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INN3879开发设计的快充电源

PI的InnoSwitch3-PD是一款集成USB Type-C和USB PD控制器、高压开关、同步整流控制器和FluxLink反馈的离线式反激转换器芯片,兼容USB PD 3.0和PPS标准,同时支持QC4,符合USB Type-C Rev. 1.3标准,确保与各种USB Type-C设备的兼容性。集成的VCONN开关器件具有软启动和过流保护功能,提高了可靠性。

在整个负载范围内表现出卓越的高效能运行能力,采用了先进的PowiGaN技术。即使在没有散热器的情况下,也能提供高达100W的功率输出。此外,在多路输出的应用当中它还具备出色的交叉调整率性能,在采用加权反馈的次级侧稳压(SSR)架构及同步整流的情况下,使用集成的FluxLink™技术和HIPOT隔离的反馈链路,可以实现±3%的高精度输出。这包括输入电压和负载变化所引起的输出调整率的变化。

INN3879设计的快充电源,支持输入电压范围宽,输出多种电压,电源最大功率可以到65W,是一款性能出色快充电源芯片。待机功耗低,效率高。电源典型快充设计的拓扑结构如下:

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spowergg
LV.10
2
2025-09-17 16:29

InnoSwitch3-PD IC同样提供了次级同步整流驱动功能,提高了电源的效率。

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trllgh
LV.10
3
2025-09-18 15:19

空载功耗低至14mW,符合所有全球能效法规,而且输出功率可达100W。

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2025-09-22 16:09

快充设计中电路板,元件,充电线这些物理器件的散热如何考虑

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飞翔2004
LV.10
5
2025-09-22 17:02
@trllgh
空载功耗低至14mW,符合所有全球能效法规,而且输出功率可达100W。

效率提高了,显著降低散热量,无需大片的散热片。

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2025-09-22 21:58

这个快充电源对输入信号频率有什么特殊要求

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沈夜
LV.9
7
2025-09-23 13:10

问题:如何优化USB PD协议的兼容性和传输效率?

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2025-09-23 14:03
@沈夜
问题:如何优化USBPD协议的兼容性和传输效率?

同时使用PowiGaN和硅开关选项,具有完善的保护特性,使产品更加可靠耐用,具备长时间的使用寿命。

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ZT0oo0
LV.5
9
2025-09-23 14:13

INN3879 开发设计的快充电源,在实际使用中,给支持快充的笔记本电脑充电时,充电速度和传统非快充电源相比能快多少?

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htwdb
LV.8
10
2025-09-23 15:46

INN3879芯片的过温保护阈值是多少?保护触发后是采用“打嗝模式”还是“锁存关闭”?

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dy-TMelSvc9
LV.9
11
2025-09-23 16:51

怎么样有效解决快充电源的信号传输满负荷

0
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dy-StTIVH1p
LV.9
12
2025-09-23 19:50

这个快充电源的信号传输有哪些变化规律

0
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dy-XU5vrphW
LV.8
13
2025-09-23 20:27

怎么样更加有利于提高快充电源的传输通透

0
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XHH9062
LV.9
14
2025-09-24 19:29

输入电压范围是多少?功率因数如何?

0
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2025-09-25 21:26

全能芯片

0
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千影
LV.7
16
2025-09-28 10:37

关于PI的InnoSwitch3-PD芯片在实际应用中的表现如何?

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旻旻旻
LV.8
17
2025-10-11 22:51

这样做,若变压器绕组与次级地形成 2–3 cm² 环路,会放大辐射

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dy-NrYENhbI
LV.4
18
2025-10-23 22:53

如何提高USB类型C接口的电力传输效率?

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沈夜
LV.9
19
2025-10-25 01:57

针对所提到的INN3879快充电源芯片的具体应用或测试方法,有哪些关键要点?

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dy-XU5vrphW
LV.8
20
2025-10-25 21:47

怎么样确认快充电源的信号传输方向

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方笑尘MK
LV.8
21
2025-11-06 19:41

芯片具有交叉调整率性能,可把二次 Buck 砍掉,同时也节省了电路板面积

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黑夜公爵
LV.10
22
2025-11-12 21:51

必须从外部对偏置电压进行箝位,以防止偏置电源引脚超过15 VDC,从而确保长期可靠性

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tmpeger
LV.10
23
2025-11-17 23:00

占空比和控制引脚过电流之间的简单关系是通过所有三种PWM模式来维持的

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黑夜公爵
LV.10
24
2025-11-21 20:15

无箝位设计完全依赖漏极节点电容来控制漏极电感引起的峰值漏极源极电压

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k6666
LV.10
25
2025-12-05 11:16
@沈夜
问题:如何优化USBPD协议的兼容性和传输效率?

由于省去了体积较大的光耦器,它能够节省空间和提高功率密度

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黑夜公爵
LV.10
26
2025-12-10 22:23

MOSFET将保持导通,直到初级电流逐渐增大到特定工作状态的器件限流点

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opingss88
LV.10
27
2025-12-15 21:07

次级绕组电压按照变压器的初次级匝比反射到初级绕组上所形成的电压

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opingss88
LV.10
28
2025-12-15 22:08

如果选择偏置绕组的圈数相对高一些,则偏置绕组可以作为一个屏蔽绕组用来降低EMI

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