侧谐波及其抑制,开关缓冲电路,光耦隔离等问题.
关键词: 噪 声 ;干扰 ;高次谐波;电磁干扰.

1 电路介绍反激式电源原理图如图1所示.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/0/1056604831.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">


输入为交流85~200V,经功率二极管整流桥变为直流,作为DC/DC反激变换器的输入,输出为三组直流:5V、15V、20V,另外还有一辅助电源5V,用来给光耦NEC2501供电.控制电路为反馈控制,开关选用TOPSwitch电源芯片(TOP223).TOPSwitch为三端离线式PWM电源集成控制器,它将PWM控制器与功率开关MOSFET合为一体,采用TO-220或8脚DIP封装,除D、C2脚外,其余6脚连在一起作为S端.本电路中TOP223采用UDS>700V的MOSFET,fs=100kHz.在这个Flyback反激式电源中,变压器原边绕组33匝,副边有四组:6匝(对应于输出Uo2=5V)、11匝(对应于输出Uo3=15V)、12匝(对应于输出Uo1=20V)、6匝(对应于辅助电源U=5V).在副边,WY1和WY2为稳压器件,WY1输入在≥8V时,输出可稳在5V;WY2输入≥18V时,输出可稳在15V.2EMI分析

开关电源工作时,其内部的电压和电流波形都是在非常短的时间内上升和下降的,所以开关电源本身就是一个噪声发生源.开关电源的干扰按噪声干扰源种类可分为尖峰干扰和谐波干扰两种.使电源产生的干扰不至于对电子系统和电网造成危害的根本办法就是采用耗能电路来削弱噪声发生源,或者切断电源噪声和电子系统、电网之间的耦合途径.

2.1网侧高次谐波电流

2.1.1高次谐波电流的危害参照图1,交流输入电压Vi经功率二极管整流桥变为正弦脉动电压,被电容C1平滑后成为直流,但电容电流的波形不是正弦波而是脉冲波.如图2所示.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/0/1056605446.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">


由图2中电流波形可知,电流中含有高次谐波.大量电流谐波分量倒流入电网,对电网造成谐波污染,一方面,产生“二次效应”,即电流经过线路阻抗造成谐波电压降,反过来使电网电压(原来是正弦波)也发生畸变;另一方面,会造成电路故障,如线路和配电变压器过热,谐波电流会引起电网LC谐振,或高次谐波电流流过电网的高压电容,使之过流、过热而爆炸等.另外,由于电流是脉冲波,使电源输入功率因数降低.因此,必须想办法解决它.2.1.2高次谐波电流的抑制1)最简单的办法是在整流桥与电容C1之间接入电感线圈L,用其阻止对电容C1较大的充电电流.L对交流呈现感抗为ωL,电容充电电流的平均值常与放电直流电流值相等,则峰值电流被限制,导通角变大(′>).如图3所示.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/0/1056606340.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">


2)若线圈电感足够大,则电流导通角可达到180°,电流近似正弦波,功率因数趋于1.但是,在实际应用中,如果电感值太大,那么其体积重量随之变大,从而影响了电源的小型化,而且整流电压随着负载变化较大,因此,线圈L也不能太大.本电路中共模扼流圈L2可起到电感的作用,其等效电感为L,则可抑制电容电流的高次谐波.

3)本电路中采用共模扼流圈L2(如图1所示)

(1)对开关电源二根进线而言,存在共模干扰(二根线上受干扰信号相对参考点大小、方向相同)和差模干扰(二根线上受干扰信号相对参考点大小相等、方向相反).共模扼流圈如图4所示.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/0/1056677352.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">


--在差模干扰信号作用下,干扰源产生的电流i,在磁芯中产生方向相反的磁通,磁芯中等于没有磁通,线圈电感几乎为0,因此不能抑制差模干扰信号.

--在共模干扰信号作用下,两线圈产生的磁通方向相同,有相互加强的作用,每一线圈电感值为单独存在时的两倍.因此,这种绕法的电磁线圈对共模干扰有强的抑制作用.

本电路中在电网与整流桥之间插入一共模扼流圈,该扼流圈对电网频率的差模网侧电流呈现极低的阻抗,因而对电网频率的压降极低;而对电源产生的高频共模噪声,等效阻抗较高,因而可以得到希望的插入损耗.

(2)扼流圈L2与电容C10、C1组成低通滤波器扼流圈L2的等效电感为L,以电源端作为输入,电网方向作为输出,则电路图如图5所示.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/0/1056677519.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">


500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/0/1056677655.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">


2.2开关缓冲电路

由于开关的快速通断,开关电流、电压波形为脉冲形式,产生噪声污染,既增大了电源输出的纹波,又影响电源的性能,因此,要想办法抑制.

本电路中,输入为交流85~200V,经整流桥后电容上的电压约为此交流有效值的1.2~1.4倍,最大时为Ucm=200×1.4=280V.另外,变压器副边折合到原边的电压Up=Us×33/6,Us取副边第一绕组(5V绕组)的电压.考虑到WY1输入≥8V,取10V,则Up=Us×33/6=10×33/6=55V.那么开关关断时所要承受的总电压Ut=Ucm+Up=280+55=335V.可见对开关的过压保护是必要的.本Flyback电源中采用TOPSwitch开关,其内部有过压保护和缓冲电路.为保险起见,在电路中还是加入了外部的过压保护电路(R21和C21).

1)未加缓冲电路和加入缓冲电路之后开关管电压Ut和电流i及功耗Pt的波形如图7所示.由图7可知,加RC缓冲电路后,开关电压上升速率减慢,500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/0/1056677885.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">变小,噪声减弱,抑制了EMI.另外,开关功耗变小,使管子不致因过流过热而损坏.

缓冲电路中的R21是在开关开通,电容C21放电时起到限流作用,避免对管子的冲击.

2)对于开关开通时的电流冲击,因为有变压器原边线圈Np电感的限流,因此本电路中没有加限流电感.

2.3光耦隔离

由于控制电路对噪声敏感,一旦有噪声,将会引起控制电路中的控制信号紊乱,而严重影响电源的工作.为了保证开关电源的正常工作,要求控制电路必须具有高精度和高稳定性,为此,必须将主电路与控制电路隔离.本电路中,用NEC2501将电源中的两部分进行电隔离:一部分是作为控制电路电源的变压器副边辅助电源,另一部分是主电路.这样就防止了噪声通过传导的途径传入到控制电路中.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/0/1056678105.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">


3 为更好抑制EMI对电路的一些改进

本电路中主要的EMI是电源噪声对电网的干扰.可将原来的共模扼流圈L2与电容C10、C1组成的滤波电路,改善为如图8所示电路,则L1、L2、C1可除去差模干扰,L3、C2、C3可除去共模干扰.L1、L2的磁芯为不易饱和的材质.C1可选陶瓷电容,耐压必须考虑输入电压的最大可能值,通常选用0.22~0.47μF.L3是共模扼流圈.选定C=C2=C3,截止频率f0,则可根据
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/0/1056678183.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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兰波
LV.8
2
2003-06-27 09:46
顶!!将上面的文章补充完毕.
感谢sunyun的推荐...

如果大家有什么好文章,发表起来有些麻烦,可以发给我:webmaster@powersupply.net.cn 我的QQ:37367239 谢谢!!
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ulan
LV.2
3
2003-07-14 14:27
能否帮忙啊!
我看到你发表了一些关于开关电源方面的文章,不知你是否熟悉开关电源这个行业中的研发人员,请帮忙推荐,我在上海为一家欧美企业找这方面的人,谢谢帮忙!
ulanyu@hotmail.com
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shuyun
LV.6
4
2003-07-14 15:57
@ulan
能否帮忙啊!我看到你发表了一些关于开关电源方面的文章,不知你是否熟悉开关电源这个行业中的研发人员,请帮忙推荐,我在上海为一家欧美企业找这方面的人,谢谢帮忙!ulanyu@hotmail.com
您是指我吗?
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cmg
LV.9
5
2003-07-16 09:44
这篇文章基本上不值一看,还有些错误.
如:上面说在管的DS端加RC可使开关损耗变小,使管子不致因过流过热而损坏.事实是恰恰相反,会使管子因开通峰值电流超过绝对最大值而损坏(因管子有过热保护,不会过热损坏),另外,加RC之后管子损耗会加大很多,而不是减小,这都是一些常识性的东西.共模扼流圈L2
图中共模电感为环型,其等效差模电感是很小的,对差模干扰的抑制作用几乎为零,而不是上面的公式计算
一个比较好的方法是用4窗口共模电感,人为增加其差模量.光耦对EMI没有任何影响.有空我给大家聊聊EMI.
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cmg
LV.9
6
2003-07-16 09:50
管理员,我刚才发了一个贴,是否定此文章的,
又丢失了信息,请将我的名字加上.
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ulan
LV.2
7
2003-07-16 13:31
@shuyun
您是指我吗?
请shuyun回复我!
我是请你帮忙的人,能否帮在上海的周边的地区推荐作开关电源的人呢?我的要求是:本科2年以上工作经验,当然更高级的研发人员我也需要的!不知你在上海吗?请联系我!ulanyu@hotmail.com
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shuyun
LV.6
8
2003-07-16 16:08
@ulan
请shuyun回复我!我是请你帮忙的人,能否帮在上海的周边的地区推荐作开关电源的人呢?我的要求是:本科2年以上工作经验,当然更高级的研发人员我也需要的!不知你在上海吗?请联系我!ulanyu@hotmail.com
以前在上海激光研究所光通电源事业部,现在杭州!
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shuyun
LV.6
9
2003-07-16 16:09
@cmg
管理员,我刚才发了一个贴,是否定此文章的,又丢失了信息,请将我的名字加上.
希望您能发上来! 大家一起讨论!!
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shuyun
LV.6
10
2003-07-16 16:10
@shuyun
希望您能发上来!大家一起讨论!!
这篇文章我也是转载的!
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shuyun
LV.6
11
2003-07-17 11:50
@cmg
这篇文章基本上不值一看,还有些错误.如:上面说在管的DS端加RC可使开关损耗变小,使管子不致因过流过热而损坏.事实是恰恰相反,会使管子因开通峰值电流超过绝对最大值而损坏(因管子有过热保护,不会过热损坏),另外,加RC之后管子损耗会加大很多,而不是减小,这都是一些常识性的东西.共模扼流圈L2图中共模电感为环型,其等效差模电感是很小的,对差模干扰的抑制作用几乎为零,而不是上面的公式计算一个比较好的方法是用4窗口共模电感,人为增加其差模量.光耦对EMI没有任何影响.有空我给大家聊聊EMI.
您说的这些,有的我赞成,有的确与事实相差甚远!!!
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shuyun
LV.6
12
2003-07-17 12:01
@cmg
这篇文章基本上不值一看,还有些错误.如:上面说在管的DS端加RC可使开关损耗变小,使管子不致因过流过热而损坏.事实是恰恰相反,会使管子因开通峰值电流超过绝对最大值而损坏(因管子有过热保护,不会过热损坏),另外,加RC之后管子损耗会加大很多,而不是减小,这都是一些常识性的东西.共模扼流圈L2图中共模电感为环型,其等效差模电感是很小的,对差模干扰的抑制作用几乎为零,而不是上面的公式计算一个比较好的方法是用4窗口共模电感,人为增加其差模量.光耦对EMI没有任何影响.有空我给大家聊聊EMI.
我来说说!
{上面说在管的DS端加RC可使开关损耗变小,使管子不致因过流过热而损坏.事实是恰恰相反,会使管子因开通峰值电流超过绝对最大值而损坏(因管子有过热保护,不会过热损坏),另外,加RC之后管子损耗会加大很多,而不是减小,这都是一些常识性的东西.共模扼流圈L2 }
您说的这些,我表示反对,正因为是常识才会被很多人忽视!
另:加RC之后 管子 损耗会加大很多吗? 象您这么说开关管的吸收就须去掉了!!
更正:不是管子损耗会加大很多, 而是吸收电路本身有损耗!!!
希望您多提一些有意义的东西!!
本人很希望与您谈谈!!
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cmg
LV.9
13
2003-07-17 16:35
@shuyun
我来说说!{上面说在管的DS端加RC可使开关损耗变小,使管子不致因过流过热而损坏.事实是恰恰相反,会使管子因开通峰值电流超过绝对最大值而损坏(因管子有过热保护,不会过热损坏),另外,加RC之后管子损耗会加大很多,而不是减小,这都是一些常识性的东西.共模扼流圈L2}您说的这些,我表示反对,正因为是常识才会被很多人忽视!另:加RC之后管子损耗会加大很多吗?象您这么说开关管的吸收就须去掉了!!更正:不是管子损耗会加大很多,而是吸收电路本身有损耗!!!希望您多提一些有意义的东西!!本人很希望与您谈谈!!
哈哈,不信.
实际情况是管子损耗加大,吸收电路损耗也很大:你忽视了一个情况:要使RC起到抑制EMI的作用,R值不能太大,但TOP223本身的电阻也很大(100度,13欧姆),跟R值相比已不能忽略,另外,TOP开通瞬间是电压电流相交的时候,而这时C放电,在TOP上的瞬态损耗很高.我做过无数次的实验,也帮很多人解决过这个问题,不信你就试一下.
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ulan
LV.2
14
2003-07-17 17:02
@shuyun
以前在上海激光研究所光通电源事业部,现在杭州!
shuyun能帮我介绍在上海的人吗?
我现在希望能得到你的帮助,你告诉我你的联系方式吗?请发到我的邮箱!ulanyu@hotmail.com
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shuyun
LV.6
15
2003-07-17 17:03
@cmg
哈哈,不信.实际情况是管子损耗加大,吸收电路损耗也很大:你忽视了一个情况:要使RC起到抑制EMI的作用,R值不能太大,但TOP223本身的电阻也很大(100度,13欧姆),跟R值相比已不能忽略,另外,TOP开通瞬间是电压电流相交的时候,而这时C放电,在TOP上的瞬态损耗很高.我做过无数次的实验,也帮很多人解决过这个问题,不信你就试一下.
你说的也不无道理!
我指的是反激变换器并没有针对TOP电路!
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shuyun
LV.6
16
2003-07-18 10:54
@cmg
哈哈,不信.实际情况是管子损耗加大,吸收电路损耗也很大:你忽视了一个情况:要使RC起到抑制EMI的作用,R值不能太大,但TOP223本身的电阻也很大(100度,13欧姆),跟R值相比已不能忽略,另外,TOP开通瞬间是电压电流相交的时候,而这时C放电,在TOP上的瞬态损耗很高.我做过无数次的实验,也帮很多人解决过这个问题,不信你就试一下.
看来我得跟您谈谈高频电磁学的基础理论!!
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tinyhe
LV.6
17
2003-07-18 16:43
@shuyun
看来我得跟您谈谈高频电磁学的基础理论!!
期待shuyun兄谈谈高频电磁学
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c3
LV.6
18
2003-07-18 18:25
@cmg
哈哈,不信.实际情况是管子损耗加大,吸收电路损耗也很大:你忽视了一个情况:要使RC起到抑制EMI的作用,R值不能太大,但TOP223本身的电阻也很大(100度,13欧姆),跟R值相比已不能忽略,另外,TOP开通瞬间是电压电流相交的时候,而这时C放电,在TOP上的瞬态损耗很高.我做过无数次的实验,也帮很多人解决过这个问题,不信你就试一下.
吸收电路是必须的.
“加RC之后 管子 损耗会加大,”不对,虽然加RC可能会使得损耗增大(只是有这种可能),如果吸收电路加的好,绝对不会使得损耗增大,
我近期在一个降压电路中加了吸收,就使得MOS管的损耗减少了,不加的时候,MOS的DS波形一片杂乱,而且散热器温升比较快,加了吸收后,散热器温升慢了,而且波形也很好,快近似理想的波形了.
抑制EMI的作用,肯定有了,di/dt,dv/dt,大的话,EMI肯定也大,加了吸收后,会减小dv/dt的特别是关断的时候,试验证明效果明显.
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cmg
LV.9
19
2003-07-18 19:03
@shuyun
看来我得跟您谈谈高频电磁学的基础理论!!
不妨谈一下.
本人在EMI的原理及抑制方法,变压器的工艺和EMI,漏感的关系等方面有多年的经验和理论基础,希望有高人交流.
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cmg
LV.9
20
2003-07-19 08:58
@c3
吸收电路是必须的.“加RC之后管子损耗会加大,”不对,虽然加RC可能会使得损耗增大(只是有这种可能),如果吸收电路加的好,绝对不会使得损耗增大,我近期在一个降压电路中加了吸收,就使得MOS管的损耗减少了,不加的时候,MOS的DS波形一片杂乱,而且散热器温升比较快,加了吸收后,散热器温升慢了,而且波形也很好,快近似理想的波形了.抑制EMI的作用,肯定有了,di/dt,dv/dt,大的话,EMI肯定也大,加了吸收后,会减小dv/dt的特别是关断的时候,试验证明效果明显.
你的问题说明你原来的电源就工作在不正常状态.
用你工作在不正常状态的电源来反驳我这句话是没有道理的.
对TOP来说(这篇文章是以TOP来说的),损耗肯定会加大,因为开通损耗大了,因为TOP的关断速度太快,所以RC对TOP的关断损耗没有影响.
但对普通的反激变换器来说,要综合考虑,加RC后开通损耗加大,但关断损耗减小,所以管子的综合损耗要具体评估一下.但无论如何,加RC后电源的效率会降低,这也是为EMI付出的代价.
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2003-07-19 18:35
@shuyun
以前在上海激光研究所光通电源事业部,现在杭州!
上海光通电源事业部?
上海光通电源事业部是我和上海光通共同投资组建的.我并没有听说有人转移到杭州!请跟我联系.
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2003-07-19 18:37
@ulan
shuyun能帮我介绍在上海的人吗?我现在希望能得到你的帮助,你告诉我你的联系方式吗?请发到我的邮箱!ulanyu@hotmail.com
人才交流
本公司紧缺开关电源技术人员.大哥寻寻觅觅这么长时间,能不能与我们交流一下人才信息!我们有大量欧美订单,等着你的合作信息
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shuyun
LV.6
23
2003-07-21 17:19
@德创电源
上海光通电源事业部?上海光通电源事业部是我和上海光通共同投资组建的.我并没有听说有人转移到杭州!请跟我联系.
您是陶总还是郑总?
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ridgewang
LV.8
24
2003-07-23 18:01
@cmg
管理员,我刚才发了一个贴,是否定此文章的,又丢失了信息,请将我的名字加上.
CMG,你看看这样行不行?
根据你的理论,在RC吸收回路中串个二极管,把它做成放电阻止形缓冲电路 既:RCD缓冲电路如何?
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cmg
LV.9
25
2003-07-24 08:46
@ridgewang
CMG,你看看这样行不行?根据你的理论,在RC吸收回路中串个二极管,把它做成放电阻止形缓冲电路既:RCD缓冲电路如何?
我只是说明这篇文章的很多东西是错误的,不要害了大家.
其他技术方面的问题以后会解释.
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shuyun
LV.6
26
2003-07-24 09:36
@cmg
管理员,我刚才发了一个贴,是否定此文章的,又丢失了信息,请将我的名字加上.
希望您能发上来! 大家一起讨论!!
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shuyun
LV.6
27
2003-07-24 09:41
@cmg
我只是说明这篇文章的很多东西是错误的,不要害了大家.其他技术方面的问题以后会解释.
您知道这篇文章的原作是谁!
只要您能将其错误处,指出我相信他们会感到高兴的!!
您上面说的并不能说明什么!
期待!!
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ridgewang
LV.8
28
2003-07-24 09:59
@cmg
我只是说明这篇文章的很多东西是错误的,不要害了大家.其他技术方面的问题以后会解释.
未必!
把它做成放电阻止形缓冲电路 只是保险而已!但增加了成本(多了一直二极管)!,其实不必如此.只要按照电源的工作频率,和占空比,仔细设置R,C的参数,保证在开关管开通前该R、C吸收电路处于放电状态,而且放电电压小于一定的值就行了(即已经放得差不多了),这样就不会造成你所说的“管子因开通峰值电流超过绝对最大值而损坏(因管子有过热保护,不会过热损坏),另外,加RC之后管子损耗会加大很多,而不是减小”.你说是吗?
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cmg
LV.9
29
2003-07-24 10:43
@shuyun
您知道这篇文章的原作是谁!只要您能将其错误处,指出我相信他们会感到高兴的!!您上面说的并不能说明什么!期待!!
这篇文章的原作是谁并不重要!!
也许是某某大人物,但这又有什么?南航电源的博导(只有一个人,能猜出是谁)看了我们反激电源的资料后也慨叹:“原来我们教给学生的一些东西是错误的”,Synqor(做DC/DC的都知道这家公司,他第一个把散热片拿掉,使“砖”成了一个艺术品)的CEO(Martin,电源权威)我也当面反驳他EMI的问题,他反而很谦虚的听取意见.你一会“你说的也不无道理!”,一会又“您上面说的并不能说明什么! ”,我不知道你要讲什么?我们自己有EMI的设备,几乎每个星期都在帮人做实验改进EMI,难道反驳一下此文作者还不可以吗?.作者是谁可以告诉我,可以探讨,到目前为止还没有人能对EMI做定量的分析,只能定性,有个别做定量分析的人都注明:可能与实际会有很大的差别.因为EMI与电源的布版,器件分布参数,变压器工艺都有极大的关系.只能做定性分析,用定性分析的结果来指导测试修改.
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shuyun
LV.6
30
2003-07-24 12:03
@cmg
这篇文章的原作是谁并不重要!!也许是某某大人物,但这又有什么?南航电源的博导(只有一个人,能猜出是谁)看了我们反激电源的资料后也慨叹:“原来我们教给学生的一些东西是错误的”,Synqor(做DC/DC的都知道这家公司,他第一个把散热片拿掉,使“砖”成了一个艺术品)的CEO(Martin,电源权威)我也当面反驳他EMI的问题,他反而很谦虚的听取意见.你一会“你说的也不无道理!”,一会又“您上面说的并不能说明什么!”,我不知道你要讲什么?我们自己有EMI的设备,几乎每个星期都在帮人做实验改进EMI,难道反驳一下此文作者还不可以吗?.作者是谁可以告诉我,可以探讨,到目前为止还没有人能对EMI做定量的分析,只能定性,有个别做定量分析的人都注明:可能与实际会有很大的差别.因为EMI与电源的布版,器件分布参数,变压器工艺都有极大的关系.只能做定性分析,用定性分析的结果来指导测试修改.
您误会了!
我只是想要您找出这篇文章真正的错误处! 供大家参考! 即使是错的我相信对大家还是会有帮助的,
绝不会想您说的  (我只是说明这篇文章的很多东西是错误的,不要害了大家.) 那样!!!
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shuyun
LV.6
31
2003-07-24 12:45
@cmg
这篇文章的原作是谁并不重要!!也许是某某大人物,但这又有什么?南航电源的博导(只有一个人,能猜出是谁)看了我们反激电源的资料后也慨叹:“原来我们教给学生的一些东西是错误的”,Synqor(做DC/DC的都知道这家公司,他第一个把散热片拿掉,使“砖”成了一个艺术品)的CEO(Martin,电源权威)我也当面反驳他EMI的问题,他反而很谦虚的听取意见.你一会“你说的也不无道理!”,一会又“您上面说的并不能说明什么!”,我不知道你要讲什么?我们自己有EMI的设备,几乎每个星期都在帮人做实验改进EMI,难道反驳一下此文作者还不可以吗?.作者是谁可以告诉我,可以探讨,到目前为止还没有人能对EMI做定量的分析,只能定性,有个别做定量分析的人都注明:可能与实际会有很大的差别.因为EMI与电源的布版,器件分布参数,变压器工艺都有极大的关系.只能做定性分析,用定性分析的结果来指导测试修改.
声明:
“原来我们教给学生的一些东西是错误的”,您说的这句话从教育学的角度看是错误的!!
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