求问逆变后级中共地问题

不清楚这个行业常规是怎么做的，不过MCU作为大脑，它的供电是不是应该做一些保护和防护设计，这样确保逆变的安全。

1、共地问题：必须共地，不然MCU和采样的地基准会飘，数据全乱。但400V功率侧和20V控制侧直接连，开关噪声会顺着地平面串进采样回路，直接没法用。那些用电阻 / 连锡的，其实是单点汇接，在电源入口处，用磁珠+电容或0Ω 电阻把功率地和信号地单点接在一起，形成唯一回流点，避免地环路。2、干扰问题：做好单点共地+布局隔离，干扰能压到可接受范围。关键是采样回路用差分走线+屏蔽，PCB上功率地和信号地分开铺铜，只在单点汇接；采样芯片尽量靠近信号源，远离功率器件和变压器。硬连才是干扰的根源，不是共地本身。

嗷嗷，意思就是说，上面MCU和下面功率的地铺铜是2个独立铜皮，然后中间就用一个点连接，然后就形成了单点回路这种，而不是那种全铺铜。