关于栅极驱动器的使用

可以用，补驱刚好解决LD7575驱动弱的问题。GND必须接MOS源极，别接热地，不然Vgs会被检流电阻压降削弱。反激用得少是因为小功率自带驱动够，它更常见于半桥、LLC 这类需要强驱动的拓扑

谢谢专家，准备接一个测试下👌

再请教下大家，如果COM是接MOS的源级，那么VCC的low esr电容另一端应该接芯片的COM还是直接接热地？

如果接COM，岂不是驱动电流也会流过采样电阻被采样到？

这个谁有实际的使用经验能分享下吗，当然可能这种情况比较少，因为大家都是加两个三极管推挽输出。

不明白现在简单回个帖子怎么审核要这么久？都AI时代了啊，这样是会被淘汰的

驱动太强不是好事情，比如所谓的弥勒平台，如果一味用高驱动电流消除这个平台，会让MOS受到极强的电流冲击，弥勒平台本身就是抗电流能力不够才产生的缓冲平台。

关断速度过快也容易带来较高的关断di/dt，干扰非常大。

但说到底，还是柘朴结构的缺陷，产生较高的开通或关断电流

IXDN604用了几十年，其它不选。

这个电容都是接在芯片供电端的，一般芯片的参考地会与MOS的S极接在一起，至于驱动电流会被采样饭，这个问题不大，采样电路都是有消隐电路的