下面是PI反激电源方案中在副边针对整流管添加的RCD吸收电路。
RC吸收是指在电路设计中，尤其是在开关电源、功率电子设备以及电力电子系统中，使用电阻与电容串联组成的电路结构，用于吸收和衰减电路中由于开关元件（如MOSFET）的快速切换所产生的过电压和过电流现象。电压尖峰的本质是一个对结电容的dv/dt充放电过程，而dv/dt是由电感电流的瞬变（di/dt）引起的，所以降低di/dt或者dv/dt的任何措施都可以降低电压尖峰。
RC吸收是能量的单向转移，就地将吸收的能量转变为热能。副边二极管反压尖峰超标，就在这个二极管上拼命吸收， RC吸收是被动处理的方法，副边二极管反压尖峰超标都是漏感造成的，最正确的方法是处理漏感能量，只不过添加RC电路相对简单方便，简单调试就能看到明显改善效果，因此用的多一些。
调试过程吸收电容C要选取一个合适的值，过大过小都不能取得好的效果。吸收电阻也有很大影响，以及要考虑电阻损耗发热情况。
