求助pt1301 DC-DC的电路问题

我用pt1301 4.7uH5A电感 irf7832扩流管搭了个锂电升5v的应急充电路,现在电流输出无法超过600ma,否则输出电压跌落严重,irf7832发烫,请问是电路问题还是器件问题?
有请大侠们帮我解决!
电路原理图:

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pcb图:

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/74/441671234618962.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

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nathan112

LV.5

2009-02-15 14:56

一,你的电路板上散热怎么全做成十字焊盘了,这样MOSFET上的温度如何散出去,
二,请确认PT1301可以驱动的MOSFET是多大,如此大的MOSFET是否可以驱动,驱动后波形还正常吗?
三,这种线路也就是做这么大电流了,请问你要做多大的电流,如果做更大建议你更改方案

nathan112

LV.5

2009-02-15 15:01

这颗芯片是为小功率升压用的,驱动能力有限,保护性能也有限,最初用于手机应该充,600mA绝对是大电流了,建议不要增加了,但可以更新方案,不用这个IC来做,附件请参考一下 188731234681271.pdf 188731234681289.pdf

ouxuanhong

LV.2

2009-02-18 00:22

这款产品我正好很熟悉.
该应用带600mA负载是没有问题的,我做过锂电池升5.5V带500mA的方案,效率85%以上.采用输入供电,输出供电都可以实现你的要求.
恕我直言:楼主的方案带不动负载的问题主要在layout.
1)L1,D1是大电流通路,应尽量短.
2)芯片pin4--LX是高频大电流走线(楼主的应用方案是外部MOS和内部MOS并联),需要尽量短,粗.
3)pin2--EXT是高频线,稍微长了些.
4)如nathan兄所言,焊盘应该铺满,十字焊盘过流能力不足.

楼主按照以上几点修改,相信可以达到预期效果:)
另外两点建议:
1)L1可以增加至10uH,减小纹波,提高效率.
2)IRF7832的S极串联0.1~0.33欧姆电阻到地,防止MOS烧毁.

banguangan

LV.1

2009-02-18 23:17

@nathan112

一,你的电路板上散热怎么全做成十字焊盘了,这样MOSFET上的温度如何散出去,二,请确认PT1301可以驱动的MOSFET是多大,如此大的MOSFET是否可以驱动,驱动后波形还正常吗?三,这种线路也就是做这么大电流了,请问你要做多大的电流,如果做更大建议你更改方案

电路板是临时打样的,十字焊盘没考虑周到,不过问题不大,焊接时是堆锡的.
1031本身能驱动200ma的电流吧,驱动7832应该没问题,实验室的示波器坏了,无法测到波形.
这个电路我是参照手机万能充做的,就是去掉了防倒灌而已,不知道电路是否合理.
我想能有1a的输出就行了,不知道是否有其他方案.

banguangan

LV.1

2009-02-18 23:43

@ouxuanhong

这款产品我正好很熟悉.该应用带600mA负载是没有问题的,我做过锂电池升5.5V带500mA的方案,效率85%以上.采用输入供电,输出供电都可以实现你的要求.恕我直言:楼主的方案带不动负载的问题主要在layout.1)L1,D1是大电流通路,应尽量短.2)芯片pin4--LX是高频大电流走线(楼主的应用方案是外部MOS和内部MOS并联),需要尽量短,粗.3)pin2--EXT是高频线,稍微长了些.4)如nathan兄所言,焊盘应该铺满,十字焊盘过流能力不足.楼主按照以上几点修改,相信可以达到预期效果:)另外两点建议:1)L1可以增加至10uH,减小纹波,提高效率.2)IRF7832的S极串联0.1~0.33欧姆电阻到地,防止MOS烧毁.

谢谢您的建议,我再改改看.
另外请问Q1发热是什么原因?

ouxuanhong

LV.2

2009-02-19 17:20

@banguangan

谢谢您的建议,我再改改看.另外请问Q1发热是什么原因?

两个原因:
1)Q1的Rds_on比1301内部MOS管的Rds_on小很多,所以绝大部分电流都从Q1走,需要在S极和GND间串联小电阻;
2)Q1的线宽不够.

banguangan

LV.1

2009-02-20 00:33

@ouxuanhong

两个原因:1)Q1的Rds_on比1301内部MOS管的Rds_on小很多,所以绝大部分电流都从Q1走,需要在S极和GND间串联小电阻;2)Q1的线宽不够.

我按照您的方法加宽了大电流走线,输出电压跌落还是很严重,后来取消了R3,电压变的稳定了,输出500ma每问题,效率在83%左右,但想输出1A的电流则效率变的很低很低,请问是什么原因?

ouxuanhong

LV.2

2009-02-22 14:00

@banguangan

R3采用100欧姆可能太大了(如果采用输出5V给芯片VDD供电,100欧姆没问题),实际到达芯片VDD的电压小了,MOS管驱动电压也会小,驱动不了大负载,可以将R3改小为10欧姆,R3建议还是保留.
带1A太勉强了,即使正常工作输入电流也接近2A了,不建议工作到1A.
效率低,可能是环路震荡,能力都耗在mos管上了,具体看你线路的现象.

jolyway

LV.1

2010-03-25 15:24

@ouxuanhong

R3采用100欧姆可能太大了(如果采用输出5V给芯片VDD供电,100欧姆没问题),实际到达芯片VDD的电压小了,MOS管驱动电压也会小,驱动不了大负载,可以将R3改小为10欧姆,R3建议还是保留.带1A太勉强了,即使正常工作输入电流也接近2A了,不建议工作到1A.效率低,可能是环路震荡,能力都耗在mos管上了,具体看你线路的现象.

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jolyway

LV.1

2010-03-25 15:24

hope369

LV.2

2010-04-07 19:33

楼主，如输出电压采用固定5V，可用我公司的MY8350升压IC，没有必要用可调的。

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2011-11-28 13:42

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