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为什么散热片通过电容后再接地

好象一般是直接接地吧,但我最近看到有个开关电源上的散热片通过一个0.47U 250V~的电容接地,不知道有什么区别,各自有何优缺点,谢谢
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2005-04-22 20:31
EMC
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grtang
LV.7
3
2005-04-22 21:43
应该先说清楚你的散热片是MOSFET还是RECTIFIER?有没有带电?
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moreking
LV.5
4
2005-04-22 23:34
@terry.feng
EMC
能详细讲解以下吗?
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moreking
LV.5
5
2005-04-22 23:43
@grtang
应该先说清楚你的散热片是MOSFET还是RECTIFIER?有没有带电?
MOS 二极管 都有,都没带电
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asm
LV.8
6
2005-04-23 09:34
@moreking
MOS二极管都有,都没带电
因为MOS,DIODE上都是开关波形,其骚扰会通过杂散电容耦合到散热器上,对地接电容是进行EMC用的.
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moreking
LV.5
7
2005-04-23 19:27
@asm
因为MOS,DIODE上都是开关波形,其骚扰会通过杂散电容耦合到散热器上,对地接电容是进行EMC用的.
asm能具体讲讲如何改善EMC的吗?如果散热片直接接地又有什么区别呢?谢谢!
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zhaogw
LV.4
8
2005-04-23 21:23
@moreking
asm能具体讲讲如何改善EMC的吗?如果散热片直接接地又有什么区别呢?谢谢!
我也想知道如果散热片直接接地又有什么区别呢
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ghost
LV.7
9
2005-04-23 21:30
@zhaogw
我也想知道如果散热片直接接地又有什么区别呢
存在安全隐患啊,要是散热片破了漏电短路电源岂不烧得一遢糊涂.
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qaz33510
LV.9
10
2005-04-24 10:15
可减低共模EMI
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asm
LV.8
11
2005-04-24 10:36
@moreking
asm能具体讲讲如何改善EMC的吗?如果散热片直接接地又有什么区别呢?谢谢!
MOS,DIODE耦合到散热器的EMI是共模骚扰,从EMC上看没有区别,对地接电容主要是加强绝缘.
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zhaogw
LV.4
12
2005-04-24 11:07
@qaz33510
可减低共模EMI
我认为asm讲的有道理,从EMC上看没有区别,对地接电容主要是加强绝缘.
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zhaogw
LV.4
13
2005-04-24 11:14
@zhaogw
我认为asm讲的有道理,从EMC上看没有区别,对地接电容主要是加强绝缘.
如MOS DIODE 不用TO-220铁封,用朔封就不会有安全隐患
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nk6108
LV.8
14
2005-04-24 12:44
塑料或陶瓷的導熱能力仍未及某些金屬,故大功率管仍須借助外露金屬作散熱用,而為求迅速散熱,管子必緊貼散熱片,這就埋下安全隱患.
對於普通開關方式,經电容接地還可減少管子的開通湧浪,而對於ZCV 則‘死區’设定要把這电容的影响算進去.
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zhaogw
LV.4
15
2005-04-24 16:44
@nk6108
塑料或陶瓷的導熱能力仍未及某些金屬,故大功率管仍須借助外露金屬作散熱用,而為求迅速散熱,管子必緊貼散熱片,這就埋下安全隱患.對於普通開關方式,經电容接地還可減少管子的開通湧浪,而對於ZCV則‘死區’设定要把這电容的影响算進去.
我的MOS ,DIODE共用一块散热片,其散热片接次极地,MOS和DIODE都用绝缘导热硅胶,绝缘导热硅胶可耐3KV,可否有安全隐患?
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moreking
LV.5
16
2005-04-24 18:14
谢谢各位
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2005-04-24 22:04
接地是接大地么?
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asm
LV.8
18
2005-04-25 08:38
@细节决定成败
接地是接大地么?
接地是指接机壳,但机壳是要接大地的.
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jacki_wang
LV.11
19
2005-04-25 08:43
@zhaogw
我的MOS,DIODE共用一块散热片,其散热片接次极地,MOS和DIODE都用绝缘导热硅胶,绝缘导热硅胶可耐3KV,可否有安全隐患?
安規怎麼過?
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jacki_wang
LV.11
20
2005-04-25 08:45
如果你說的地是指大地的話,要注意電容的分壓關係,不然就會很頭痛.
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nk6108
LV.8
21
2005-04-25 18:34
@nk6108
塑料或陶瓷的導熱能力仍未及某些金屬,故大功率管仍須借助外露金屬作散熱用,而為求迅速散熱,管子必緊貼散熱片,這就埋下安全隱患.對於普通開關方式,經电容接地還可減少管子的開通湧浪,而對於ZCV則‘死區’设定要把這电容的影响算進去.
原意是ZVS,我把V寫成C了.
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terry.feng
LV.5
22
2005-04-25 21:41
@asm
接地是指接机壳,但机壳是要接大地的.
安规规定保护接地是不允许加电容\电感和任何其他元件,除非是功能接地.
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moreking
LV.5
23
2005-04-25 22:12
@jacki_wang
如果你說的地是指大地的話,要注意電容的分壓關係,不然就會很頭痛.
大哥,能详细讲讲吗?谢谢
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zhaogw
LV.4
24
2005-04-25 23:13
@moreking
大哥,能详细讲讲吗?谢谢
我的MOS ,DIODE共用一块散热片,其散热片接次极地,MOS和DIODE都用绝缘导热硅胶,绝缘导热硅胶可耐3KV,可否有安全隐患? 其绝缘导热硅胶可否算加强绝缘(0.4mm厚),可否过安规?
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jacki_wang
LV.11
25
2005-04-26 09:47
@zhaogw
我的MOS,DIODE共用一块散热片,其散热片接次极地,MOS和DIODE都用绝缘导热硅胶,绝缘导热硅胶可耐3KV,可否有安全隐患?其绝缘导热硅胶可否算加强绝缘(0.4mm厚),可否过安规?
要注意瑣裝方式,MOS及diode的本體不算絕緣的.
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jacki_wang
LV.11
26
2005-04-26 10:04
@moreking
大哥,能详细讲讲吗?谢谢
對於交流電壓,電容的串聯是會有分壓關係的,如果電容取不合適的話,會造成一二次側打高壓時有很大的電壓分到一次側與FG之間或者二次側與FG之間,距離不夠的話會造成打火.
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kangjl668
LV.4
27
2005-04-26 10:21
小功率一般直接接地,大功率前后级散热片均通过电容接地.主要是共模干扰,电容、散热片及板间分布电容形成回路.当散热片比较长的时候你就知道它的好处.
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moreking
LV.5
28
2005-04-26 18:37
@kangjl668
小功率一般直接接地,大功率前后级散热片均通过电容接地.主要是共模干扰,电容、散热片及板间分布电容形成回路.当散热片比较长的时候你就知道它的好处.
我看到的那块板估计在600W左右,通过电容接地的散热片是初次级的功率MOS、整流管,且都是长条的,能详细讲讲通过电容接地的好处吗?谢谢
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hxzx
LV.6
29
2006-05-04 20:37
@asm
MOS,DIODE耦合到散热器的EMI是共模骚扰,从EMC上看没有区别,对地接电容主要是加强绝缘.
说的好!!
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hxzx
LV.6
30
2006-05-04 20:39
@asm
MOS,DIODE耦合到散热器的EMI是共模骚扰,从EMC上看没有区别,对地接电容主要是加强绝缘.
说的好!!
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hxzx
LV.6
31
2006-05-04 20:40
@asm
MOS,DIODE耦合到散热器的EMI是共模骚扰,从EMC上看没有区别,对地接电容主要是加强绝缘.
说的好!!
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