我本次调试用的主控IC是来自成都启臣微及深圳思睿达的CR52168SG，输出规格24V0.5A，该芯片采用原边检测和调整的拓扑结构，因此在应用时无需TL431 和光耦。芯片内置恒流/恒压两种控制方式。接下来我把我的调试过程全程分享给大家
【应用】灯
【规格】24V0.5A
【问题描述】调试时发现EMI传导余量不足
上图可以发现，0-800K处传导余量不足，此方案做灯，有PF要求。所以用了一个填谷线路，填谷线路前端传导相对来说是较为难调。0-800K处有以下四点常见的地方可调：
①X电容 ②整流桥桥前后电感 ③变压器 ④PCB布局干扰
首先我先尝试最简单的先改外围电路，X电容和色环电感已经用了330nF和1mH，已经够大了，所以先把整流桥后负极RL2的0R改成4.7uH贴片电感或1K磁珠，发现没有什么作用。将薄膜电容放大后，效果也不好。
看来跟外围元件关系不是很大，因为平常用这种配置，传导余量都有很大。于是第二步先检查一下变压器，把Y电容去掉后，测量Y电压，如下图
可以看到除开尖峰，Y电压平台只有3V左右，已经很小了，大概率不是变压器的原因。但是由于我设计的变压器并没有屏蔽以及磁芯接地，如上图。所以我决定尝试加一层屏蔽和磁芯接地分开尝试。尝试后发现磁芯接地及加屏蔽，传导会变得更差，Y电压也越高，对应的上，证明不是变压器的问题。（没存图）
那接下来只有尝试改PCB了，前方传导超标最大的可能就是AC干扰
由于变压器是3+2+2的，看板子贴片面可以看到AC部分距离高压动点部分距离还是很远的，我一时半会还确实看不出来是什么问题，包括吸收环路也不错。唯一有疑点的就是这根线离得太近了，距离只有1mm如下图
抱着试一试的心理，我尝试把交流这根线隔开，把整流桥斜一点飞起来，把X电容也飞起来放在贴片面，发现效果很好，如下图
但事情实际没有那么简单，我正以为大功告成，于是我直接改板，把这根线离远一点，改成以下板子，贴完之后测试发现还是不行，如下图
可以看到，余量只有2db，跟之前飞线的效果差异巨大，于是我怀疑根本不是那根线的问题，难道是插件面干扰了？以下是我尝试的方法
一，改用方形保险丝，传导余量6dB左右
二，使用铜箔包裹变压器，传导余量10dB左右
三，将X电容与压敏电阻换位，传导余量10dB左右
于是我用原板子尝试了以上步骤，发现均可以达到效果，说明不是那根线太近的原因，大概率是变压器对交流部分的X电容以及保险丝产生的干扰！
以下是一些思考
①关于保险丝与变压器之间的干扰
*绕线电阻保险丝
螺旋结构相当于一个 小电感线圈，会通过 磁场耦合 吸收变压器泄漏的开关噪声（尤其是MOSFET的di/dt噪声）。
这些噪声通过绕线电阻的寄生电感与PCB走线电容形成谐振，传导到输入端口（LISN检测到的噪声升高）。
*方形直插保险丝
直线熔丝结构无显著磁场耦合效应，且寄生电感极低，高频噪声直接通过输入滤波电容回流，不会被放大。
*结论
根本原因是：绕线电阻的螺旋结构引入的寄生电感和磁场耦合，尽管体积相同，但其高频特性与直插保险丝截然不同
②关于X电容与变压器之间的干扰
变压器漏磁场的直接耦合
变压器在开关过程中会产生 高频漏磁场（尤其是反激电源的变压器，因气隙存在漏磁较强）。
若X电容 靠近变压器（尤其是气隙或绕组边缘），其金属极板或引脚会成为 磁场接收天线，感应出高频共模电压，并通过L/N线传导到LISN。
飞线到贴片面后改善：因物理距离增加，磁场耦合强度随距离平方衰减，噪声被抑制。
X电容的“共模噪声转化”效应
X电容本应滤除 差模噪声，但若其位置被变压器漏磁场干扰，会 将共模噪声转化为差模噪声：
磁场在X电容两极板感应出 不对称电压，导致L-N之间出现本应被滤除的高频差模噪声。
这种“污染”后的差模噪声会直接通过传导测试超标。
PCB布局的隐性环路
即使X电容在交流侧，其与变压器、整流桥、输入线仍可能形成 隐性高频环路：
例如：变压器 → 空间磁场 → X电容 → 整流桥 → 变压器，构成共模噪声的闭合路径。
飞线贴片布局可能打破了这一环路，阻断了噪声耦合。
结论
核心问题：X电容因靠近变压器，被漏磁场耦合，从“滤波器”变成“噪声接收器”。
飞线改善的原因：
距离增加 → 磁场耦合减弱。
可能无意中避开了隐性噪声环路。
优化方向：
空间隔离 > 屏蔽 > 滤波增强。
希望以上的调试对你有帮助！
