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【 2025 DigiKey 杯】纳特斯拉级精度三维磁场发生装置

      非常荣幸参加得捷创客大赛,本次设计一个三维磁场发生装置,主要应用于磁传感器开发测试、地磁屏蔽系统、磁场检测、磁传感器频响测试、软磁材料退磁(需修改设计参数)。本人从事磁传感器设计,经常手搓一些小装置,用于日常测试。本文增加部分计算及应用拓展,如有错误,欢迎指正。

      本三维磁场发生装置主要由一个三通道恒流源、一个三维赫尔姆茨线圈及一个用于磁场检测的传感器构成。本项目主要分为四个阶段,分别为计算与评估阶段、选型及设计阶段、安装调试阶段、验收测试阶段。下文将按照以上阶段顺序展开。

      一、计算与评估

    首先,在磁应用领域,产生磁场的方式主要有两类:一类是使用强磁物质,主要为铁磁体(四氧化三铁)或钕磁铁(强磁);另一种是利用电流产生的感应磁场,通过绕制长直螺线管(螺线管长度>>直径)或绕制赫尔姆茨线圈。而要产生三维可控的磁场,赫尔姆茨线圈无疑成为最佳的方案。

      那么赫尔姆茨线圈是如何工作与设计呢?简单来说,当两个平行线圈满足 线圈间距=线圈半径时,即满足赫尔姆茨条件,两线圈中心区域磁场为同向均匀的。线圈通常设计为环形线圈,计算简易且均匀区更大,也有部分矩形的(比如本次设计的,根据经费选择的合适方案),通常体积巨大,常用于地磁屏蔽系统。

下图给出环形线圈磁场仿真效果图(来源仿真社区),当两个线圈规格一致并且串联时,两线圈中央磁场几乎是均匀分布的。

      那么产生磁场应该如何计算呢?使用赫尔姆茨线圈来计算或者仿真,工作量巨大,计算原理就是两个线圈磁场的叠加,但磁场随距离衰减为3次方关系。

        简化版计算如我,只是按照计算螺线管的方式计算单个线圈,再进行叠加。不过注意按照螺线管计算的话需保留充分的裕量,需要数倍甚至十倍的裕量,必要时可借助第三方工具进行辅助计算。

线圈支架设计每个轴向两个线圈,这样的话需要6个矩形线圈就可以实现三维磁场控制了。那么先计算一下需要使用的材料,比如最外层使用40cm的矩形外框,那么中间层需要36cmm、内层32cm刚好足够,框架共需材料8.64m,绕制的漆包线,初步按照20匝来算,约168米,加上接头及设计误差,预计200米漆包线,再加上底板、固定件、粘接剂,差不多就够用了。

      恒流源部分,采样运放反馈方式控制mos管来实现恒流设计,通过两个双刀双掷继电器控制通断及方向变更。通过电位器分压输入控制信号来调节输出电流值,并设计电流三档独立可调。有过应用案例,此处简略说明,电路图见设计部分。

      磁场传感器部分,用于检测纳特斯拉级,本想找市面上的磁传感器进行后续检验,但数字磁罗盘、TMR、AMR传感器性能指标均不满足要求,磁通门价格又过于昂贵,将采用自行设计的0.2nT(P-P值)级磁传感器进行测试(仅用于验收部分,非公开项目,仅作测试)

      二、选型及设计

三维线圈设计:采样H型铝合金两端切角45°高度2cm采用胶带初步固定、固化胶补强、扎带辅助实现结构固定

漆包线采用0.8mm漆包线1000g(长度约220m),采用木制底板,尽量采用无磁材料设计,减小干扰。下图为设计初期三维示意图

恒流电路部分

采用运放+MOS管,采用电阻采样反馈电路,基本原理如下图所示。R4\R3电阻分压给运放同相输入端,通过比较同相输入电压和反向的反馈电压值来控制输出,进而控制mos管栅极来实现输出电流控制。其中恒流电流

I=V同相/R1

那么应用的时候在电阻分压后增加一个电压跟随其,降低因电源波动引起的变化。通过调节电位器分压来实现电流设定值就可以了。

实现恒流后,那么再通过两个继电器实现开关和正反向调节,使用钮子开关控制开关,并串入信号指示灯。

实现电路:

      要实现高精度恒流源,选择前级使用线性稳压器,为了保留升级及应用部分,在稳压器前级增加一个升压芯片,可将低电压升压至35V,这样恒流源输出的电压可达30V以上,对阻值较高的负载也使用。

电源部分电路:

看一下预览效果图,按键、灯都需要放置于前面板。预留数字控制接口,预留12V风扇接口。

      三、安装调试

线圈安装:

先将线圈支支架安装,再进行绕线

绕线尽量均匀、绕线区域宽度需要远小于磁场线圈(当前为1:32),绕制匝数20匝再进行组装(注意使用绝缘材料隔绝外框与漆包线,防止因剐蹭导致漆皮脱落造成局部短路)

绕线完成后进行组装,使满足两平行线圈之间距离等于线圈半径。

恒流源安装:

将电路板元器件焊接完成后,将连接线逐步连接,装入外壳中。

      四、验收测试

测试设备:电源,手持万用表,单轴磁传感器

测试方法:设置电流最大档,将传感器平行于磁场方向,分别测试并记录磁场电压值。磁传感器灵敏度21000nT/V

X轴正向:7.3V

X轴反向:-8.46V

ΔV/2=165μT(1.65Gs)

Y轴正向:8.22V

Y轴反向:-6.61V

ΔV/2=155.715μT(1.56Gs)

Z轴正向:10.4V

Z轴反向:-5.46V

ΔV/2=166.53μT(1.67Gs)

输出磁场满足≥±100μT指标

最大档位输出电流约1.8A,计算电流磁场换算系数,当电流变化达到0.011mA时,磁场变化量为1nT,也就是当电流控制波动量≤0.11mA时,磁场变化量≤10nT,达到nT级门槛

恒流源输出端串联1Ω采样电阻,测量采样电阻两端电压值,若稳定输出时电压变化量<0.1mV,即可判定为nT级。

设定高电流档输出电流至100mA,采样电阻两端电压波动<0.1mV,可达纳特级及以上。

测试视频:

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