InnoSwitch3-AQ系列的 INN3996芯片开发的反激电路，集成更高电压的900V MOSFET，并且符合AEC-Q100认证，采用StackFET下，能够实现的30-1200VDC输入范围设计。StackFET是InnoSwitch3-AQ的一项重要技术，这项技术增加了设计的灵活性。具体来说就是在初级侧叠加另一个MOSFET，串联后，电压就是串联的MOSFET的电压加上InnoSwitch3-AQ的电压，这样就可增加耐压。
通过IN3996CQ+StackFET的加持之下，甚至能够支持高达1700V的Vds电压。当然，这项技术也能够改善750V的 INN3977CQ的电压应力和温升性能，因此对于客户来说，可以灵活选择StackFET来增加耐压。
相较于初级检测方案，InnoSwitch3-AQ拥有优秀的电压精度及稳压范围(<±2%)、多路输出、同步整流、元件数目低的优势。空载输入功率极低，待机工作下功耗极小，800V输入情况下小于36mW。PI的FluxLink技术可以去除光耦，即使在负载处于瞬态变化期间也能确保精确的稳压精度。而在负载调整率和电压调整率上的表现极佳，对于30V至1200V的输入电压范围及空载至满载的负载范围输出精度优于+1% /-3%。
