初次听到宽禁带还是很陌生的，不知道是哪类产品，相信很多电源网的用户都一样，下面一张图分享给大家来清晰讲下这里半导体。
半导体的禁带宽度介于导体和绝缘体之间。宽禁带半导体就是禁带宽度大于传统半导体的一种半导体材料，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。
作为第三代半导体材料，宽禁带半导体相比于传统半导体材料都有哪些优势呢？
SiC和GaN具有更宽的禁带宽度，从而使其拥有更高的击穿电场强度，此外宽禁带半导体材料碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）相较于传统的半导体材料硅（Si）拥有更高的临界电场强度、更高的热导率和更大的饱和电子漂移速率，材料性能可以说是单方面碾压传统半导体材料硅（Si）。宽禁带半导体材料的这些优异性能，使得利用宽禁带半导体材料制作的半导体功率器件更能满足现代工业对于高功率、高电压、高频率、小体积的需求。
目前PI宽禁带产品有很多，技术很成熟了。GaN具有很多优势，导通损耗小，效率高，功率密度高，基本无需散热，PI的GaN也有正压驱动产品，控制变简单了。PI产品可靠性很高，市场应用比较广泛。
