禁带宽度(Band gap)是指一个带隙宽度(单位是电子伏特(ev))，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带（能导电），自由空穴存在的能带称为价带（亦能导电）。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
与硅 MOSFET 相比，SiC MOSFET 性能更优、能效也更高，且稳健可靠，在高温下表现更出色，可以在更高的开关频率下运行。与硅基超级结 MOSFET 相比，SiC MOSFET 在输出电容中储存的能量 (EOSS) 较低，而这对于实现低负载目标至关重要，因为 PFC 级的开关损耗主要来源于 EOSS 和栅极电荷相对较高的器件。较低的 EOSS 可大大减少开关过程中的能量损失，从而提高图腾柱 PFC 快速桥臂的能效。此外，由于 SiC 器件具有出色的热导率，相当于硅基器件的三倍，因此与硅基超级结 MOSFET 相比，SiC MOSFET 具有更好的正温度系数 RDS(ON)。下图为 650V SiC MOSFET 导通电阻与结温的关系。（结温为 175℃ 时的导通电阻比室温时的导通电阻高 1.5 倍。）
