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单端正激能否不使用复位绕组?

当开关管关闭时,让变压器初级电感里面的电流流入MOS的DS电容(或并联一个小电容),直到磁芯复位并且承受反向伏秒数,等MOS的DS电压又降下来,再打开开关管,像QR反激一样?
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2009-02-17 08:03
佩服你的想法,但你的算算你需要多大的电容才能保证谐振电压不超过MOS管的VDS,同时,该电容过大的话,在MOS管开通的时候相当于通过MOS管直接短路,你想会发生什么?
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LV.1
3
2009-02-17 09:10
@ytdfwangwei
佩服你的想法,但你的算算你需要多大的电容才能保证谐振电压不超过MOS管的VDS,同时,该电容过大的话,在MOS管开通的时候相当于通过MOS管直接短路,你想会发生什么?
双端正激的可也不用复位摇组.
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tanknet
LV.7
4
2009-02-17 09:17
@
双端正激的可也不用复位摇组.
呵呵,不错,这个常识我也知道,双端正激磁芯是用初级续流二极管复位的.
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LV.1
5
2009-02-17 09:21
没问题啊,谐振复位不就是这个嘛,很多用的啊,可以加原边mos上,也可以加副边整流二极管上.
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tanknet
LV.7
6
2009-02-17 09:23
@
没问题啊,谐振复位不就是这个嘛,很多用的啊,可以加原边mos上,也可以加副边整流二极管上.
高手!有无相关资料?
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LV.1
7
2009-02-17 09:24
@tanknet
高手!有无相关资料?
...给个邮箱我发给你
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楚天?
LV.8
8
2009-02-19 00:26
正激ZVS软开关就是酱紫滴……
电压应力比较大,变频控制.
轻载软布下来,重载电压严重飙升.
谐振时间随负载变化较大(ds间并联较大电容时能有所改善).
你可以自己搭一个玩玩.
用3845就可以.在3845的利用drive脚额外驱动一个小MOS来钳位住震荡器,调整DS电容或震荡器周期,使之相互匹配.
效率不错,就是电压太高.折腾不起.
反激也可以试试.
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tanknet
LV.7
9
2009-02-20 23:39
@楚天?
正激ZVS软开关就是酱紫滴……电压应力比较大,变频控制.轻载软布下来,重载电压严重飙升.谐振时间随负载变化较大(ds间并联较大电容时能有所改善).你可以自己搭一个玩玩.用3845就可以.在3845的利用drive脚额外驱动一个小MOS来钳位住震荡器,调整DS电容或震荡器周期,使之相互匹配.效率不错,就是电压太高.折腾不起.反激也可以试试.
可否直接采用QR反激的芯片来应用到正激上?
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楚天?
LV.8
10
2009-02-21 11:24
@tanknet
可否直接采用QR反激的芯片来应用到正激上?
具体型号是什么呢?
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tanknet
LV.7
11
2009-02-23 03:17
@楚天?
具体型号是什么呢?
NCP1205, OB2203?

还有一种想法,就是复位绕组放在次级,用反激的接法接次级输出电容,复位的时候磁芯能量不是返回输入电容,而是进入输出电容
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liu19730702
LV.4
12
2009-02-23 08:14
在初级绕组上加RCD吸收,可不用复位绕组,当然效率要比用复位绕组低.
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2009-02-23 08:49
@liu19730702
在初级绕组上加RCD吸收,可不用复位绕组,当然效率要比用复位绕组低.
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楚天?
LV.8
14
2009-02-24 22:25
@tanknet
NCP1205,OB2203?还有一种想法,就是复位绕组放在次级,用反激的接法接次级输出电容,复位的时候磁芯能量不是返回输入电容,而是进入输出电容
NCP1205的Demag脚内部电路不知道,故此对于它是如何判断电感电流过零的机理不能确知.估计是通过检测辅助绕组的耦合电压,当这个电压为零时,就认为电感电流完全断续.如果这样,初步看来恐怕不能很好的应用在正激电路中.
因为正激拓扑复位的目的是使得激磁电流所引起的磁芯磁化消退,以便下一周期重复磁化.而反激电路却并不需要单独的复位过程.因为在副边二极管导通的时候实际上就是在是磁芯复位.
就源边来看,正激电路要处理的问题有二,一是磁芯复位,二是漏感能量泄放.而反激拓扑则主要处理漏感能量就可以了.磁芯复位过程实际上就是能量传递的过程.反射电压其实就是正激电路里边的磁芯复位电压.
至于复位绕组能量释放到副边,这样做可能会面临一点点不变.那就是对于确定的输出电压会将复位电压钳位.这样会进一步限制占空比,尤其是输入电压变化比较大的时候.如果输出电压变化也比较大,那问题还会恶化.
实际上,某些ZVT电路就是利用一个小的反激变压器来将并联在开关管两端的电容里边的能量(漏感能量,可能还有激磁能量)传递出去.这里边既可以是源边,也可以是副边,或者辅助电源.
据说,(网上检索到的资料,可能为同一出处)第三代有源钳位的专利就包括这样的改进,将复位能量耦合到副边,提高效率.
不过我并没有见到专利的原文.也没有见到确切的电路图,甚至第二三代有源钳位的具体描述也没有.这个代的划分依据也不清楚.
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楚天?
LV.8
15
2009-02-24 22:28
@楚天?
NCP1205的Demag脚内部电路不知道,故此对于它是如何判断电感电流过零的机理不能确知.估计是通过检测辅助绕组的耦合电压,当这个电压为零时,就认为电感电流完全断续.如果这样,初步看来恐怕不能很好的应用在正激电路中.因为正激拓扑复位的目的是使得激磁电流所引起的磁芯磁化消退,以便下一周期重复磁化.而反激电路却并不需要单独的复位过程.因为在副边二极管导通的时候实际上就是在是磁芯复位.就源边来看,正激电路要处理的问题有二,一是磁芯复位,二是漏感能量泄放.而反激拓扑则主要处理漏感能量就可以了.磁芯复位过程实际上就是能量传递的过程.反射电压其实就是正激电路里边的磁芯复位电压.至于复位绕组能量释放到副边,这样做可能会面临一点点不变.那就是对于确定的输出电压会将复位电压钳位.这样会进一步限制占空比,尤其是输入电压变化比较大的时候.如果输出电压变化也比较大,那问题还会恶化.实际上,某些ZVT电路就是利用一个小的反激变压器来将并联在开关管两端的电容里边的能量(漏感能量,可能还有激磁能量)传递出去.这里边既可以是源边,也可以是副边,或者辅助电源.据说,(网上检索到的资料,可能为同一出处)第三代有源钳位的专利就包括这样的改进,将复位能量耦合到副边,提高效率.不过我并没有见到专利的原文.也没有见到确切的电路图,甚至第二三代有源钳位的具体描述也没有.这个代的划分依据也不清楚.
OB的东西我对他没有好印象.起因是我之前在论坛看到有人谈论某OB芯片,比较意动,兴致勃勃的去找datasheet,却发现那里都找不到.好像厂家不提供,或者只提供给大客户.所以对于你上面提及的芯片我就不说什么了.
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晶熔铁
LV.7
16
2009-02-24 23:46
@楚天?
OB的东西我对他没有好印象.起因是我之前在论坛看到有人谈论某OB芯片,比较意动,兴致勃勃的去找datasheet,却发现那里都找不到.好像厂家不提供,或者只提供给大客户.所以对于你上面提及的芯片我就不说什么了.
感谢楚天?老师的精辟分析论述,让人学到不少,使人受益匪浅!小弟真想拜你为师!
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annd
LV.5
17
2009-02-26 15:00
@楚天?
正激ZVS软开关就是酱紫滴……电压应力比较大,变频控制.轻载软布下来,重载电压严重飙升.谐振时间随负载变化较大(ds间并联较大电容时能有所改善).你可以自己搭一个玩玩.用3845就可以.在3845的利用drive脚额外驱动一个小MOS来钳位住震荡器,调整DS电容或震荡器周期,使之相互匹配.效率不错,就是电压太高.折腾不起.反激也可以试试.
没错用变频来做,电容应并在绕组两端,谐震复位,DS DG电容也参加了这个过程,轻载可以软下来,只是要牺牲功率因素,做一下拉氏变换看得很清楚,管子关断后绕组回路电流使电容充到高负压然后谐震回到电源电压,这里有一个回路最小初始电流条件,这个条件必须保证,否则软不下来,重载时初始电流变的较大,电容负压变大,管子的耐压3倍以上电源电压可以,2倍电压复磁,快!B也可取的较大.空载和重载的频率从交流阻抗的角度理解会无穷大,但实际上是可以控制的,5/1  3/1 都可以做到,当然比值越小越难做,这些都不是关键性的问题.关键问题是控制电路,电路要自己搭,麻烦!IC业是滞后的!
    还有一类做法是C并的较小,快速复磁后管子上保持一平台残余电压,半软半硬,捡占空比的便宜.
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2009-02-28 20:07
没问题,可以的
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2009-03-01 21:51
@smps-pioneer
没问题,可以的
可以不使用第三绕组进行复位,还有其他的方式:RCD,LCD,有源嵌位,还有就是变压器漏感、分布电容、极间电容进行谐振复位等.
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陈永真
LV.8
20
2009-03-05 21:51
可以,有源箝位就是最好的例证,还有RC箝位,好多了,其中有源箝位最好.
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xuyongjiang
LV.6
21
2009-03-06 01:18
可以啊,我们有一款电源就是像反激一样用RCD在初级,MOS要用900V的,EI33的变压器做7V25A啊,要用风扇哦
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楚天?
LV.8
22
2009-03-06 01:37
@xuyongjiang
可以啊,我们有一款电源就是像反激一样用RCD在初级,MOS要用900V的,EI33的变压器做7V25A啊,要用风扇哦
好像单管正激的电压应力比反激还要大呢.
楼上早啊.呵呵
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2009-03-06 10:29
@楚天?
好像单管正激的电压应力比反激还要大呢.楼上早啊.呵呵
有几款DC-DC模块,正反激的都有,都没有用吸收,功率只有10几瓦,开关管有的是150V的 ,输入为48V.
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saglxh
LV.3
24
2009-03-13 15:19
@楚天?
NCP1205的Demag脚内部电路不知道,故此对于它是如何判断电感电流过零的机理不能确知.估计是通过检测辅助绕组的耦合电压,当这个电压为零时,就认为电感电流完全断续.如果这样,初步看来恐怕不能很好的应用在正激电路中.因为正激拓扑复位的目的是使得激磁电流所引起的磁芯磁化消退,以便下一周期重复磁化.而反激电路却并不需要单独的复位过程.因为在副边二极管导通的时候实际上就是在是磁芯复位.就源边来看,正激电路要处理的问题有二,一是磁芯复位,二是漏感能量泄放.而反激拓扑则主要处理漏感能量就可以了.磁芯复位过程实际上就是能量传递的过程.反射电压其实就是正激电路里边的磁芯复位电压.至于复位绕组能量释放到副边,这样做可能会面临一点点不变.那就是对于确定的输出电压会将复位电压钳位.这样会进一步限制占空比,尤其是输入电压变化比较大的时候.如果输出电压变化也比较大,那问题还会恶化.实际上,某些ZVT电路就是利用一个小的反激变压器来将并联在开关管两端的电容里边的能量(漏感能量,可能还有激磁能量)传递出去.这里边既可以是源边,也可以是副边,或者辅助电源.据说,(网上检索到的资料,可能为同一出处)第三代有源钳位的专利就包括这样的改进,将复位能量耦合到副边,提高效率.不过我并没有见到专利的原文.也没有见到确切的电路图,甚至第二三代有源钳位的具体描述也没有.这个代的划分依据也不清楚.
在正激电路中直接在MOS端加电容是不可取的,小了没用,大了有害.如果能将复位能量引到次级而提高效率倒是不错的选择.
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LV.1
25
2009-03-14 15:35
@蚂蚁无言
有几款DC-DC模块,正反激的都有,都没有用吸收,功率只有10几瓦,开关管有的是150V的,输入为48V.
10来瓦,平面变压器的话是漏感很小了,不用加吸收正常
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剑心
LV.8
26
2009-03-15 23:03
LCD吸收,《开关电源设计第二版》给的例子就是正激
但是取消复位绕组之后复位电压不确定,要延长复位时间,浪费脉宽
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飘逸
LV.5
27
2009-03-20 13:52
可以啊,直接用RCD,如果MOSFET耐压允许的话,不加都行.
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2009-03-20 16:39
可以不用复位绕组
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tangminhao
LV.4
29
2009-03-24 20:52
@tanknet
呵呵,不错,这个常识我也知道,双端正激磁芯是用初级续流二极管复位的.
复位二极管故障率较高呀,大家有遇到这种情况没有.我们公司是用UF5408.
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x_ww0941
LV.4
30
2009-04-02 13:20
可以在次级增加一个反激绕组,经二极管后与原正激绕组并联输出,这样既解决了磁复位问题又提高了效率.
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楚天?
LV.8
31
2009-04-03 13:27
@x_ww0941
可以在次级增加一个反激绕组,经二极管后与原正激绕组并联输出,这样既解决了磁复位问题又提高了效率.
复位问题可以解决,不过漏感依然存在.所以源边还是要加吸收的.如此则两处都有元件.
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