TNY5072K 器件 (U1) 将振荡器、开关控制器、启动和保护电路以及功率 MOSFET 集成在单一 monolithic IC 上。电源变压器 (T1) 初级绕组的一端连接到 bulk 电容器 C1 和 C2 的正极，另一端连接到 U1 的 DRAIN 引脚。当 MOSFET 关断时，变压器的漏感会在漏极节点上感应出一个电压尖峰。该尖峰的幅度由 D1、R3、R4 和 C3 组成的 RCD 钳位网络进行限制。电阻 R4 与电容 C3 一起用于抑制高频振铃并改善 EMI。连接在初级侧和次级侧之间的 Y 电容 CY1 有助于改善 EMI。
TNY5072K 通过根据其 CONTROL 引脚输入的电流来调整功率 MOSFET 的关断时间，从而调节输出。电源输出电压由次级侧的并联稳压器 U3 检测，并通过光耦 U2 向初级侧提供反馈信号。
线路欠压和过压由电阻 R1 和 R2 提供给 V 引脚的电流决定。R5、D3 和 VR1 用于输出过压保护。输出电压的升高会导致偏置绕组电压升高，该电压由 VR1 检测。一旦 VR1 被激活，它将向 BP 引脚注入电流，导致 IC U1 关闭并进入自动重启过程。
旁路电容 C5 用作限流选择，并尽可能靠近 U1 放置。C5 用于选择 IC 的降低的电流限制。在启动时，该电容通过 DRAIN 引脚充电。一旦充电完成，U1 开始开关。电容 C4 存储足够的能量，以确保电源输出达到稳压状态。
启动后，偏置绕组通过二极管 D2 和电容 C4，经由电阻 R6 的电流为控制器供电。电阻 R6 用于设置 IC U1 的典型偏置电流。磁珠 L2 用于最小化到达 BP 引脚的噪声，并且应尽可能靠近 IC 放置。
